今年MOS-AK 器件模型國際會議將于2019年6月21-22日在成都電子科大舉辦，在會議的前一天6月20日，我們特別安排了一天的培訓，主要內容是基于SiGe HBT工藝的器件建模，電路設計以及終端應用，主講者是來自Infineon 和 Silicon Radar 參與鍺硅歐盟項目的專家，通過他們的講述，讓大家更多理解模型的核心價值以及落地的大規模產品應用，屬于比較完美的turnkey solution。

其中上午，來自Infineon的Dr. Andreas Pawlak給我們帶來模型部分培訓，他是下面出版的“Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors for mm-Wave Systems Technology, Modeling and Circuit Applications”模型章節的主要作者。他的演講內容主要是回顧歐盟項目Dotfive, Dotseven, RF2THz 等在開發新工藝，建立新模型當中碰到的各種問題，比如substrate coupling, scaling, model parameter extraction等等，當然在器件fmax=700GHz ，demo電路240GHz的情況下，許多測試方案，建模方案也是在驗證，測試，錯誤，更新，并且和工藝，設計人員的密切配合，不斷輪回中才獲得比較理想結果的，通過案例分享，讓國內將來如果引進SiGe HBT工藝也可以少走彎路。

下午，主要由來自Silicon Radar的設計主管Dr. Wojciech Debski 帶來基于SiGe HBT 工藝的電路和應用，他本人也參與很多歐盟項目，這些已經落地產品和上面的模型成功開發密不可分。 培訓分二部分，第一部分將介紹24GHz、60GHz和122GHz ISM波段的雷達收發器設計。此外，還將現場演示兩個寬帶收發器：一個工作在120GHz，帶寬為20GHz，另一個工作在300GHz，帶寬為40GHz。第二部分將重點介紹需要角分辨率的應用芯片，介紹集成的24GHz收發器（具有兩個發射通道和四個接收通道），60GHz可擴展收發器（具有四個接收通道和四個發射通道）, 79GHz可擴展收發器（具有四個接收通道和四個發射通道），120GHz收發器（帶兩個接收和一個發送通道）。