色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
电子发烧友
开通电子发烧友VIP会员 尊享10大特权
海量资料免费下载
精品直播免费看
优质内容免费畅学
课程9折专享价
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

利用有源米勒鉗位技術有效緩解緩米勒效應

電子設計 ? 來源:電子工程網 ? 作者:電子工程網 ? 2021-03-15 15:01 ? 次閱讀

序言

IGBT在開關時普遍會遇到的一個問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺。米勒效應在單電源門極驅動的應用中影響是很明顯的。基于門極G與集電極C之間的耦合,在IGBT關斷期間會產生一個很高的瞬態dv/dt,這樣會引發門極VGE間電壓升高而導通,這是一個潛在的風險(如圖1)。

利用有源米勒鉗位技術有效緩解緩米勒效應

圖1:下管IGBT因為寄生米勒電容而引起導通

寄生米勒電容引起的導通

在半橋拓撲中,當上管IGBT(S1)正在導通, 產生變化的電壓dV/dt加在下管IGBT(S1)C-E間。電流流經S2的寄生米勒電容CCG 、門極驅動電阻RG 、內部集成門極驅動電阻RDRIVER ,如圖1所示。電流大小大致可以如下公式進行估算:

這個電流產生使門極電阻兩端產生電壓差,這個電壓如果超過IGBT的門極驅動門限閾值,將導致寄生導通。設計工程師應該意識到IGBT節溫上升會導致IGBT門極驅動閾值會有所下降,通常就是mv/℃級的。

當下管IGBT(S2)導通時,寄生米勒電容引起的導通同樣會發生在S1上。

減緩米勒效應的解決方法

通常有三種傳統的方法來解決以上問題:第一種方法是改變門極電阻(如圖2);第二種方法是在在門極G和射極E之間增加電容(如圖3);第三種方法是采用負壓驅動(如圖4)。除此之外,還有一種簡單而有效的解決方案即有源鉗位技術(如圖5)。

獨立的門極開通和關斷電阻

門極導通電阻RGON影響IGBT導通期間的門極充電電壓和電流;增大這個電阻將減小門極充電的電壓和電流,但會增加開通損耗。

寄生米勒電容引起的導通通過減小關斷電阻RGOFF可以有效抑制。越小的RGOFF同樣也能減少IGBT的關斷損耗,然而需要付出的代價是在關斷期間由于雜散電感會產生很高的過壓尖峰和門極震蕩。

14193179933768.jpg

圖2:獨立的門極開通和關斷電阻

增加G-E間電容以限制米勒電流

G-E間增加電容CG將影響IGBT開關的特性。CG分擔了米勒電容產生的門極充電電流,鑒于這種情況,IGBT的總的輸入電容為CG||CG’。門極充電要達到門極驅動的閾值電壓需要更多的電荷(如圖3)。

14193180573768.jpg

圖3:G-E間增加電容

因為G-E間增加電容,驅動電源功耗會增加,相同的門極驅動電阻情況下IGBT的開關損耗也會增加。

采用負電源以提高門限電壓

采用門極負電壓來安全關斷,特別是IGBT模塊在100A以上的應用中,是很典型的運用。在IGBT模塊100A以下的應用中,處于成本原因考慮,負門極電壓驅動很少被采用。典型的負電源電壓電路如圖4。

14193181263768.jpg

圖4:負電源電壓

增加負電源供電增加設計復雜度,同時也增大設計尺寸。

有源米勒鉗位解決方案

為了避免RG優化問題、CG的損耗和效率、負電源供電增加成本等問題,另一種通過門極G與射極E短路的方法被采用來抑制因為寄生米勒電容導致的意想不到的開通。這種方法可以在門極G與射極E之間增加三級管來實現,在VGE電壓達到某個值時,門極G與射極E的短路開關(三級管)將觸發工作。這樣流經米勒電容的電流將通過三極管旁路而不至于流向驅動器引腳VOUT。這種技術就叫有源米勒鉗位技術(如圖5)。

14193181813768.jpg

圖5:有源米勒鉗位采用外加三極管

增加三級管將增加驅動電路的復雜度。

結論

以上闡述的四種技術的對比如下表1

在最近幾年時間里,高度集成的門極驅動器已經包含有源米勒鉗位解決方案并帶有飽和壓降保護、欠電壓保護,有如AVAGO技術的ACPL-331J和ACPL-332J,對產品設計者和工業/消費生產商來說,這將降低設計的復雜度和產品尺寸。

責任編輯:

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 電容
    +關注

    關注

    100

    文章

    6136

    瀏覽量

    152374
  • IGBT
    +關注

    關注

    1273

    文章

    3901

    瀏覽量

    252144
收藏 4人收藏
  • jf_892234541

評論

相關推薦

MOS管的米勒效應解析

  在說MOS管的米勒效應之前我們先看下示波器測量的這個波形。
發表于 02-03 15:35 ?4409次閱讀
MOS管的<b class='flag-5'>米勒</b><b class='flag-5'>效應</b>解析

MOS管的米勒效應:如何減小米勒平臺

從多個維度分析了米勒效應,針對Cgd的影響也做了定量的推導,今天我們再和大家一起,結合米勒效應的仿真,探討下如何減小米勒平臺。
發表于 02-14 09:25 ?1.3w次閱讀

詳解IGBT的米勒電路

當出現短路時IGBT的Vce快速上升,過高的dVce/dt會通過米勒電容給IGBT門極充電,若不進行保護會使得門極電壓過高而損壞IGBT,門極電路主要是在門極電壓過高時起動保護電路動作,提供電流瀉放通道抑制門極電壓升高。
發表于 02-23 14:45 ?1.1w次閱讀
詳解IGBT的<b class='flag-5'>米勒</b><b class='flag-5'>鉗</b><b class='flag-5'>位</b>電路

說說MOSFET中的米勒效應

本文主要介紹了米勒效應的由來,并詳細分析了MOSFET開關過程米勒效應的影響,幫助定性理解米勒平臺的形成機制。最后給出了場
發表于 05-16 09:47 ?2758次閱讀
說說MOSFET中的<b class='flag-5'>米勒</b><b class='flag-5'>效應</b>

為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒

各位小伙伴,不久前我們推送了“SiC科普小課堂”視頻課——《什么是米勒?為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒
的頭像 發表于 12-19 11:39 ?1489次閱讀
為什么碳化硅MOSFET特別需要<b class='flag-5'>米勒</b><b class='flag-5'>鉗</b><b class='flag-5'>位</b>

米勒效應的本質是什么?

效應管和IGBT的驅動經常聽到米勒效應這個詞,查閱了一些資料是柵極和漏極之間的等效電容,這個等效電容在場效應管或者IGBT開通的時候在某一階段會放大較多倍,進而導致驅動電路需要提供的
發表于 01-11 16:47

什么是米勒?為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒

《什么是米勒?為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒?》后反響熱烈,很多朋友留言詢問課件資
發表于 01-04 12:30

米勒效應問題

【不懂就問】看到TI的一個三相逆變器設計資料中,關于有源米勒的設計這是一段原話“開關IGBT過程中,位移電流流經IGBT的GE極電容,使其柵極電壓上升,可能讓器件誤導通原因是,當逆
發表于 12-21 09:01

揭秘MOS管開關時米勒效應的詳情

開始上升,此時MOS管進入飽和區;但由于米勒效應,Vgs會持續一段時間不再上升,此時ld已經達到最大,而Vds還在繼續下降,直到米勒電容充滿電,Vgs又上升到驅動電壓的值,此時MOS管進入電阻區,此時
發表于 12-19 13:55

詳解米勒平臺的米勒效應和形成原理

在描述米勒平臺(miller plateau)之前,首先來看看“罪魁禍首”米勒效應(miller effect) 。
的頭像 發表于 02-02 17:08 ?6.7w次閱讀
詳解<b class='flag-5'>米勒</b>平臺的<b class='flag-5'>米勒</b><b class='flag-5'>效應</b>和形成原理

如何使用有源米勒電路來減輕寄生效應

使用IGBT時,面臨的常見問題之一是由于米勒電容器而導致的寄生導通。在0至+15 V型柵極驅動器(單電源驅動器)中,這種影響是明顯的。
的頭像 發表于 05-17 07:31 ?8248次閱讀
如何使用<b class='flag-5'>有源</b><b class='flag-5'>米勒</b><b class='flag-5'>鉗</b><b class='flag-5'>位</b>電路來減輕寄生<b class='flag-5'>效應</b>

有源米勒技術

有源米勒技術
發表于 11-15 20:06 ?6次下載
<b class='flag-5'>有源</b><b class='flag-5'>米勒</b><b class='flag-5'>鉗</b><b class='flag-5'>位</b><b class='flag-5'>技術</b>

IGBT應用技術有源詳解

??關于IGBT的有源技術,也有稱Vce,VceClamp,區別于
發表于 02-22 14:04 ?14次下載
IGBT應用<b class='flag-5'>技術</b>之<b class='flag-5'>有源</b><b class='flag-5'>鉗</b><b class='flag-5'>位</b>詳解

IGBT中米勒效應的影響和處理方法

之前我們在介紹MOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應的概念,在IGBT的導通過程分析的文章中我們也簡單提到過米勒平臺
發表于 05-25 17:24 ?9294次閱讀
IGBT中<b class='flag-5'>米勒</b><b class='flag-5'>效應</b>的影響和處理方法

米勒電容效應怎么解決?

米勒電容效應怎么解決?? 米勒電容效應是指在一個帶有放大器的電路中,負載電容會產生一種反饋效應,使得整個電路的增益降低或者不穩定。這種
的頭像 發表于 09-18 09:15 ?3537次閱讀
主站蜘蛛池模板: 免费国产在线观看 | 美女脱得只剩皮肤 | 国产人A片777777久久 | 伊人角狠狠狠狠 | 色色噜一噜 | 99精品在线看| 97视频在线观看视频最新 | 中文无码不卡的岛国片国产片 | 香蕉精品国产高清自在自线 | 校花被扒衣吸乳羞羞漫画 | 精品一区二区三区免费毛片 | 欧美视频毛片在线播放 | 免费看b站| 热久久国产欧美一区二区精品 | 曰本少妇高潮久久久久久 | 精品一区二区三区AV天堂 | 小玲被公扒开腿 | seyeye在清在线 | 老阿姨儿子一二三区 | 久久视频这里只精品99热在线观看 | 午夜男女爽爽羞羞影院在线观看 | 高h 纯肉文 | 久久精品一卡二卡三卡四卡视频版 | 中文人妻熟妇精品乱又伧 | 久久国产香蕉 | 亲胸揉胸膜下刺激视频在线观看 | 亚洲天堂视频网站 | 国产精彩视频在线 | 中国老妇xxxhd | 一本色道久久综合亚洲精品加 | 精品无码国产自产在线观看水浒传 | WWW国产亚洲精品久久久日本 | 高h超辣bl文 | 狠狠色狠狠色狠狠五月ady | 亚洲综合久久一本伊伊区 | 亚洲 欧美 日韩 卡通 另类 | 午夜福利视频极品国产83 | 动态抽插图视频 | 伊人久久99热这里只有精品 | 亚洲精品久久久久一区二区三 | 97在线精品视频 |

電子發燒友

中國電子工程師最喜歡的網站

  • 2931785位工程師會員交流學習
  • 獲取您個性化的科技前沿技術信息
  • 參加活動獲取豐厚的禮品