本文簡單介紹了芯片制造過程中的兩種刻蝕方法

刻蝕（Etch）是芯片制造過程中相當重要的步驟。

刻蝕主要分為干刻蝕和濕法刻蝕。

①干法刻蝕

利用等離子體將不要的材料去除。

②濕法刻蝕

利用腐蝕性液體將不要的材料去除。

1干法刻蝕

干法刻蝕方式：

①濺射與離子束銑蝕

②等離子刻蝕（Plasma Etching）

③高壓等離子刻蝕

④高密度等離子體（HDP）刻蝕

⑤反應離子刻蝕（RIE）

與化學蝕刻一樣，具有高度選擇性，僅蝕刻具有目標成分的材料；具有高度各向異性，從掩模開口開始沿單一方向蝕刻。實現這一目標的機制是基于使用高能粒子來激活化學物質與表面的反應。如圖所示，離子在等離子體中產生并加速向表面和掩模開口移動。等離子體還會產生高活性中性物質，這些物質不會被電場加速，因此會無優先方向地到達表面。當離子和中性物質同時存在時，即在水平方向的表面部分（例如被蝕刻的凹坑底部），會激活高度選擇性的反應并去除目標材料。

2濕法刻蝕

濕法刻蝕在半導體工藝中有著廣泛應用：拋光、清洗、腐蝕。濕法蝕刻是一種化學過程，涉及使用液體蝕刻劑從Wafer上選擇性去除材料。這些蝕刻劑通常由多種化學物質（例如酸、堿或溶劑）組成，這些化學物質與材料發生反應，形成可溶解的產物，這些產物很容易被洗掉。蝕刻過程由材料-蝕刻劑界面上的化學反應驅動，蝕刻速率由反應動力學和溶液中活性物質的濃度決定。

優點是：選擇性好、重復性好、生產效率高、設備簡單、成本低

缺點是：不能用于小的特征尺寸；會產生大量的化學廢液。