日前根據(jù)媒體報道，臺積電為了趕進度、要求建造商加班趕工，在春節(jié)期間支付額外的獎金，用于激勵3nm新建工程的建設(shè)。據(jù)了解，這是由于臺積電有3nm進入量產(chǎn)時，月產(chǎn)12英寸晶圓超60萬片的目標(biāo)。

此外，臺積電還計劃在美國建設(shè)工廠。同時臺積電更是透露出，準(zhǔn)備在日本設(shè)立全資子公司的計劃，并為此斥資1.86億美元。

由此可見，臺積電正在想方設(shè)法提升產(chǎn)能，以應(yīng)對接下來全球范圍內(nèi)愈發(fā)嚴(yán)重的晶圓緊缺狀況。值得一提的是，在臺積電努力擴大產(chǎn)能、提升自身實力的同時，一位臺積電的老對手也沒有閑著。

美國得克薩斯州官方文件顯示，韓國科技巨頭——三星電子，正在考慮將晶圓工廠建在奧斯汀市。

此外，該文件還顯示，三星電子此次在美國建設(shè)的工廠，總投入約為170億美元，并將為當(dāng)?shù)貏?chuàng)造1800個工作崗位。

而在2020年，臺積電在美國亞利桑那州建設(shè)的晶圓廠，總投資為120億美元。這座新工廠計劃在2024年實現(xiàn)量產(chǎn)。

而三星在美國建設(shè)的新晶圓廠，投入比臺積電美國工廠多了50億美元。據(jù)文件透露，三星電子的美國工廠計劃2021年第二季度破土動工，預(yù)計2023年第三季度就能投入運營。

顯然，同為世界級巨頭的三星，并不甘心屈居臺積電之后，做一個“萬年老二”。

自2020年以來，三星電子就一直在實施趕超臺積電的計劃。公司先是官宣3nm工藝將于2022年實現(xiàn)量產(chǎn)，在工藝研發(fā)進度上追平臺積電；然后又追隨臺積電的步伐，盡可能提升產(chǎn)能。

據(jù)筆者了解，為了追上臺積電，三星甚至曾“威脅”ASML，要求后者必須向三星電子供應(yīng)一定數(shù)量的EUV光刻機。

眾所周知，隨著芯片制程的萎縮，晶圓代工廠需要的高端光刻機數(shù)量也越來越多。但荷蘭巨頭ASML的年產(chǎn)能有限，這就導(dǎo)致臺積電和三星勢必要斥巨資爭奪稀有的EUV光刻機。

相比之下，計劃在3nm工藝上使用GAA新技術(shù)的三星電子，更需要數(shù)量充足的EUV光刻機。

但就目前來看，臺積電方面獲得的EUV光刻機數(shù)量更多。而且，臺積電在3nm工藝上，依舊保守采用FinFET工藝。

在你看來，三星能否成功在2022的時間節(jié)點上超越臺積電？
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