最近看到《世界是平的》作者托馬斯·洛倫·弗里德曼一個(gè)視頻，在這個(gè)視頻中，他對(duì)中美芯片領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)未來(lái)做了分析，指出美國(guó)的打壓只能會(huì)逼迫中國(guó)建立完整的芯片產(chǎn)業(yè)鏈，后果也許就是5年后，美國(guó)只能賣(mài)大豆給中國(guó)了！what？

美國(guó)的打壓把自己打的從高科技領(lǐng)先變成農(nóng)副產(chǎn)品出口國(guó)？

弗里德曼的擔(dān)憂(yōu)不是沒(méi)有道理，高盛就曾在今年7月發(fā)表一個(gè)報(bào)告稱(chēng)中芯國(guó)際會(huì)在2024年推出5nm工藝。高盛認(rèn)為中芯國(guó)際2022年可升級(jí)到7nm工藝，2024年下半年升級(jí)到5nm工藝，2025年毛利率將提升到30%以上。

近期中芯國(guó)際的財(cái)報(bào)也基本印證了高盛的判斷，11月11日，中芯國(guó)際公布2020年第三季度財(cái)報(bào)，財(cái)報(bào)顯示，公司在第三季度的三個(gè)月時(shí)間里，銷(xiāo)售額達(dá)到10.825億美元（折合人民幣約71億），創(chuàng)下歷史新高。中芯國(guó)際中國(guó)市場(chǎng)的營(yíng)收占比高達(dá)69.7%、28nm工藝和14nm工藝的營(yíng)收占比上漲至14.6%。 另外據(jù)媒體消息，首個(gè)基于中芯國(guó)際FinFET N+1先進(jìn)工藝的芯片流片和測(cè)試已經(jīng)完成。FinFET N+1技術(shù)是中芯國(guó)際一直在研發(fā)的項(xiàng)目，這一技術(shù)可以在不需要EUV光刻機(jī)的情況下，實(shí)現(xiàn)類(lèi)7nm工藝的突破。中芯國(guó)際高管梁孟松曾透露，該公司的FinFET N+1先進(jìn)工藝在穩(wěn)定性和功率上完全可以比肩7nm工藝。此外，F(xiàn)inFET N+1先進(jìn)工藝芯片的所有IP均為國(guó)產(chǎn)，而且功能一次性測(cè)試通過(guò)，這對(duì)于現(xiàn)階段無(wú)法買(mǎi)到EUV光刻機(jī)的中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言具有重要意義。

隨著中國(guó)加大修補(bǔ)芯片制造產(chǎn)業(yè)鏈，我注意到一個(gè)有趣的現(xiàn)象：此前在給中國(guó)供貨光刻機(jī)的ASML的態(tài)度發(fā)生了很大變化，10月14日，ASML首席財(cái)務(wù)官達(dá)森（Roger Dassen）在發(fā)布三季報(bào)時(shí)作出回應(yīng)，“一般而言，從荷蘭向這些客戶(hù)運(yùn)送DUV光刻機(jī)系統(tǒng)不需要向美國(guó)申請(qǐng)出口許可。而涉及直接從美國(guó)運(yùn)往這些客戶(hù)的系統(tǒng)或者零件，則需要獲得出口許可”。顯然他的話是針對(duì)兩周前美國(guó)對(duì)中芯國(guó)際采取進(jìn)一步出口管制而說(shuō)的，這意味著在光刻機(jī)方面，未來(lái)不會(huì)受到美國(guó)的阻攔了。 稍早前，基于對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的分析，我寫(xiě)了《兩年之內(nèi)，中國(guó)將實(shí)現(xiàn)28nm芯片自主制造！》，現(xiàn)在，我可以進(jìn)一步判斷：3年后，我們將實(shí)現(xiàn)7n芯片自主制造！屆時(shí)，也許我們可以看到中國(guó)自己制造的一大票高端芯片！也許有人說(shuō)3年后，臺(tái)積電都1nm了，7nm還有用嗎？當(dāng)然有用！很多通信芯片、工業(yè)芯片、服務(wù)器芯片、安防類(lèi)的芯片、汽車(chē)類(lèi)芯片用7nm足夠了，現(xiàn)在廣泛使用的MCU ，有的還在用0.13um工藝。

因?yàn)椋谝恍└呒?jí)工藝關(guān)鍵領(lǐng)域，本土產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)獲得突破。1、中微半導(dǎo)體的5nm等離子體刻蝕機(jī)已經(jīng)獲得臺(tái)積電的采購(gòu)

這說(shuō)明在蝕刻領(lǐng)域本土公司已經(jīng)進(jìn)入世界前列，3年后，也許中微可以生產(chǎn)3nm甚至更高工藝的蝕刻機(jī)了。而且中微半導(dǎo)體是唯一進(jìn)入臺(tái)積電7nm制程蝕刻設(shè)備的大陸本土設(shè)備商。據(jù)悉，中微半導(dǎo)體與臺(tái)積電在28nm制程時(shí)便已開(kāi)始合作，并一直延續(xù)到10nm和7nm制程。

2、在光刻機(jī)領(lǐng)域上海微電也有潛力做到7nm，近日，有媒體報(bào)道上海微電子裝備（集團(tuán)）股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)SMEE）披露，將在2021-2022年交付第一臺(tái)28nm工藝的國(guó)產(chǎn)沉浸式光刻機(jī)。國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)將從此前的90nm工藝一舉突破到28nm工藝！ 有人說(shuō)這個(gè)28nm不是跟7nm還差很遠(yuǎn)嗎？ 不知道大家看到這個(gè)報(bào)道沒(méi)有？在第三屆進(jìn)博會(huì)上，光刻機(jī)巨頭ASML也參展了，并且還在自己的展臺(tái)上曬出展示了DUV光刻機(jī)。

而此次展示的DUV光刻機(jī)可生產(chǎn)7nm及以上制程芯片--業(yè)內(nèi)專(zhuān)家告訴我通過(guò)多次曝光技術(shù)，是可以通過(guò)DUV實(shí)現(xiàn)7nm制程的，所以有了28nm， 7nm也會(huì)很快突破！3、中國(guó)濺射靶材等材料已經(jīng)滿(mǎn)足5nm芯片使用在上次的文章中，我們可以了解到，在IC制造中，當(dāng)把電路圖刻到了晶圓上，做了各種清洗，注入了離子，有了開(kāi)關(guān)特性，但是還要把芯片上的電子元件連接起來(lái)才行，就像你把所有的元件都擺放好了，然后你要用導(dǎo)線把他們相互連接起來(lái)，這就需要用到濺射。濺射主要是制備薄膜材料，是物理氣相沉積（PVD）技術(shù)的一種。濺射是用離子轟擊靶材，然后靶材上的原子被轟出來(lái)，最后掉在單晶硅的基板上，然后形成特定功能的金屬層，從而形成導(dǎo)電層或者阻擋層等，這就是金屬化。 靶材雖然在整個(gè)芯片生產(chǎn)環(huán)節(jié)使用量不如硅片、電子特氣等，在整個(gè)芯片生產(chǎn)材料中占比僅2.6%，但卻是芯片生產(chǎn)過(guò)程中必不可少的材料。目前，國(guó)內(nèi)靶材公司江豐電子已經(jīng)進(jìn)入臺(tái)積電、中芯國(guó)際、日本三菱等國(guó)際一流晶圓加工企業(yè)產(chǎn)品鏈，目前，江豐電子的超高純金屬濺射靶材在7納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)批量供貨，5nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)靶材樣品正在客戶(hù)端驗(yàn)證中。4、光刻膠也獲得突破了

11月12日，媒體報(bào)道寧波南大光電材料有限公司的首條ArF光刻膠生產(chǎn)線已正式投產(chǎn)。據(jù)報(bào)道，按照計(jì)劃，該項(xiàng)目總投資6億元，項(xiàng)目完全達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)約10億元的年銷(xiāo)售額，年利稅預(yù)計(jì)約2億元。目前，該公司研制出的ArF（193nm）光刻膠樣品正在供客戶(hù)測(cè)試，該光刻膠可以用于90nm~14nm工藝節(jié)點(diǎn)的集成電路制造。按照中國(guó)廠商的迭代速度，3年后，迭代到7nm不是特別大的挑戰(zhàn)。 當(dāng)然，要實(shí)現(xiàn)7nm自主制造，我們還有很多挑戰(zhàn)也需要解決，但是，只要是工程問(wèn)題，總有辦法能解決。

加速中國(guó)半導(dǎo)體自主產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)建，還有兩個(gè)最重要的有利因素：一個(gè)是市場(chǎng)，我們有全球最大的IC應(yīng)用市場(chǎng)，10月14日，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)常務(wù)副理事長(zhǎng)、中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院院長(zhǎng)張立在IC CHINA 2020在開(kāi)幕式上指出中國(guó)是全球最大和最重要的集成電路應(yīng)用市場(chǎng)。從市場(chǎng)規(guī)模來(lái)看，近10年中國(guó)集成電路市場(chǎng)規(guī)模年均增速達(dá)到10.3%。2019年中國(guó)消費(fèi)了全球約50%的集成電路產(chǎn)品，產(chǎn)業(yè)規(guī)模增長(zhǎng)率更是達(dá)到了25.1%，遠(yuǎn)高于全球同期的6.8%！另一個(gè)因素是資本！由于中國(guó)政府的引導(dǎo)和科創(chuàng)板推出，半導(dǎo)體投資在中國(guó)形成完整閉環(huán)，大量資金和公司涌入半導(dǎo)體領(lǐng)域！

據(jù)云岫資本不完全統(tǒng)計(jì)，2020年前7個(gè)月，半導(dǎo)體股權(quán)投資案例達(dá)128起，投資總金額超過(guò)600億元人民幣，已超過(guò)去年全年投資額的兩倍；預(yù)計(jì)年底將超過(guò)1000億元，達(dá)去年全年總額的3倍！另外截至2020年9月1日，今年全國(guó)已有9335家企業(yè)變更經(jīng)營(yíng)范圍，加入半導(dǎo)體、集成電路相關(guān)業(yè)務(wù)，這一數(shù)字比去年同期增加了1.2倍！大量資本和企業(yè)的涌入雖然造成了一定的泡沫，但是可以讓中國(guó)半導(dǎo)體構(gòu)建的更完整，也加速了成熟！ 2015年，中國(guó)國(guó)務(wù)院頒布了實(shí)施制造強(qiáng)國(guó)戰(zhàn)略第一個(gè)十年的行動(dòng)綱領(lǐng)《中國(guó)制造2025》，該計(jì)劃指出，中國(guó)力求于2020年實(shí)現(xiàn)40%的核心基礎(chǔ)零部件和關(guān)鍵基礎(chǔ)材料能夠自主保障，到2025年提升到70%的核心基礎(chǔ)零部件和關(guān)鍵基礎(chǔ)材料能夠自主保障。這也是讓歐美很恐慌的一個(gè)計(jì)劃 ，美國(guó)對(duì)中國(guó)的制裁很多源于中國(guó)將實(shí)現(xiàn)核心器件自主制造。 因此，美國(guó)刻意打壓中國(guó)的高科技企業(yè)，可是他沒(méi)有想到，這樣的打壓反而強(qiáng)化了中國(guó)自主制造的決心和意志，以目前的速度看，3年后，中國(guó)實(shí)現(xiàn)完全非美的7nm制造是完全有可能的！

原文標(biāo)題：當(dāng)3年后中國(guó)實(shí)現(xiàn)7nm自主造，美國(guó)只能給中國(guó)賣(mài)大豆了？

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