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ASML公布1nm光刻機(jī)路線,應(yīng)用材料有望重回霸主地位

21克888 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:周凱揚 ? 2020-12-02 08:14 ? 次閱讀

電子發(fā)燒友報道(文/周凱揚)對于半導(dǎo)體的生產(chǎn)與制造來說,設(shè)施設(shè)備同樣至關(guān)重要。設(shè)備決定了代工廠能否搶占更多的訂單份額,以及垂直整合制造企業(yè)的產(chǎn)品競爭力與技術(shù)紅利,能否彌補(bǔ)技術(shù)突破需要的巨大資金投入。

據(jù)VLSI Research之前的預(yù)計,全球半導(dǎo)體生產(chǎn)制造設(shè)備的市場將會在2020年達(dá)到848億美元,相較去年提升了10.1%。而在最新的預(yù)計報告中,VLSI Research指出這一市場將在今年達(dá)到898億美元,同比去年提升16.6%。據(jù)VLSI Research總裁提供的解釋,原本他們估計該市場在第四季度將放慢增長速度,與第三季度相比將出現(xiàn)8%的下滑,但事實并非如此,反而出現(xiàn)了2%的上升。這一提升主要出現(xiàn)在代工廠和存儲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上,其中韓國廠商重整旗鼓的趨勢明顯。

2019-2021年半導(dǎo)體市場預(yù)測 / VLSI Research


隨著年底半導(dǎo)體設(shè)備訂單活動居高不下,VISI Research預(yù)計2021年設(shè)備市場將繼續(xù)實現(xiàn)5.8%的增長,達(dá)到950億美元;而整個半導(dǎo)體市場在2020年實現(xiàn)了8.2%的增長,明年在維持這一勢頭,以7.5%的增長率達(dá)到4113億美元的市場總值。

四年一輪回的存儲市場

而近期半導(dǎo)體生產(chǎn)制造設(shè)備的一大增長因素就是存儲市場。目前存儲半導(dǎo)體的市場仍處于四年周期的狀態(tài),比如過去的15年里,DRAM市場分別在2006、2010、2014和2018年達(dá)到峰值,而NAND市場則在2007、2011、2015和2018年達(dá)到峰值。據(jù)ASML指出,DRAM市場在今年下半年有了強(qiáng)勁的增長,預(yù)計明年會有更多EUV光刻機(jī)用于DRAM,與此同時存儲市場仍將保持為DUV光刻機(jī)的主要收入來源之一。

三星在今年下半年加速了NAND的投入,這一趨勢或?qū)⒀永m(xù)到2021年上半年,再者就是它的DRAM和EUV代工業(yè)務(wù),預(yù)計也將在2021年迅猛增長。美光、SK海力士、西部數(shù)據(jù)和鎧俠今年相對保守,但2021至2022年也將擴(kuò)大資本輸出,盡管很可能會面臨設(shè)備供應(yīng)的短缺。Intel明年可能會相對風(fēng)平浪靜,而中國長江存儲在NAND市場的激進(jìn)增長將維持至2022年。據(jù)KeyBanc分析,存儲市場在2021年上半年可能會趨于穩(wěn)定,但在2022年之前依然將維持增勢。

EUV一家獨大的ASML

不少半導(dǎo)體公司都在今年規(guī)劃了產(chǎn)品路線圖,其中除了自身技術(shù)的突破以外,制程上帶來的性能效率提升時最簡單直觀的。因此獨占EUV設(shè)備的ASML自然成了各大半導(dǎo)體公司的不二之選,此外比利時微電子研究中心IMEC正與ASML通力合作,爭取延續(xù)摩爾定律。為了做到這一點,ASML的產(chǎn)品對策即高分辨率EUV光刻技術(shù),高NA EUV。

目前臺積電和三星的7nm節(jié)點采用的就是ASML已經(jīng)量產(chǎn)的EUV光刻系統(tǒng),NXE:3400C。該系統(tǒng)配有一個數(shù)值孔徑(NA)為0.33的透鏡,可以實現(xiàn)13nm的分辨率,然后通過提高頻率從而實現(xiàn)了5nm工藝。而ASML下一代EUV系統(tǒng)EXE:5000將配有一個0.55 NA的透鏡,實現(xiàn)8nm的分辨率,該系統(tǒng)基本設(shè)計已經(jīng)完成,預(yù)計2022年左右可以商用,從各大廠商的制程路線圖來看,很有可能用于2nm之后的超精密工藝。

光刻機(jī)路線圖 / ASML


今年IMEC在日本東京舉辦的技術(shù)論壇上,其CEO Luc Van den hove強(qiáng)調(diào)摩爾定律不會終止,在他們與ASML合建的高NA EUV實驗室內(nèi),他們在進(jìn)一步研究如何利用該技術(shù)實現(xiàn)1nm乃至更小的半導(dǎo)體工藝。會上他還給出了EUV光刻機(jī)的路線圖,隨著制程要求的提升,光刻機(jī)也需要用到更大更復(fù)雜的光學(xué)系統(tǒng),因此與現(xiàn)有NXE:3400C相比,下一代EXE:5000光刻機(jī)的體積將進(jìn)一步增大,高度可及無塵室的天花板。

半導(dǎo)體設(shè)備市場之爭

半導(dǎo)體的先進(jìn)節(jié)點開發(fā)成本高達(dá)數(shù)十億美元,而且需要的是資本密集的300mm晶圓廠,后者同樣需要耗費數(shù)十億美元。據(jù)預(yù)計,3nm節(jié)點的一塊芯片設(shè)計成本就達(dá)10億美元,而且制造工序多達(dá)上千道。但如果在單個設(shè)備或單個工藝步驟上出現(xiàn)問題,從而影響成品率,使得芯片無法達(dá)到規(guī)格要求的話,晶圓廠就很可能蒙受巨大的財務(wù)損失,因此半導(dǎo)體制造與生產(chǎn)設(shè)備往往需要經(jīng)過嚴(yán)厲的評估。

ASML作為唯一一家EUV光刻設(shè)備的提供商,為半導(dǎo)體的前段工序提供了極大的技術(shù)優(yōu)勢,也在2019年打破了由應(yīng)用材料公司近20年的統(tǒng)治地位。然而今年第一季度卻表現(xiàn)不佳,與上一季度相比銷量下滑了31%,這很有可能是因為應(yīng)用材料公司重新奪回了一些市場份額。

2020年與2019年相比前九個月的設(shè)備銷售額增長 / The Information Network


由The Information Network統(tǒng)計,應(yīng)用材料公司的市場份額從2019年的15.9%上漲至2020年的18.8%,而ASML的市場份額將從2019年的16.9%略降至今年的16.8%,因此今年從市場份額來看,應(yīng)用材料公司有望重返王座。

2019年半導(dǎo)體生產(chǎn)制造設(shè)備市場份額排名 / 電子發(fā)燒友網(wǎng)整理


盡管ASML在光刻機(jī)上占有絕對優(yōu)勢,但半導(dǎo)體的生產(chǎn)制造并非單獨取決于光刻機(jī),刻蝕、清洗和沉積等設(shè)備同樣是前段工藝中舉足輕重的環(huán)節(jié)。由上圖可知,這些半導(dǎo)體設(shè)備廠商多數(shù)是歐洲和日本廠商,而中國能在前三占據(jù)一席之地的只有中微半導(dǎo)體設(shè)備和北方華創(chuàng)。

中國市場對半導(dǎo)體設(shè)備廠商的影響

中國市場也是半導(dǎo)體設(shè)備的最大市場之一,在近期傳出美國計劃將中芯國際加入MEU清單的消息后,總部位于美國半導(dǎo)體設(shè)備廠商應(yīng)用材料、Lam Research和KLA的股價紛紛出現(xiàn)了一定幅度的下跌。

中芯國際本就已經(jīng)面臨美國商務(wù)部的巨大壓力,雖然在這幾家公司去年的收入占比中不到10%,但也對他們造成了一定的影響。早在今年3月,中芯國際就向應(yīng)用材料和東京電子購買了近1億美元的半導(dǎo)體設(shè)備。

不單是中芯國際,中國市場占據(jù)了2019年應(yīng)用材料29%的收入、Lam Research 31%的收入以及KLA 25%的收入。不僅是美國半導(dǎo)體設(shè)備廠商,歐洲與日本廠商同樣如此。雖然無法給特定廠商供應(yīng)光刻機(jī),但國內(nèi)市場占了ASML今年第三季度收入的21%,并預(yù)計今年在國內(nèi)的總銷售額將達(dá)到10億歐元。從東京電子這一財年的報告中也可以看出,在新財年過去的兩個季度中,大陸市場的份額首次領(lǐng)先,分別占據(jù)了22%和24%。

小結(jié)

從短期來看,不少公司為了推進(jìn)自身產(chǎn)品的路線圖,都直接選擇了更高端的制程工藝,因此也帶動了半導(dǎo)體生產(chǎn)制造設(shè)備的銷量激增。但購置設(shè)備、生產(chǎn)運輸加上部署產(chǎn)線都需要一定時間,不少代工廠都達(dá)到了產(chǎn)量的瓶頸,更高制程產(chǎn)品的缺貨情況也開始顯現(xiàn)出來。

所以哪怕半導(dǎo)體設(shè)備依然在穩(wěn)定出貨,終端產(chǎn)品供不應(yīng)求的情況很可能持續(xù)至明年整個上半年。中國半導(dǎo)體設(shè)備廠商雖然在供應(yīng)方面也沒有出現(xiàn)問題,與全球頂尖的設(shè)備廠商相比在國內(nèi)外的市占比上仍有不小差距。但借助刮起的半導(dǎo)體熱潮,國內(nèi)廠商或許可以借助加大的資本投入,先從存儲半導(dǎo)體等漲勢明顯的領(lǐng)域找到轉(zhuǎn)機(jī)。

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