51CTO 張誠(chéng)

今天，隨著智能手機(jī)應(yīng)用與數(shù)據(jù)量的高速增長(zhǎng)，用戶(hù)對(duì)于閃存存儲(chǔ)的性能和容量要求越來(lái)越高。芯片制程、架構(gòu)和算力算法的精進(jìn)也讓嵌入式存儲(chǔ)器在性能和容量上不斷實(shí)現(xiàn)突破。近期，西部數(shù)據(jù)正式對(duì)外發(fā)布了iNAND MC EU551嵌入式閃存器件，這款專(zhuān)門(mén)為智能手機(jī)定制的新產(chǎn)品，在為用戶(hù)提供了超高分辨率相機(jī)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)/虛擬現(xiàn)實(shí)、游戲和8K視頻等新興應(yīng)用所需的高性能存儲(chǔ)的同時(shí)，也以最大512GB的存儲(chǔ)容量，很好的滿(mǎn)足了用戶(hù)的存儲(chǔ)需求。

西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件

西部數(shù)據(jù)公司中國(guó)及亞太區(qū)副總裁Stefan Mandl表示，隨著5G、人工智能、創(chuàng)新傳感器等新興技術(shù)的應(yīng)用普及，用戶(hù)對(duì)于智能手機(jī)的性能和容量提出了更高的要求。借助UFS 3.1 iNAND解決方案和 iNAND MC EU551 嵌入式閃存器件，西部數(shù)據(jù)助力用戶(hù)自如運(yùn)行大數(shù)據(jù)量的應(yīng)用并實(shí)現(xiàn)更快的傳輸，充分享受游戲、工作和學(xué)習(xí)的全新體驗(yàn)。

新技術(shù)新應(yīng)用加持，嵌入式閃存迎來(lái)新挑戰(zhàn)

如果說(shuō)智能手機(jī)處理器芯片上的突破使得其具備了更強(qiáng)的算力，那么5G、AI等新興技術(shù)也讓智能手機(jī)的應(yīng)用范圍更加廣泛，同時(shí)也給用戶(hù)帶來(lái)了更好的使用體驗(yàn)。不過(guò)，不斷增長(zhǎng)的應(yīng)用程序和爆炸式增長(zhǎng)的海量數(shù)據(jù)，也給手機(jī)存儲(chǔ)的性能和容量提出了更高的挑戰(zhàn)。

西部數(shù)據(jù)公司中國(guó)區(qū)智能終端產(chǎn)品事業(yè)部高級(jí)銷(xiāo)售總監(jiān)文芳表示，隨著5G的迅速普及，越來(lái)越多的應(yīng)用會(huì)被開(kāi)發(fā)出來(lái)，對(duì)閃存提出了更高的要求。她表示，在智能手機(jī)的隨機(jī)讀寫(xiě)上，閃存性能將會(huì)直接影響到開(kāi)關(guān)機(jī)、APP啟動(dòng)和系統(tǒng)調(diào)用三大典型應(yīng)用；在順序?qū)懭肷希W存性能將直接影響APP的下載與安裝，此外對(duì)于諸如視頻剪輯等應(yīng)用，也會(huì)產(chǎn)生較大的影響。

西部數(shù)據(jù)公司中國(guó)區(qū)智能終端產(chǎn)品事業(yè)部高級(jí)銷(xiāo)售總監(jiān)文芳女士；

西部數(shù)據(jù)公司產(chǎn)品市場(chǎng)部高級(jí)產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理宋學(xué)紅先生

在容量方面，4K、8K等視頻文件，對(duì)于存儲(chǔ)容量提出了更高的要求。除此之外，越來(lái)越多的游戲、APP等等，也對(duì)手機(jī)存儲(chǔ)容量帶來(lái)了更高的挑戰(zhàn)。文芳表示，雖然用戶(hù)可以把數(shù)據(jù)搬到云上，但這樣會(huì)極大的影響用戶(hù)的使用體驗(yàn)，況且大部分用戶(hù)即使將數(shù)據(jù)存放在云中，也是為了對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行備份，這也是手機(jī)存儲(chǔ)容量從之前的4GB、8GB到現(xiàn)在主流的128GB、256GB，甚至512GB的根本原因所在。

實(shí)際上，這也是西部數(shù)據(jù)正式推出全新iNAND MC EU551嵌入式閃存器件的主要原因。不過(guò)，iNAND MC EU551嵌入式閃存器件并不僅僅應(yīng)用于智能手機(jī)這一產(chǎn)品中，在諸如物聯(lián)網(wǎng)等設(shè)備當(dāng)中，都能夠?yàn)槠涮峁└叩男阅芎透蟮娜萘浚芎玫貪M(mǎn)足用戶(hù)的各種苛刻需求。

隨機(jī)性能提升100%，帶來(lái)更佳用戶(hù)體驗(yàn)

西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件基于第二代UFS 3.1規(guī)范，融入了第六代iNAND SmartSLC緩存加速技術(shù)和Write Booster寫(xiě)入加速技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)令人驚嘆的1550MB/s順序?qū)懭胨俣龋胰萘繚M(mǎn)載時(shí)也不會(huì)掉速。

為了保證擁有更高的性能，iNAND MC EU551嵌入式閃存器件還采用了更高效的控制器和優(yōu)化的固件設(shè)計(jì)，擁有雙電壓、熱保護(hù)以及HBP2.0 （主機(jī)性能加速器）等諸多先進(jìn)特性。數(shù)據(jù)顯示，和上一代產(chǎn)品相比，iNAND MC EU551嵌入式閃存器件的隨機(jī)讀取性能提升約100% ，隨機(jī)寫(xiě)入性能提升約40%，順序?qū)懭胄阅芴嵘s90%，順序讀取性能則提升了約30%。

西部數(shù)據(jù)公司產(chǎn)品市場(chǎng)部高級(jí)產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理宋學(xué)紅表示，閃存的性能包括順序讀寫(xiě)和隨機(jī)讀寫(xiě)兩個(gè)部分。與上一代產(chǎn)品相比，iNAND MC EU551嵌入式閃存器件順序讀從1500MB/s提升至2000MB/s，順序?qū)憦?00MB/s提升至1550MB/s。另外，在隨機(jī)讀方面，從60K IOPS 上升到 140K IOPS ，在隨機(jī)寫(xiě)方面，從90K IOPS 上升到140K IOPS，都有大幅度地提升。

由于隨機(jī)讀取和隨機(jī)寫(xiě)入衡量的是混合工作負(fù)載也就是多應(yīng)用并行處理的速度，因此有了如此大的性能提升，用戶(hù)在使用智能手機(jī)進(jìn)行各種操作時(shí)，能夠得到更好的使用體驗(yàn)。比如，同時(shí)運(yùn)行微信、office和支付寶，能夠獲得更流暢的體驗(yàn)。另外，由于順序?qū)懭胗欣谝愿斓乃俣认螺d超大文件或者視頻，還能有效提升拍照的連拍性能，因此用戶(hù)在下載、安裝APP和游戲時(shí)，或者是在用手機(jī)拍攝高清照片時(shí)，能夠帶來(lái)更好的響應(yīng)速度。

除此之外，由于iNAND MC EU551嵌入式閃存器件擁有驚人的1550MB/s順序?qū)懭胨俣龋@就意味著其可大幅提升5G和Wi-Fi 6的下載速度，尤其是應(yīng)對(duì)8K視頻等富媒體文件時(shí)擁有更好的體驗(yàn)。而順序讀取性能則直接關(guān)系到應(yīng)用的啟動(dòng)和加載速度。諸如游戲和視頻處理等超大型的APP，內(nèi)置了很多插件和特效，加載時(shí)要等上較長(zhǎng)的時(shí)間，這時(shí)候順序讀取性能強(qiáng)的，就能以更快的速度打開(kāi)和啟動(dòng)，從而減少等待時(shí)間。

談到兼容性問(wèn)題，宋學(xué)紅表示， 在iNAND MC EU551嵌入式閃存器件的產(chǎn)品測(cè)試中，已經(jīng)完全考慮到了游戲手機(jī)，大型游戲、主流游戲都經(jīng)過(guò)運(yùn)行測(cè)試，保證所有游戲能夠非常流暢地使用。

文芳則表示，在iNAND MC EU551嵌入式閃存器件的研發(fā)過(guò)程中，西部數(shù)據(jù)就已經(jīng)與很多客戶(hù)進(jìn)行了溝通，并在性能上跟他們的產(chǎn)品進(jìn)行了充分的匹配。目前，西部數(shù)據(jù)的頭部客戶(hù)都已經(jīng)在測(cè)試iNAND MC EU551嵌入式閃存產(chǎn)品，西部數(shù)據(jù)將根據(jù)客戶(hù)產(chǎn)品發(fā)布時(shí)間，隨時(shí)進(jìn)行量產(chǎn)。

借助第六代162層BiCS 3D閃存技術(shù)，容量高達(dá)512GB

此次西部數(shù)據(jù)發(fā)布的新一代iNAND MC EU551嵌入式閃存器件，共包含128GB、256GB和512GB三大容量標(biāo)準(zhǔn)，均采用了與Kioxia鎧俠聯(lián)合研發(fā)的第六代162層BiCS 3D閃存技術(shù)。

與其它3D閃存技術(shù)相比，雖然西部數(shù)據(jù)與Kioxia鎧俠聯(lián)合研發(fā)的第六代162層BiCS 3D閃存技術(shù)在層數(shù)上并不是最高的，但仍然是行業(yè)頂級(jí)的技術(shù)水平。正如文芳在采訪中強(qiáng)調(diào)的那樣，存儲(chǔ)性能和NAND的先進(jìn)性并不只簡(jiǎn)單取決于層數(shù)，準(zhǔn)確的定義是，層數(shù)和每層更高效率的乘數(shù)，才是更為可靠的衡量方式。

從第六代162層BiCS 3D閃存技術(shù)特點(diǎn)來(lái)看，其相比上一代的112層，芯片尺寸減少了約40%，橫向密度增加了約10%，在同樣的300mm晶圓上可以多生產(chǎn)70%的容量，直接大幅降低了閃存成本。

宋學(xué)紅表示，西部數(shù)據(jù)擁有自己的閃存顆粒，從BiCS4到BiCS5再到BiCS6，除了單個(gè)die容量增加之外，通過(guò)對(duì)性能的調(diào)校，得到了最佳的性能表現(xiàn)。同時(shí)，通過(guò)對(duì)外圍電路設(shè)計(jì)的優(yōu)化，不斷提高閃存顆粒的I/O性能，讓其擁有更高的訪問(wèn)速度。正是由于西部數(shù)據(jù)的技術(shù)創(chuàng)新和領(lǐng)先的閃存技術(shù)，才能真正驅(qū)動(dòng)著數(shù)據(jù)和存儲(chǔ)性能不斷向更高層級(jí)邁進(jìn)。

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