作者 |MARK LAPEDUS & ANN STEFFORA MUTSCHLER

至少在半導(dǎo)體行業(yè)

很多時(shí)候Less is notmore

而More is More才是真諦

不過(guò)美國(guó)芯片制造業(yè)是否可重登寶座

隨著貿(mào)易緊張局勢(shì)的升級(jí)以及對(duì)國(guó)家安全問(wèn)題關(guān)切的持續(xù)增長(zhǎng)，美國(guó)正在制定新的戰(zhàn)略，以防止其在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域進(jìn)一步落后于韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)甚至中國(guó)大陸。

多年來(lái)，美國(guó)一直是 GPU 和微處理器等新芯片產(chǎn)品開(kāi)發(fā)上的領(lǐng)頭羊。但是，從芯片制造的角度來(lái)看，美國(guó)正在兩個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域失去優(yōu)勢(shì)。

首先，以英特爾為首的美國(guó)芯片代工廠商在工藝技術(shù)方面落后于其亞洲競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電和三星，甚至中國(guó)大陸地區(qū)的芯片制造商也在不斷拉近距離。其次，美國(guó)的新晶圓廠開(kāi)工數(shù)量和產(chǎn)能都在急劇下降。

這是一個(gè)涉及到多個(gè)方面的復(fù)雜問(wèn)題。例如，美國(guó)本來(lái)就已經(jīng)在工藝技術(shù)上落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手了，現(xiàn)在，其領(lǐng)頭羊英特爾又推遲了其最新工藝的發(fā)布，導(dǎo)致它進(jìn)一步落后于臺(tái)積電和三星。

不僅是工藝水平的落后，芯片制造商在美國(guó)建造新晶圓廠的速度也低于其亞洲競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）和波士頓咨詢集團(tuán)（BCG）的數(shù)據(jù)，美國(guó)在全球晶圓廠產(chǎn)能中的份額已從 1990 年的 37％下降到 2020 年的 12％。在同一時(shí)期，亞洲的新晶圓廠發(fā)展迅速，目前已占到全球產(chǎn)能的 80％。

特別是中國(guó)，其半導(dǎo)體發(fā)展計(jì)劃非常雄心勃勃。在 1500 億美元的資金支持下，中國(guó)正在發(fā)展其國(guó)內(nèi) IC 產(chǎn)業(yè)，并計(jì)劃在本土制造更多自己的芯片。更糟的是，包括中國(guó)、香港和臺(tái)灣在內(nèi)的大中華區(qū)是一個(gè)地緣政治熱點(diǎn)，中美貿(mào)易戰(zhàn)加劇了當(dāng)今所有領(lǐng)先工藝技術(shù)所處地區(qū)的緊張局勢(shì)。任何變故都將對(duì)美國(guó)獲得領(lǐng)先的工藝技術(shù)產(chǎn)生重大影響。

全球半導(dǎo)體制造產(chǎn)能份額

美國(guó)的政策制定者意識(shí)到，有必要在國(guó)內(nèi)建造更多的芯片制造廠，但是，這個(gè)工作的代價(jià)非常高昂。要建設(shè)一家先進(jìn)工藝的晶圓廠，投資規(guī)模在 100 億至 200 億美元之間，而且無(wú)法保證投資就能產(chǎn)生回報(bào)。另一方面，盡管芯片制造至關(guān)重要，但是，制造本身只是芯片競(jìng)爭(zhēng)大局中的一小部分。總部位于美國(guó)的公司在芯片設(shè)計(jì)、特殊工藝、EDA 工具和晶圓廠設(shè)備方面仍然處于領(lǐng)先地位。

盡管如此，美國(guó)政府依然在采取措施以增強(qiáng)美國(guó)在各個(gè)方面的競(jìng)爭(zhēng)力。其中包括：

國(guó)會(huì)提出了一項(xiàng)激勵(lì)在美國(guó)本土建造新晶圓廠的計(jì)劃；

美國(guó)希望建立一個(gè)芯片聯(lián)盟；

格羅方德和英特爾正在升級(jí)他們的工藝，臺(tái)積電則計(jì)劃在美國(guó)建立一個(gè)新的高端工藝晶圓廠。

英特爾已經(jīng)成立了一個(gè)新的商業(yè)實(shí)體，以開(kāi)發(fā)基于 chiplet 的設(shè)計(jì)。將芯片集成在高級(jí)封裝中的 chiplet 正在成為美國(guó)在芯片行業(yè)保持競(jìng)爭(zhēng)力的另一種方式。

More is More

美國(guó)計(jì)劃建更多晶圓代工廠

集成電路行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)一直非常激烈，不僅有多家公司在眾多不同的市場(chǎng)中競(jìng)爭(zhēng)，同時(shí)，國(guó)家之間也在幾個(gè)不同的技術(shù)領(lǐng)域存在競(jìng)爭(zhēng)。例如，在技術(shù)上，各個(gè)國(guó)家都在爭(zhēng)奪 5G、人工智能和量子計(jì)算的霸主地位。中國(guó)雄心勃勃的芯片發(fā)展規(guī)劃更是點(diǎn)燃了全球半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)的烈火。

圖源| The Verge

幾十年來(lái)，IC 行業(yè)的發(fā)展一直遵循摩爾定律，該定律指出，芯片中的晶體管密度每 18 到 24 個(gè)月就會(huì)翻一番。當(dāng)今的芯片在單個(gè)器件中集成了數(shù)十億個(gè)晶體管。“晶體管本質(zhì)上是一個(gè)開(kāi)關(guān)，” Lam Research 大學(xué)項(xiàng)目主管 Nerissa Draeger 在博客中解釋道。“場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用電場(chǎng)來(lái)控制通過(guò)溝道的電導(dǎo)率。”

因此，在過(guò)去的半個(gè)世紀(jì)中，芯片制造商一直遵循摩爾定律，這使他們能夠?qū)⒏喙δ芗傻絾蝹€(gè)芯片上。這推動(dòng)了手機(jī)、計(jì)算機(jī)和其他產(chǎn)品的發(fā)展。

但是，在半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的初期，芯片技術(shù)還很初級(jí)。1965 年，當(dāng)戈登·摩爾發(fā)表他標(biāo)志性的摩爾定律時(shí)，芯片是在 1.25 英寸（30mm）晶圓上生產(chǎn)的。當(dāng)時(shí)，建造一家晶圓廠的成本為 100 萬(wàn)美元。

在隨后的幾十年中，大多數(shù)芯片廠商都在自家的制造工廠中制造芯片，而且，隨著時(shí)間的推移，它們也轉(zhuǎn)向了更大的晶圓尺寸。通過(guò)轉(zhuǎn)向更大的晶圓尺寸，每片晶圓上生產(chǎn)的芯片數(shù)量提升了 2.2 倍，從而可以幫助降低制造成本。但是，更大的晶圓也意味著需要更大的晶圓廠和更昂貴的設(shè)備。

隨著時(shí)間的流逝，半導(dǎo)體需求激增，芯片制造和工藝成本也急劇上升。從 2000 年代開(kāi)始，芯片制造商從 200 毫米晶圓廠過(guò)渡到現(xiàn)代的 300 毫米晶圓廠。最初，建造一家 300 毫米晶圓廠的成本為 20 億美元，而 200 毫米晶圓廠的成本為 7 億至 13 億美元。

根據(jù) IBS 的數(shù)據(jù)，在 2001 年，有 18 家芯片公司擁有可以生產(chǎn) 130nm 芯片的晶圓廠，這在當(dāng)時(shí)是最先進(jìn)的工藝。

然后，突然之間，事情發(fā)生了變化。那時(shí)，亞洲和其他地區(qū)出現(xiàn)了幾家芯片代工廠，它們專門為外部客戶提供芯片制造服務(wù)。

代工模式是在 2000 年代開(kāi)始興起的。從那時(shí)起，無(wú)晶圓廠設(shè)計(jì)公司開(kāi)始委托代工廠生產(chǎn)芯片。SIA 和 BCG 的論文稱：“半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)看到了無(wú)晶圓廠模式的興起。”

在此期間，美國(guó)和其他地區(qū)的許多芯片制造商不再有能力開(kāi)發(fā)新的晶圓廠和工藝。作為回應(yīng)，一些芯片制造商選擇了 fab-lite 模式。在這種模式下，供應(yīng)商在自己的晶圓廠中生產(chǎn)一些芯片，同時(shí)將其他芯片外包給代工廠。有些公司則完全退出了晶圓廠業(yè)務(wù)。

臺(tái)灣是全球晶圓廠產(chǎn)能的領(lǐng)導(dǎo)者，到 2020 年將占有 22％的份額，其次是韓國(guó)（21％）、日本（15％）、中國(guó)大陸（15％）、美國(guó)（12％）和歐洲（根據(jù) SIA 和 BCG 的統(tǒng)計(jì)，歐洲的數(shù)字為 9％）。

不過(guò)，中國(guó)大陸是最值得關(guān)注的地區(qū)，它正在以補(bǔ)貼的形式向其國(guó)內(nèi)芯片設(shè)計(jì)和制造行業(yè)注資數(shù)十億美元。據(jù) SIA 和 BCG 稱，中國(guó)晶圓廠產(chǎn)能的份額將從 2000 年的 3％躍升至 2020 年的 15％，超過(guò)美國(guó)。

中國(guó)大陸現(xiàn)在的工藝依然落后，但它正在積極追趕。D2S 首席產(chǎn)品官 Leo Pang 說(shuō)：“中國(guó)正在建設(shè)中的新晶圓廠就多達(dá)十二個(gè)。然而，中國(guó)仍然面臨許多挑戰(zhàn)，包括半導(dǎo)體制造領(lǐng)域需要更多人才和知識(shí)產(chǎn)權(quán)，以及進(jìn)一步縮小與領(lǐng)先工藝技術(shù)之間的差距的需求。”

在中國(guó)持續(xù)擴(kuò)張晶圓廠產(chǎn)能的同時(shí)，美國(guó)卻陷入了停滯不前。根據(jù) SEMI 的數(shù)據(jù)，到 2020 年，美洲地區(qū)共有 76 個(gè)芯片制造工廠，而這一數(shù)字在 2010 年時(shí)為 81 個(gè)。“這包括來(lái)自三星、恩智浦、英飛凌、X-Fab、Tower、臺(tái)積電和博通等非美國(guó)公司在美國(guó)的晶圓廠制造能力。SEMI 的分析師 Christian Dieseldorff 說(shuō)。

Dieseldorff 說(shuō)，如果不包括非美國(guó)公司的晶圓廠，美國(guó)的晶圓廠產(chǎn)能份額將下降到 10％。

據(jù) SEMI 稱，美國(guó)目前正在建設(shè)中的一些新晶圓廠項(xiàng)目包括：

Cree：碳化硅器件（紐約）；格羅方德：代工廠（紐約）；英特爾：邏輯器件（俄勒岡州）；德州儀器：模擬器件（德州）；臺(tái)積電：代工廠（亞利桑那州）

展望未來(lái)，美國(guó)希望為國(guó)家安全和供應(yīng)鏈安全而建造更多的晶圓廠。

美國(guó)現(xiàn)在提出了一些解決方案，其中包括美國(guó)國(guó)會(huì)擬議的一條法案。這項(xiàng)名為《為美國(guó)半導(dǎo)體制造制定有用的激勵(lì)措施》（CHIPS）法案要求為新的聯(lián)邦撥款計(jì)劃提供 100 億美元，這將激勵(lì)人們?cè)诿绹?guó)本土建造新的晶圓廠，它還包括投資稅收抵免。總的來(lái)說(shuō)，這是一項(xiàng) 220 億美元的計(jì)劃。

不過(guò)，時(shí)至今日，該法案仍然滯留在國(guó)會(huì)尚未通過(guò)，而且目前尚不清楚該法案是否會(huì)通過(guò)。另外，資金實(shí)在太少了，太遲了。據(jù) SIA 和 BCG 稱，要提高競(jìng)爭(zhēng)力，美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)需要一項(xiàng) 500 億美元的激勵(lì)計(jì)劃，即便是這個(gè)數(shù)字，可能也不夠。

這些錢建不了幾個(gè)晶圓廠。例如，臺(tái)積電（TSMC）正在臺(tái)灣投資 195 億美元，為其 3nm 工藝建造一個(gè) 300mm 晶圓廠。

另外，在美國(guó)建造新晶圓廠的成本比亞洲還要昂貴。而其他國(guó)家則提供了更好的激勵(lì)措施。因此，盡管英特爾正在擴(kuò)大其在亞利桑那州的新 Fab 42 工廠，但由于其它國(guó)家能提供更好的激勵(lì)措施，它還計(jì)劃在愛(ài)爾蘭和以色列建立新工廠。

但是，英特爾等公司認(rèn)為 CHIPS 法案是一個(gè)良好的開(kāi)端，并且需要采取一種或多種形式的激勵(lì)措施。英特爾政策與技術(shù)事務(wù)組織副總裁格雷格·斯萊特（Greg Slater）說(shuō)：“目前，我們美國(guó)在半導(dǎo)體制造市場(chǎng)的份額為 12％。在未來(lái)十年內(nèi)，這一數(shù)字可能會(huì)降至 10％以下。除非我們通過(guò)政府激勵(lì)措施扭轉(zhuǎn)這種局面，否則這種情況將繼續(xù)下去。”

事情沒(méi)那么簡(jiǎn)單。“美國(guó)可以通過(guò)補(bǔ)貼的方式使其晶圓廠產(chǎn)能份額超過(guò) 12％，但這對(duì)整個(gè)行業(yè)有好處嗎？” Semico Research 的分析師 Adrienne Downey 問(wèn)。“在過(guò)去的 5 至 10 年中，該行業(yè)在產(chǎn)能管理方面一直做得很好。內(nèi)存市場(chǎng)就是一個(gè)很好的例子。有效地管理產(chǎn)能意味著更穩(wěn)定的 ASP / 收入。過(guò)去，通過(guò)補(bǔ)貼建設(shè)的晶圓廠造成了產(chǎn)能失衡。”

還有一些其他的問(wèn)題。“當(dāng)今行業(yè)中，幾乎沒(méi)有公司可以投資 200 億美元建設(shè)一座晶圓廠。臺(tái)積電能做到這一點(diǎn)，是因?yàn)樗鼈儞碛袛?shù)百個(gè)客戶和數(shù)千種產(chǎn)品。僅增加產(chǎn)能并不能保證在該行業(yè)的成功地位。”Downey 說(shuō)。

無(wú)論如何，如果美國(guó)在半導(dǎo)體制造中不采取行動(dòng)，將會(huì)帶來(lái)經(jīng)濟(jì)層面的后果。

Win or Die

芯片制造工藝競(jìng)賽

圖源 |bodhable.com

美國(guó)的芯片制造商在 III-V，模擬和 RF 等特殊工藝中占有一席之地。美國(guó)在 28nm / 22nm 及以上的成熟邏輯工藝中實(shí)力很強(qiáng)。Semico 公司的 Downey 說(shuō)：“美國(guó)仍然有一批仍在美國(guó)制造的成熟產(chǎn)品。在大多數(shù)電子設(shè)備中，每一個(gè)領(lǐng)先的芯片都需要至少配套 5-10 顆成熟的芯片。Qorvo、安森美、恩智浦、ADI、博通、Skyworks 和 Microchip 等公司都在美國(guó)設(shè)有晶圓廠。SkyWater 是代工廠通過(guò)提供創(chuàng)新選擇并幫助開(kāi)發(fā)新解決方案重獲新生的一個(gè)例子。”

但是美國(guó)在領(lǐng)先的邏輯 / 制造工藝落后于其它地區(qū)。這是最近十年才發(fā)生的，多年來(lái)，英特爾一直是制程技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。如前所述，在 2001 年，有 18 家芯片制造商可以處理尖端的 130nm 芯片。

隨著時(shí)間的流逝，工藝成本不斷上升，越來(lái)越少的參與者可以負(fù)擔(dān)得起在高級(jí)節(jié)點(diǎn)上開(kāi)發(fā)先進(jìn)工藝的能力了。

最大的變化發(fā)生在 20nm 時(shí)，當(dāng)時(shí)的傳統(tǒng)平面晶體管走到了極限。作為回應(yīng)，英特爾在 2011 年在 22nm 上轉(zhuǎn)向了下一代 finFET 晶體管。代工廠轉(zhuǎn)移到 16nm / 14nm 的 finFET。（英特爾的 22 納米相當(dāng)于代工廠的 16 納米 /14 納米。）

FinFET 和平面型工藝

FinFET 以較低的功率提供了更高的性能，但制造起來(lái)也更困難，更昂貴。TEL America 副總裁兼副總經(jīng)理 Ben Rathsack 表示：“這是由于制造該設(shè)備所需的工藝步驟數(shù)量較多所致。”

FinFETs 也縮小了芯片制造公司的圈子只有六家代工廠 / IDM 擁有遷移到 16nm / 14nm 的 finFET 的資源。這些供應(yīng)商包括格羅方德、英特爾、三星、臺(tái)積電和聯(lián)電。中國(guó)的中芯國(guó)際最近進(jìn)入了 14nm finFET 市場(chǎng)。

英特爾希望在 2016 年推出 10nm finFET 工藝來(lái)擴(kuò)大其邏輯工藝的領(lǐng)先地位。但是，由于各種原因，英特爾兩次推遲了 10nm 的生產(chǎn)，并最終在 2019 年基于該工藝推出了處理器 - 比預(yù)期晚了大約兩年。

在英特爾 10 納米技術(shù)兩度延遲的同時(shí)，臺(tái)積電在 2018 年初推出了全球首個(gè) 7 納米 finFET 工藝，在工藝上超過(guò)了英特爾。后來(lái)，三星也推出了 7nm。（英特爾的 10nm 大約相當(dāng)于代工廠的 7nm。）

這種變化很重要，有以下幾個(gè)原因。一直以來(lái)，英特爾都是芯片制造業(yè)務(wù)中的佼佼者，它并沒(méi)有直接與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)。但是，臺(tái)積電為 AMD 和英偉達(dá)等英特爾的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手們提供代工服務(wù)。因此，英特爾的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手突然在工藝技術(shù)領(lǐng)域把英特爾甩在了身后。

還有一些其他的變化。2018 年，格羅方德和聯(lián)電均停止了各自在 7nm 上的努力。7nm 的開(kāi)發(fā)需要巨額投資，兩家供應(yīng)商均對(duì)能否收回投資表示。現(xiàn)在，這兩家公司仍活躍于 16nm / 14nm 及以上成熟工藝上。

盡管如此，7 納米技術(shù)將高端制造圈縮小到三家公司：英特爾，三星和臺(tái)積電。但是隨后，情況再次發(fā)生了變化。

2020 年初，臺(tái)積電和三星開(kāi)始出貨 5nm，而英特爾推遲了 7 納米制程，使其進(jìn)一步落后于其兩個(gè)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。來(lái)自中國(guó)的中芯國(guó)際正在開(kāi)發(fā)類似 7nm 的工藝。最近，中芯國(guó)際從中國(guó) IP 提供商 Innosilicon 處獲得了首個(gè)用于類似 7nm 工藝的流片。

半導(dǎo)體顧問(wèn)公司的 Maire 說(shuō)：“現(xiàn)在看來(lái)，英特爾的 7 納米至少要延遲六個(gè)月甚至是一年。英特爾和臺(tái)積電已經(jīng)不是并駕齊驅(qū)了，現(xiàn)在的英特爾顯然落后于臺(tái)積電。格羅方德則停留在了 14 納米。因此，我們美國(guó)真的沒(méi)有可以快速發(fā)展的代工廠或 IDM 了。”

不過(guò)，美國(guó)并沒(méi)有真的停滯不前。英特爾發(fā)誓將解決工藝問(wèn)題，并終將發(fā)布 7nm。它還在考慮一項(xiàng)計(jì)劃，將其部分 7nm 生產(chǎn)外包給代工廠。

然后，為了重新奪回自己的優(yōu)勢(shì)，英特爾希望建立一個(gè)美國(guó)芯片聯(lián)盟。作為計(jì)劃的一部分，英特爾建議在美國(guó)政府的支持下運(yùn)營(yíng)一家美國(guó)代工廠。目前尚不清楚該計(jì)劃是否會(huì)生效。

最近，格羅方德為其位于紐約州的 300 毫米晶圓廠申請(qǐng)到了新土地。“隨著對(duì)國(guó)家資本投資半導(dǎo)體制造的共識(shí)日增，比以往任何時(shí)候都更重要的是，我們準(zhǔn)備在格羅方德美國(guó)最先進(jìn)的制造工廠中快速實(shí)施我們的增長(zhǎng)計(jì)劃。”格羅方德高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理 Ron Sampson 說(shuō)。

臺(tái)積電可能是美國(guó)的真正希望，臺(tái)積電計(jì)劃在亞利桑那州建立一個(gè)新的尖端的 5nm 晶圓廠。該晶圓廠計(jì)劃于 2024 年投產(chǎn)。

不過(guò)，目前尚不清楚美國(guó)是否可以重新獲得其在工藝技術(shù)方面的競(jìng)爭(zhēng)力，也不清楚哪家公司將成為美國(guó)代工業(yè)務(wù)的領(lǐng)導(dǎo)者。

Solution is Unique

chiplet 的時(shí)代正在來(lái)領(lǐng)

展望未來(lái)，來(lái)自不同國(guó)家的幾家公司將繼續(xù)參與芯片制造工藝競(jìng)賽。但是，這不是保持競(jìng)爭(zhēng)力的唯一方法。

通常，為了提高性能，業(yè)界通過(guò)芯片尺寸縮減來(lái)開(kāi)發(fā) ASIC，以將不同的功能集成到單個(gè)單芯片上。但是，現(xiàn)在的節(jié)點(diǎn)升級(jí)正越來(lái)越困難且昂貴，而且，僅僅通過(guò)工藝升級(jí)所獲得的功率和性能收益正在減少。7nm 以下的每一代新節(jié)點(diǎn)可能會(huì)把性能提高約 10％至 20％，但是，架構(gòu)更改、專用加速器和硬件軟件協(xié)同設(shè)計(jì)帶來(lái)的性能提升可能會(huì)高達(dá) 10 倍至 1,000 倍。

而且，并非所有芯片類型都受益于工藝尺寸的縮減。數(shù)字邏輯器件當(dāng)然可以，模擬組件則不能。因此，整個(gè)行業(yè)正在將復(fù)雜的芯片封裝在高級(jí)封裝中，而不是將所有組件都縮減工藝尺寸并放進(jìn)單個(gè)裸片上。

如今，來(lái)自多個(gè)國(guó)家的公司、代工廠和 OSAT 都在追求 chiplet 戰(zhàn)略，即芯片制造商可以使用庫(kù)中的模塊化芯片或小芯片，并將它們集成到現(xiàn)有的高級(jí)封裝或新架構(gòu)中。

AMD、英特爾和其他公司已經(jīng)開(kāi)發(fā)出類似的芯片設(shè)計(jì)，可以以更低的成本追上或超越 ASIC 的功能。但是，隨著第三方開(kāi)發(fā)出越來(lái)越多供銷售的的 chiplet 并跨多個(gè)市場(chǎng)銷售，在邊緣計(jì)算等新領(lǐng)域爭(zhēng)奪市場(chǎng)主導(dǎo)地位的競(jìng)爭(zhēng)已迫在眉睫。

chiplet 的發(fā)展勢(shì)頭在持續(xù)增強(qiáng)。例如，英特爾已經(jīng)獲得來(lái)自美國(guó)國(guó)防部的 chiplet 研發(fā)新合同，稱為最新異構(gòu)集成原型（SHIP）計(jì)劃。根據(jù)該計(jì)劃，英特爾圍繞 chiplet 建立了一個(gè)新的美國(guó)商業(yè)實(shí)體，包括國(guó)防部和國(guó)防行業(yè)的客戶可以使用英特爾的先進(jìn)封裝能力。

國(guó)防部研究與工程副部長(zhǎng)辦公室微電子首席總監(jiān)妮可·佩塔（Nicole Petta）表示：“路線圖確定了優(yōu)先事項(xiàng)，并意識(shí)到隨著制程規(guī)模的放慢，異構(gòu)組裝技術(shù)對(duì)于國(guó)防部和我們國(guó)家都是至關(guān)重要的投資。”

寫在最后

芯片行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的定義變得越來(lái)越復(fù)雜了，工藝的提升將繼續(xù)至關(guān)重要，但是，高級(jí)封裝技術(shù)也變得越來(lái)越重要。

來(lái)自不同國(guó)家的公司將需要同時(shí)發(fā)展制造工藝和高級(jí)封裝技術(shù)。這反過(guò)來(lái)將推動(dòng)新的增長(zhǎng)。但是，從技術(shù)角度來(lái)看，美國(guó)仍有一些工作要做，問(wèn)題是是否有實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的政治意愿，以及公司能否獲得回報(bào)，到目前為止，答案尚不清楚。

責(zé)任編輯：PSY

原文標(biāo)題：重回芯片制造之巔，美國(guó)最大痛點(diǎn)是什么？

文章出處：【微信公眾號(hào)：傳感器技術(shù)】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。