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近日，特斯拉CEO埃隆·馬斯克（Elon Musk）在某社交平臺發(fā)布一張?zhí)厮估靶⌒行亲驳厍颉钡膱D片，似乎表達了自己的心境。盡管最近特斯拉股價經(jīng)歷大起大落，但截至2月18日收盤，每股報收858.40美元，市值達到1579.38億，成為僅次于豐田的全球市值第二高的汽車公司，將大眾、通用、福特甩在身后。

成功將特斯拉帶上股價高位有兩大利好：第一、2019年，特斯拉全年交付量創(chuàng)新高至36.7萬輛，同比增長50%，2020年將持續(xù)擴張；第二、盡管受到新型冠狀病毒疫情的影響，2月10日，特斯拉中國工廠已經(jīng)實現(xiàn)了全面復工，為了產(chǎn)能爬升招聘的600員工全部到位。

作為全球新能源車的風向標企業(yè)，特斯拉在中國生產(chǎn)的Model3標準版售價跌破30萬元引發(fā)新能源車搶購潮。據(jù)筆者了解，特斯拉Model3是在電動車逆變器首次采用SiC MOSFET第一款車，2019年Models3全球出貨量超過30萬輛。此外，Model S的功率模塊IGBT的供應商是英飛凌，Model S使用了84個IGBT為三相感應電機供電，每個開關并聯(lián)14個IGBT。這些趨勢將帶動國內(nèi)功率器件（生產(chǎn)MOSFET和IGBT）廠商的跟進。

IGBT市場空間大，國產(chǎn)替代潛力大

根據(jù)調(diào)研機構IHS的最新報告，2018年全球IGBT市場規(guī)模是62.4億美金，同比增長18.7%（2017年全球市場規(guī)模為52.55億美金），其中模塊、智能模塊、分立器件分別為32.5億美金（占比52%）、16.8億美金（占比27%）、13.1億美金（占比21%）。

圖表中顯示，分立IGBT器件的前五強占據(jù)全球約70%的市場份額，分別是英飛凌（Infineon，德國）、安森美（On Semiconductor，美國）、富士（Mitsubishi，日本）、力特(Littelfuse，美國)和意法半導體（STMicroelectronics，意法）。

圖片來自IHS

在這個外資公司占據(jù)絕對話語權的領域，2018年的IGBT前十強里面有兩家中國公司入圍全球前十，分別是在智能模塊市場排名第十的吉林華微(Jinlin Sino-Micro)和在模塊市場排名第八的嘉興斯達（StarPower）。據(jù)證券日報的消息，2020年2月4日，嘉興斯達（斯達半導體）在上海證券交易所主板成功上市，這是國內(nèi)IGBT領域繼士蘭微、吉林華微之后的第三家上市公司，斯達半導體主營業(yè)務是以IGBT為主的功率半導體芯片和模塊的設計研發(fā)和生產(chǎn)，并以IGBT模塊形式對外實現(xiàn)銷售。2018年在全球IGBT模塊市場排名第八位，在全球占據(jù)2.2%的市場份額。

IGBT領域三大旗艦產(chǎn)品

IGBT是工業(yè)控制及自動化領域的核心元器件，具有高頻率、高壓電、大電流、易于開關等特性，隨著新能源電力和新能源汽車市場的快速發(fā)展，IGBT目前在國際和國內(nèi)市場保持高速增長態(tài)勢。IGBT是新能源汽車、直流充電樁和高鐵的核心器件，IGBT成本占據(jù)新能源整車成本的10%，占到充電樁的20%。

受益于全球電動汽車市場、充電樁對IGBT的巨大需求，IGBT的相關企業(yè)也迎來了發(fā)展的利好。我們整理最新三家發(fā)布的IGBT產(chǎn)品資料和大家分享。

英飛凌IGBT 7具備三大亮點

英飛凌公司發(fā)布了基于IGBT 7的1200V/900A EconoDUAL?3模塊，將IGBT 7芯片產(chǎn)品應用拓展至中等功率工業(yè)領域，此外也能為新能源商用車主驅(qū)提高功率密度提供新思路。該模塊長152mm，寬62mm，采用PressFit封裝方式，內(nèi)置溫度傳感器。與上一代產(chǎn)品相比，在相同尺寸下電流提升30%，主要針對CAV（商業(yè)、建筑和農(nóng)業(yè)機械）、伺服電機、太陽能和UPS等應用。

圖：IGBT 7的1200V/900A半橋模塊

亮點1：精細溝槽IGBT7，導通壓降降低30%

與EconoDUAL? 3模塊采用的上一代芯片IGBT4相比，IGBT7芯片采用精細溝槽技術（micro-pattern trench technology）,相同面積下，導通壓降降低30%，這將使得模塊在實際應用中損耗顯著下降，模塊最高工作結(jié)溫度達到175℃，特別適合應用于中等頻率工況下的工業(yè)電傳動（在中等頻率下，導通損耗占據(jù)模塊損耗的主要部分，通過降低導通壓降大幅降低導通損耗，從而降低模塊損耗）。

亮點2：EC7 FRD，導通壓降顯著降低

采用第七代發(fā)射極控制二級管EC7（emitter-controlled7th generation diode）,與上一代EC4相比，導通壓降降低100mV，降低關斷時振蕩發(fā)生的概率。

亮點3：采用PressFit封裝方式，集成溫度傳感器

采用PressFit的封裝方式，最大程度提高模塊的壽命，同時集成溫度傳感器，實時監(jiān)測模塊工作時芯片表面的溫度狀況，為模塊“健康”保駕護航。

打入汽車專用市場，士蘭微SGM820PB8B3TFM有看點

在中國本土功率器件市場，士蘭微是國內(nèi)當之無愧的龍頭之一。最近幾年，中國本土企業(yè)士蘭微在IPM和IGBT領域有所突破。

士蘭微電子面向新能源汽車應用開發(fā)了使用槽珊FS-IV工藝IGBT芯片的EV系列模塊SGM820PB8B3TFM，其可靠性完全復合最新的AQE-324標準，其中B1封裝主要針對物流車，B2封裝主要針對乘用車，B4封裝針對電動大巴。

圖：士蘭微SGM820PB8B3TFM（B3）實物圖。

圖：士蘭微SGM820PB8B3TFM（B3）主要特征。

士蘭微半導體制造事業(yè)部IGBT高級研發(fā)經(jīng)理顧悅吉表示，士蘭微電子充分利用設計與制造一體的IDM模式優(yōu)勢，為新能源汽車廠商提供LED驅(qū)動、IPM、IGBT、HVIC、MCU、DCDC、MOS、傳感器、音視頻等多維度產(chǎn)品和服務。

比亞迪自主開發(fā)IGBT4.0技術，成功推出車用IGBT

比亞迪進入IGBT產(chǎn)業(yè)是在2005年，并于2009年打破國際廠商壟斷，取得了IGBT的核心技術突破。2018年年底，比亞迪發(fā)布了在車規(guī)級領域具有標桿性意義的IGBT4.0技術，再一次展示出其在電動車領域的領先地位，進一步打破了國際大廠形成的技術壁壘。比亞迪現(xiàn)已擁有國內(nèi)首個汽車IGBT全產(chǎn)業(yè)鏈，包括IGBT芯片設計、晶圓制造、模塊封裝，仿真測試以及整車測試。

比亞迪自主研發(fā)的IGBT

在電氣性能上，比亞迪的IGBT4.0產(chǎn)品模塊的溫度循環(huán)壽命可以做到當前市場主流產(chǎn)品的10倍以上。同時搭載IGBT4.0的V-315系列模塊在同等工況下較當前市場主流產(chǎn)品的電流輸出能力提升15%，也就是說搭載IGBT 4.0的電動汽車具有更強的加速能力。

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