據韓媒Thelec報道,LGD決定增加被稱為“蘋果專用線”的位于京畿道坡州E6-1及E6-2生產線的產量。到明年,母板投入標準為每月2.5萬(25K)張,LGD將擴充低溫多晶氧化物(LTPO)薄膜晶體管工藝設備。
目前,LGD在優(yōu)先搬入5K規(guī)模的LTPO設備進行安裝,到明年5月將再次搬入10K規(guī)模的LTPO設備。在完成10K規(guī)模的LTPO設備追加訂單后,計劃的全部25K規(guī)模LTPO設備投資將結束。
據了解,LTPO主要是通過結合LTPS和Oxide兩大背板技術的優(yōu)勢,實現反應速度更快、功耗更低的LTPO方案,以解決目前智能手機的耗電問題。
目前大多數的智能手機采用LTPS TFT作為背板,LTPS擁有高分辨率、高反應速度、高亮度以及高開口率等優(yōu)勢,但缺點是生產成本較高,同時所需的功耗也較大。
另外,由于智能手機的屏幕往大型化方向發(fā)展,加上電池容量也越來越高,使得設備重量跟著增加,LTPO在理論上可以比LTPS節(jié)省5~15%的功耗。
業(yè)界預期,蘋果2021年就會將LTPO TFT背板技術應用在6.1英寸高端與6.7英寸等iPhone機型上,以此提升iPhone的續(xù)航力。
責任編輯:tzh
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
相關推薦
近日,據知情人士透露,蘋果已悄然啟動了一項新項目,旨在為其MacBook Air系列開發(fā)配備氧化物薄膜晶體管(TFT)液晶顯示屏(LCD)的新款筆記本。自2024年底以來,蘋果一直在與零部件制造商
發(fā)表于 01-21 14:09
?88次閱讀
半導體場效應晶體管(MOSFET)的基礎材料,但它們在材料特性、性能、制造工藝以及應用領域上存在顯著差異。這里對金屬氧化物和柔性石墨烯MOS的主要區(qū)別做以下分享:1.
發(fā)表于 12-19 15:23
?305次閱讀
本文介紹了多晶氧化物中的晶界和異質界面的概念、形成機理以及如何表征。 固-固界面是材料科學領域的核心研究對象,這些界面不僅存在于多晶體材料中,還廣泛分布于各類薄膜結構中。由于界面處存在
發(fā)表于 12-06 16:31
?665次閱讀
晶體管的基本結構 晶體管主要分為兩大類:雙極型晶體管(BJT)和金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。BJT由發(fā)射極(Emitter
發(fā)表于 12-03 09:47
?709次閱讀
本文通過圖文并茂的方式生動展示了MOSFET晶體管的工藝制造流程,并闡述了芯片的制造原理。 ? MOSFET的工藝流程 芯片制造工藝流程包括光刻、刻蝕、擴散、
發(fā)表于 11-24 09:13
?1690次閱讀
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)類型,它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結構、工作原理、性能特點、應用場景等方面詳細闡述NMO
發(fā)表于 09-13 14:10
?4524次閱讀
和 107 的開/關電流比,與早期 n 型氧化物薄膜晶體管的關鍵電氣屬性非常相似。此外,薄膜晶體管在長時間偏置應力下表現出顯著的穩(wěn)定性以及大面積薄膜的均勻性。 圖源:浦項工科大學 研究
發(fā)表于 04-30 14:58
?568次閱讀
電子發(fā)燒友網站提供《帶有集成金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET) 的非同步降壓穩(wěn)壓器數據表.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 04-25 10:03
?0次下載
電子發(fā)燒友網站提供《帶有集成金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 的非同步降壓穩(wěn)壓器TPS5403數據表.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 04-25 09:57
?0次下載
電子發(fā)燒友網站提供《帶有集成金屬氧化物半導體場效應晶體管TPS65270數據表.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 04-11 11:22
?0次下載
電子發(fā)燒友網站提供《帶有集成金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 的非同步降壓穩(wěn)壓器TPS5405數據表.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 04-11 10:57
?0次下載
韓國科技媒體The Elec報道指出,Apple Watch Series 10的OLED顯示屏將升級為低溫多晶氧化物(LTPO)薄膜晶體管
發(fā)表于 04-10 10:47
?748次閱讀
講,厚的閥片可以承受更高的沖擊耐受電壓,而具有較大直徑和較大面積電極的閥片應具有更大的沖擊通流能力。但實際上采用陶瓷工藝由燒結方法制成的多晶體金屬氧化物閥片是不均勻的,所以其沖擊耐受能力與閥片截面
發(fā)表于 03-29 07:32
電子發(fā)燒友網站提供《N通道NexFET? 功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET) 數據表.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 03-28 15:43
?0次下載
BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工藝技術是將雙極型晶體管、CMOS(互補金屬氧化物半導體)和DMOS(雙擴散金屬氧化物半導體)
發(fā)表于 03-18 09:47
?6659次閱讀
評論