如何使用有源米勒鉗位電路來減輕寄生效應
本應用筆記介紹了由于米勒電容器引起的寄生導通效應，以及如何使用有源米勒鉗位電路來減輕寄生效應。在操作IGBT時面臨的常見問題之一是由于米勒電容器而導致的寄生導通。在0至+15 V型柵極驅動器（單電源驅動器）中，這種影響是明顯的。
介紹
使用IGBT時，面臨的常見問題之一是由于米勒電容器而導致的寄生導通。在0至+15 V型柵極驅動器（單電源驅動器）中，這種影響是明顯的。由于這種柵極-集電極耦合，在IGBT關斷期間產生的高dV / dt瞬變會引起寄生導通（門極電壓尖峰），這有潛在的危險（圖1）。
通過米勒電容器的寄生導通：
當以半橋方式導通上部IGBT S1時，下部IGBT S2兩端會發生電壓變化dVCE / dt。電流流過S1的寄生米勒電容器CCG，柵極電阻RGATE和內部柵極電阻RDRIVER。圖1顯示了流過電容器的電流。該當前值可以通過以下公式來近似：
該電流在柵極電阻兩端產生電壓降。如果該電壓超過IGBT柵極閾值電壓，則會發生寄生導通。應該注意的是，IGBT芯片溫度升高會導致柵極閾值電壓略有降低。
編輯：hfy
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
電容器
+關注
關注
64文章
6237瀏覽量
99865 -
IGBT
+關注
關注
1267文章
3808瀏覽量
249349 -
柵極驅動器
+關注
關注
8文章
747瀏覽量
39014
發布評論請先 登錄
相關推薦
如何減輕米勒電容所引起的寄生導通效應
當IGBT在開關時普遍會遇到的一個問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺。米勒效應在單電源門極驅動的應用中影響是很明顯的。基于門極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關斷期間會產生一個很高
發表于 01-14 17:10
?8340次閱讀
通過仿真了解和緩解電機驅動板寄生效應
本文探討了如何使用 PSpice for TI 來仿真電機驅動設計中寄生效應的潛在原因，并提供設計技巧來減輕大功率電機驅動系統中常見的負面影響。 大功率系統設計中最令人沮喪的部分之一是
為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位
各位小伙伴，不久前我們推送了“SiC科普小課堂”視頻課——《什么是米勒鉗位？為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗
米勒效應問題
【不懂就問】看到TI的一個三相逆變器設計資料中，關于有源米勒鉗位的設計這是一段原話“開關IGBT過程中，位移電流流經IGBT的GE極電容，使其柵極電壓上升，可能讓器件誤導通原因是，當逆
發表于 12-21 09:01
【高速PCB布線指南（2）】寄生效應
學習進步。寄生效應所謂寄生效應就是那些溜進你的PCB并在電路中大施破壞、令人頭痛、原因不明的小故障。它們就是滲入高速電路中隱藏的寄生電容和
發表于 10-19 13:46
利用有源米勒鉗位技術有效緩解緩米勒效應
當IGBT在開關時普遍會遇到的一個問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺。米勒效應在單電源門極驅動的應用中影響是很明顯的。基于門極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關斷期間會產生一個很高
工商網監
評論