2021年1月21日,英諾賽科科技有限公司和ASML公司達(dá)成批量購買高產(chǎn)能i-line和KrF光刻機(jī)的協(xié)議,用于制造先進(jìn)的硅基氮化鎵功率器件。
全球領(lǐng)先的硅基氮化鎵集成器件制造商英諾賽科科技有限公司和光刻機(jī)制造廠商ASML近期達(dá)成批量購買高產(chǎn)能i-line和KrF光刻機(jī)的合作協(xié)議。ASML是全球芯片制造設(shè)備領(lǐng)導(dǎo)廠商,其生產(chǎn)的XT400和XT860 的i-line和KrF經(jīng)過升級(jí),能夠在硅基晶圓上制造氮化鎵功率器件。 憑借其獨(dú)特的TWINSCAN(雙工件臺(tái))架構(gòu),ASML的i-line和KrF光刻機(jī)能提供最卓越的性能、市場(chǎng)上最高的生產(chǎn)效率以及最低的成本。雙工件臺(tái)技術(shù)架構(gòu)已經(jīng)成為全球300mm和200mm晶圓量產(chǎn)生產(chǎn)線中的先進(jìn)光刻技術(shù)代表 。英諾賽科將在今年第二季度搬入首批光刻機(jī),這是第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域首次量產(chǎn)應(yīng)用先進(jìn)的ASML TWINSCAN(雙工件臺(tái))光刻技術(shù),這一實(shí)施標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體制造技術(shù)正式進(jìn)入了一個(gè)全新的紀(jì)元。英諾賽科科技有限公司成立于2015年12月,是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵芯片制造的企業(yè)。公司成功建成投產(chǎn)全球首條200mm硅基氮化鎵晶圓與功率器件量產(chǎn)生產(chǎn)線,主要產(chǎn)品包括200mm硅基氮化鎵晶圓及30V-650V氮化鎵功率器件。英諾賽科產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與性能均達(dá)到國(guó)際最先進(jìn)水平,并已廣泛應(yīng)用于PD快充、立體(3D)相機(jī)、移動(dòng)電子設(shè)備(包括智能手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦)等領(lǐng)域。 英諾賽科致力于打造世界一流品牌,并為全球?qū)捊麕О雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出貢獻(xiàn)。
功率器件和電路可以通過高開關(guān)頻率和高功率密度來實(shí)現(xiàn)高效的能源管理, 這些功能可以廣泛用于快速增長(zhǎng)的新興市場(chǎng)如數(shù)據(jù)中心、可再生能源和下一代無線通訊網(wǎng)絡(luò)等。除較小的外形尺寸外,由于其高頻率、高功率密度等特性,硅基氮化鎵還是快速充電,直流電網(wǎng),新能源汽車等市場(chǎng)理想選擇。“第三代半導(dǎo)體”材料包括氮化鎵(GaN) 、碳化硅(SiC)、氮化鋁(AlN)、金剛石和氧化鋅(ZnO),而氮化鎵(GaN)是“第三代半導(dǎo)體”材料的典型代表,具有廣闊的市場(chǎng)應(yīng)用前景。
2021年1月21日在珠海舉行的簽約儀式上,英諾賽科CEO 孫在亨先生 說:“我非常榮幸的宣布英諾賽科與ASML達(dá)成合作協(xié)議,我們將在一起努力用氮化鎵技術(shù)改變未來。作為一家致力于推動(dòng)第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新革命的企業(yè),我們需要與像ASML這樣全球半導(dǎo)體領(lǐng)軍的企業(yè)合作,采用更加先進(jìn)的制造工藝,實(shí)現(xiàn)更加高的性能、良率和產(chǎn)出,在快速成長(zhǎng)的各種應(yīng)用領(lǐng)域(例如快充、TOF相機(jī)(Time-of-Flight Camera) 、智能手機(jī)、電動(dòng)車、數(shù)據(jù)中心等)共同推出最先進(jìn)的解決方案以及下個(gè)世代的氮化鎵器件,為我們的客戶、伙伴和消費(fèi)者創(chuàng)造更有價(jià)值的產(chǎn)品和服務(wù)。第三代半導(dǎo)體是一次產(chǎn)業(yè)革命性的升級(jí),變革從不簡(jiǎn)單,它需要我們攜手共進(jìn),攜手共進(jìn)我們將實(shí)現(xiàn)合作共贏。
ASML全球副總裁,中國(guó)區(qū)總裁沈波表示:“我們很高興成為英諾賽科的合作伙伴,第三代半導(dǎo)體在全球市場(chǎng)有廣闊的應(yīng)用前景,阿斯麥會(huì)全力提供光刻解決方案和服務(wù),支持英諾賽科在這一領(lǐng)域的發(fā)展。”
“我們應(yīng)用在200mm晶圓生產(chǎn)線上的 XT平臺(tái),包括i-line、KrF和干式ArF等光刻機(jī),是快速增長(zhǎng)的硅基氮化鎵市場(chǎng)的理想長(zhǎng)期解決方案,不僅在生產(chǎn)率和成本方面是這樣, 隨著氮化鎵(GaN)材料在新領(lǐng)域的應(yīng)用,套準(zhǔn)精度和成像要求也會(huì)隨著時(shí)間的推移而擴(kuò)展。” ASML 深紫外光刻業(yè)務(wù)產(chǎn)品營(yíng)銷和業(yè)務(wù)開發(fā)高級(jí)總監(jiān)Toni Mesquida Kuesters說: “我們致力于幫助英諾賽科實(shí)現(xiàn)其預(yù)期目標(biāo),并期待卓有成效的合作。”
責(zé)任編輯:tzh
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
456文章
51121瀏覽量
426093 -
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
334文章
27652瀏覽量
221290 -
晶圓
+關(guān)注
關(guān)注
52文章
4963瀏覽量
128195 -
光刻機(jī)
+關(guān)注
關(guān)注
31文章
1156瀏覽量
47516
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
評(píng)論