半導(dǎo)體，我們當(dāng)下討論的比較多的，有關(guān)于材料，有關(guān)于器件，有關(guān)于投資，有……每個(gè)話(huà)題的側(cè)重點(diǎn)都不同。材料無(wú)非是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料；器件主要是基于WBG材料的MOS，HEML等，我們之前也聊過(guò)；投資的話(huà)就不多說(shuō)了，行業(yè)趨勢(shì)，企業(yè)資訊，股市等等。今天我們要聊的，是半導(dǎo)體工業(yè)的歷程，了解一下半導(dǎo)體工業(yè)的源起。

真空三極管“挑事”

說(shuō)起真空三極管，1906年被Lee Deforest（李·德弗雷斯特）發(fā)明出來(lái)，使得收音機(jī)、電視機(jī)等消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品成為可能，它還是世界上第一臺(tái)電子計(jì)算機(jī)的大腦，一臺(tái)占地近140㎡，重達(dá)30噸的大家伙，使用了近19000個(gè)真空管以及數(shù)千個(gè)電阻及電容器。真空三極管是由一個(gè)柵極和兩個(gè)被柵極分開(kāi)的電極，在玻璃密封的空間中構(gòu)成的，密封空間內(nèi)部是真空，一方面防止部件燒毀一方面易于電子的自由移動(dòng)。

其有兩大功能即開(kāi)關(guān)和放大，開(kāi)關(guān)指接通和切斷電流，放大指電流或小信號(hào)放大，并保持信號(hào)原有的特征功能。但是有一系列的缺點(diǎn)，如體積大，連接處易于松動(dòng)，并且壽命較短，老化速度較快。

這一系列的缺點(diǎn)導(dǎo)致其必然要發(fā)展或者是被替代，1949年，貝爾實(shí)驗(yàn)室的John Bardeen（約翰·巴丁）、Walter Brattin（沃爾特·布拉頓）、William Shockley（威廉·肖克利）三人發(fā)明了半導(dǎo)體材料鍺制成的電子放大器，也就是第一代晶體管（這三位科學(xué)家也因此獲得了1956年諾貝爾物理獎(jiǎng)），晶體管最初叫“傳輸電阻器”，后來(lái)才更名為晶體管（Transistor）。

這種晶體管包括真空管的功能，同時(shí)是固態(tài)的，沒(méi)有真空，體積小、質(zhì)量輕、耗電低并且壽命長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)。從此便進(jìn)入了“固態(tài)時(shí)代”，也就是目前我們見(jiàn)的最多的。

從第一個(gè)晶體管發(fā)展到我們現(xiàn)在的許多電力電子器件，使得電力電子技術(shù)得到了飛躍的發(fā)展，這些器件我們一般統(tǒng)稱(chēng)為分立器件，即每個(gè)芯片只含有一個(gè)元件。而半導(dǎo)體相關(guān)的另一個(gè)器件，我們之前并沒(méi)有提及過(guò)的，即集成電路。

集成電路

集成電路（Integrated circuit）是一種微型電子器件，采用一定工藝，在一塊半導(dǎo)體基材上將一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線(xiàn)互連在一起，然后封裝在管殼兒內(nèi)，形成具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)。

第一個(gè)集成電路是由德州儀器的Jack Kilby（杰克·基爾比）發(fā)明，但是其并不是現(xiàn)今集成電路的形式。

其最初使用的是單獨(dú)的線(xiàn)連接起來(lái)的，而早些時(shí)候仙童照相機(jī)的Jean Horni（吉恩·霍尼）已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了一種在芯片表面上形成電子結(jié)來(lái)制作晶體管的平面制造工藝，即利用硅易于形成絕緣體氧化硅的優(yōu)點(diǎn)。而后Robert Noyce（羅伯特·諾伊斯）應(yīng)用這種技術(shù)把預(yù)先在硅表面上形成的分立器件連接起來(lái)，最終形成了所有集成電路所使用的模式。

工藝和趨勢(shì)

從1947年開(kāi)始，半導(dǎo)體行業(yè)就已經(jīng)開(kāi)始在工藝上進(jìn)行提高和發(fā)展，時(shí)至今日也依舊還在不斷的發(fā)展。工藝的改進(jìn)可以歸結(jié)于兩類(lèi)：工藝和結(jié)構(gòu)。

工藝的改進(jìn)：以更小尺寸來(lái)制造器件和電路，使其具有更高的密度，更多的數(shù)量和更高的可靠性。

結(jié)構(gòu)的改進(jìn)：在新器件設(shè)計(jì)上的發(fā)明使其性能更好，實(shí)現(xiàn)更佳的能耗控制和更高的可靠性。

這兩種改進(jìn)帶來(lái)的效果，我們從IGBT幾代的發(fā)展歷程可以很好的體會(huì)，當(dāng)然我們之前提到的很多因素，比如設(shè)備過(guò)程中的一些缺陷等等都可以歸結(jié)于工藝的改進(jìn)。

集成電路中器件的尺寸和數(shù)量是IC發(fā)展的兩個(gè)共同標(biāo)志。器件的尺寸是以設(shè)計(jì)中的最小尺寸來(lái)表示的，我們稱(chēng)之為特征圖形尺寸。從小規(guī)模集成電路發(fā)展到今天的百萬(wàn)芯片，得益于其中單個(gè)元件的特征圖形尺寸的減小，這得益于光刻機(jī)圖形化工藝和多層連線(xiàn)技術(shù)的極大提高。這一點(diǎn)在如今討論的也是比較多的，比如22nm芯片，10nm甚至7nm等等。更專(zhuān)業(yè)的表述是柵條寬度，即我們控制部分柵極的寬度，更小更快的晶體管以及更高密度的電路，得益于更小的柵條寬度。說(shuō)到這里不得不提到前段時(shí)間經(jīng)常看到的詞匯--“摩爾定律”，英特爾的創(chuàng)始人之一Gordon Moore（戈登·摩爾）在1965年預(yù)言的，芯片上的晶體管數(shù)量會(huì)以每18個(gè)月翻一番的速度增長(zhǎng)，經(jīng)過(guò)多年實(shí)際驗(yàn)證這一速度較為準(zhǔn)確，也成為預(yù)測(cè)未來(lái)芯片上晶體管密度的依據(jù)。按照電路中器件的數(shù)量，即集成度水平，我們可以分為幾個(gè)等級(jí)：小規(guī)模集成（SSI）：2~50個(gè)/chip；中規(guī)模集成（MSI）：50~5000個(gè)/chip；大規(guī)模集成（LSI）：5000~100000個(gè)/chip；超大規(guī)模集成（VLSI）：100000~1000000個(gè)/chip；甚大規(guī)模集成（ULSI）：＞1000000個(gè)/chip。

摩爾定律并不是隨著時(shí)間無(wú)限制地發(fā)展的，主要受限于半導(dǎo)體材料和制備的限制，所以會(huì)聽(tīng)到半導(dǎo)體材料硅快到極限的消息，故而需要發(fā)展新的材料和不停地提升設(shè)備和設(shè)計(jì)。

芯片和晶圓尺寸

我們都知道，芯片是在稱(chēng)為晶圓（wafer）的薄硅片或者其他半導(dǎo)體材料薄片上制成的。

在圓形wafer上制造矩形的芯片，導(dǎo)致了在wafer的邊緣處剩余了一些不可用區(qū)域。當(dāng)芯片尺寸較大時(shí)，這些不可用區(qū)域也會(huì)隨之較大，所以逐漸采用更大尺寸的wafer，這也就變相地“減小”了芯片的尺寸，也使得生產(chǎn)效率和產(chǎn)量得到一定的提升，這是為什么從6英寸到8英寸再到現(xiàn)在12英寸晶圓的原因之一。

現(xiàn)在的芯片尺寸越做越小，成本越來(lái)越低，性能越來(lái)越高，這得益于以上我們說(shuō)到的工藝改進(jìn)、設(shè)備的發(fā)展等，這也導(dǎo)致了半導(dǎo)體行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)越來(lái)越激烈。

就目前而言，生產(chǎn)廠商的類(lèi)型大概有三類(lèi)：集成器件制造商（IDM）：集設(shè)計(jì)、制造、封裝和銷(xiāo)售為一體；代工廠（Foundry）：其他芯片供應(yīng)商制造芯片；無(wú)加工廠（Fabless）：只負(fù)責(zé)芯片設(shè)計(jì)和銷(xiāo)售，其他環(huán)節(jié)大多外包。當(dāng)然，還有其他交錯(cuò)的模式，同時(shí)，半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化使得國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體廠商也越來(lái)越多，企業(yè)模式也越來(lái)越多。

寫(xiě)在最后

就目前而言，半導(dǎo)體行業(yè)的國(guó)產(chǎn)化是個(gè)趨勢(shì)，而這不僅僅取決于國(guó)產(chǎn)企業(yè)的數(shù)量，而是要靠多少能夠在這風(fēng)起云涌環(huán)境下生存下來(lái)的企業(yè)。總之，乘風(fēng)破浪若有時(shí)，直掛云帆濟(jì)滄海！
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