英特爾新款665p SSD上市，采用96層3D QLC NAND
（文章來源：太平洋電腦網）
據報道稱，Intel于去年11月推出660p SSD繼任者665p SSD近日傳來新的消息，據日媒Akiba報道稱，Intel 665p SSD已經到貨，1TB售價為20680日元（折合人民幣約1313元），有1TB和2TB容量可選，升級為96層3D QLC NAND，接口為PCIe 3.0 x4。
據介紹，Intel SSD 665p的1TB型號為“SSDPEKNW010T9X1”，目前該SSD在日本發售。作為Intel 660pSSD繼任者，Intel 665p SSD主要從64層3D QLC NAND增加到的96層3D QLC NAND。
關于Intel SSD 665p速度方面，Intel SSD 665p順序讀取速度是2000MB/s，隨機4k讀取速度是250k IOPS，總寫入容量是600TBW。作為對比，Intel SSD 660p順序讀取速度是1800MB/s，隨機4k讀取速度是220k IOPS，總寫入容量是400TBW。
（責任編輯：fqj）
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
英特爾
+關注
關注
61文章
10007瀏覽量
172150 -
SSD
+關注
關注
21文章
2887瀏覽量
117687
發布評論請先 登錄
相關推薦
預期提前，鎧俠再次加速，3D NAND準備沖擊1000層
電子發燒友網報道（文/黃山明）近日，鎧俠再次宣布，將在2027年實現3D NAND的1000層堆疊，而此前鎧俠計劃是在2031年批量生產超1000層的
SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定義與比較
SD nand，貼片式SD卡，使用起來和SD卡一致，不同的是采用，通常采用LGA-8封裝，尺寸為8mm x 6mm x 0.75mm，重點是采用貼片封裝，可以直接貼在板卡上，直接解決了
發表于 01-15 18:15
【半導體存儲】關于NAND Flash的一些小知識
技術方案。
三、NAND Flash分類
NAND閃存卡的主要分類以NAND閃存顆粒的技術為主，NAND閃存顆粒根據存儲原理分為SLC、MLC、TLC和
發表于 12-17 17:34
英特爾推出全新實感深度相機模組D421
英特爾 實感 技術再次突破界限，推出全新的英特爾 實感 深度相機模組D421。這是一款入門級立體深度模組，旨在以高性價比將先進的深度感應技術帶給更廣泛的用戶群體，為尋求深度成像技術及消費產品潛力的開發者、研究人員和計算機視覺專家
3D NAND閃存來到290層，400層+不遠了
電子發燒友網報道（文/黃晶晶）早在2022年閃存芯片廠商紛紛發布200+層 3D NAND，并從TLC到QLC得以廣泛應用于消費電子、工業、數據中心等領域。來到2024年5月目前三星第
美光232層QLC NAND現已量產
美光科技近日宣布了重大技術突破，其先進的232層QLC NAND閃存已成功實現量產，并已部分應用于Crucial英睿達固態硬盤（SSD）中。此外，美光還推出了2500 NVMeTM
美光232層QLC NAND芯片已量產并出貨，推出SSD新品
美光科技近期宣布，其創新的232層QLC NAND芯片已成功實現量產并已開始出貨。這一里程碑式的成就標志著美光在NAND技術領域再次取得了顯著進步，鞏固了其在全球存儲解決方案市場的領導
蘋果M3芯片和英特爾芯片的差距
蘋果M3芯片和英特爾芯片在多個方面存在顯著差異。首先，M3芯片是蘋果自家研發的，采用了先進的制程技術和架構設計，使其具有出色的計算性能和多任務處理能力。而
m3芯片相當于英特爾幾代cpu m3芯片相當于英特爾什么顯卡
m3芯片相當于英特爾幾代cpu 關于m3芯片相當于英特爾幾代cpu的問題，實際上并沒有一個準確的答案，因為不同的芯片制造商與英特爾的CPU產
蘋果M3芯片與英特爾芯片對比
蘋果M3芯片與英特爾芯片在多個方面存在顯著差異。首先，M3芯片是蘋果自家研發的，采用了先進的制程技術和架構設計，具有出色的計算性能和多任務處理能力。而
英特爾實現3D先進封裝技術的大規模量產
近日，英特爾宣布已經實現了基于業界領先的半導體封裝解決方案的大規模生產，其中包括其突破性的3D封裝技術Foveros。這項技術為多種芯片的組合提供了前所未有的靈活選擇，為功耗、性能和成本優化帶來了顯著的提升。
三星將推出GDDR7產品及280層堆疊的3D QLC NAND技術
三星將在IEEE國際固態電路研討會上展示其GDDR7產品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術。
英特爾實現大規模生產3D封裝技術Foveros
英特爾最近宣布，他們已經實現了基于業界領先的半導體封裝解決方案的大規模生產，其中包括具有劃時代意義的3D封裝技術Foveros。
英特爾量產3D Foveros封裝技術
英特爾在封裝技術方面取得了重大突破，并已經開始大規模生產基于3D Foveros技術的產品。這項技術使得英特爾能夠在單個封裝中整合多個小芯片（Chiplets），從而提高了芯片的性能、尺寸和設計靈活性。
英特爾3D封裝技術實現大規模量產
近日，英特爾（Intel）宣布，其已成功實現基于業界領先的半導體封裝解決方案的大規模生產，其中包括突破性的3D封裝技術Foveros。這一技術在新墨西哥州Fab 9工廠中完成升級并投產。
工商網監
評論