嵌入式系統(tǒng)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克股票交易代碼：CY）今日推出一款配備四串行外設(shè)接口（Quad SPI）的256Mb NOR閃存產(chǎn)品。借助Quad SPI的4KB統(tǒng)一扇區(qū)，全新的賽普拉斯FL-L NOR閃存可提供業(yè)內(nèi)最高的讀取帶寬和最快的編程速度，同時保證小巧的PCB布局。
2015-11-11 10:38:23
1038 在3年內(nèi)展開MRAM量產(chǎn)，也引起了業(yè)界高度的注目。韓媒指出， STT-MRAM是可望取代傳統(tǒng)DRAM、SRAM的新世代存儲器技術(shù)。與目前的NAND Flash相比，寫入速度快上10萬倍，而讀取速度則是快上接近10倍。
2016-08-01 11:04:32953 蘋果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:041500 的寫入速度，無限的耐用性，低待機(jī)和運(yùn)行能力以及更可靠的數(shù)據(jù)保留。 MR25H256ACDF產(chǎn)品圖片 特征?無寫入延遲?無限的寫續(xù)航力?數(shù)據(jù)保留超過20年?斷電時自動數(shù)據(jù)保護(hù)?阻止寫保護(hù)?快速，簡單
2020-04-27 14:26:39
、everspin代理、來?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS等多個品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。
2020-08-31 13:59:46
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲器的優(yōu)點(diǎn)，同時在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2022-02-11 07:23:03
的擦除操作，而且寫人時間也比閃存少幾個數(shù)量級。即使是與現(xiàn)有存儲器中性能較高的DRAM(讀取1寫入時間為30ns~50ns)相比，自旋注入MRAM的高性能仍然很突出。此外可擦寫次數(shù)超過1015次,和DRAM
2023-04-07 16:41:05
涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin MRAM在數(shù)據(jù)中心，云存儲，能源，工業(yè)，汽車和運(yùn)輸市場中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品，為全球MRAM用戶奠定了最強(qiáng)大，增長最快的基礎(chǔ)。Everspin代理宇芯電子為用戶提供產(chǎn)品技術(shù)指導(dǎo)以及解決方案等產(chǎn)品服務(wù)。
2020-08-12 17:42:01
的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。NOR flash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場的大部分。NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于
2020-11-19 09:09:58
板載256MB的NAND Flash，其扇區(qū)大小為128KB，uboot、linux內(nèi)核以及文件系統(tǒng)等都安裝在其中，NAND Flash的分區(qū)情況如表1所列。注：板載核心板以具體實(shí)物為準(zhǔn)，如不
2021-12-15 06:34:30
NAND 比NOR 便宜；NAND 的容量比NOR 大（指相同成本）；NAND 的擦寫次數(shù)是NOR 的十倍；NAND 的擦除和寫入速度比NOR 快，讀取速度比NOR 稍慢；1、NAND 和NOR
2021-12-23 06:52:55
正在研究的30 多種不同的非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)，一些技術(shù)已有小批量出貨。四種領(lǐng)先的技術(shù)提供了多方面勝過閃存的優(yōu)勢，如讀/寫速度快 100倍、可寫次數(shù)明顯更高，它們是相變內(nèi)存（PCM或PRAM）、鐵電隨機(jī)存取
2014-04-22 16:29:09
時）,更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進(jìn)行。因此,當(dāng)選擇存儲解決方案時,設(shè)計師必須權(quán)衡以下的各項(xiàng)因素。*NOR的讀取速度比NAND稍快一些。*NAND的寫入速度比NOR快很多。*NAND的擦除速度
2011-06-02 09:25:45
結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。● NOR的讀速度比NAND稍快一些。● NAND的寫入速度比NOR
2018-03-12 10:19:26
一般地址線和數(shù)據(jù)線共用，對讀寫速度有一定影響；而NOR Flash閃存數(shù)據(jù)線和地址線分開，所以相對而言讀寫速度快一些。 NAND和NOR芯片的共性首先表現(xiàn)在向芯片中寫數(shù)據(jù)必須先將芯片中對應(yīng)的內(nèi)容清空
2014-04-23 18:24:52
據(jù)線共用，對讀寫速度有一定影響；而NOR Flash閃存數(shù)據(jù)線和地址線分開，所以相對而言讀寫速度快一些。 NAND和NOR芯片的共性首先表現(xiàn)在向芯片中寫數(shù)據(jù)必須先將芯片中對應(yīng)的內(nèi)容清空，然后再寫入，也就
2013-04-02 23:02:03
我們一直遇到無法從 QuadSpi 閃存啟動的問題。我們有來自 Macronix MX66L2G45G (256MB) 和 MX66LM1G45G (128MB) 的兩種閃存變體
2023-03-21 08:12:31
MRAM，即磁阻式隨機(jī)訪問存儲器的簡稱，兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫性能與閃存存儲器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產(chǎn)品，解決了MRAM寫入信息
2021-12-10 07:06:51
自旋轉(zhuǎn)移扭矩磁阻隨機(jī)存取存儲器（STT-MRAM）是一種持久性存儲技術(shù)，可利用各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口提供性能，持久性和耐用性。 Everspin推出了STT-MRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品利用稱為JE-DDR4
2021-01-15 06:08:20
被禁用，它也不會被 linux 映射。
禁用內(nèi)存區(qū)域會立即釋放 256MB 內(nèi)存（僅禁用節(jié)點(diǎn)就足夠了，請參見下面的補(bǔ)丁）
上面的評論指出“僅由調(diào)整工具使用，可以在正常情況下刪除”因此可能沒有理由默認(rèn)啟用它，請向可能關(guān)心的人報告此信息（linux 上游 dtsi 不包含此部分)
2023-05-06 07:36:23
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運(yùn)行，但還允許系統(tǒng)設(shè)計人員利用MRAM的四倍隨機(jī)存取周期時間。Everspin
2023-04-07 16:26:28
速度23.5MB/S寫入速度12.3MB/S）標(biāo)準(zhǔn)的SD 2.0協(xié)議使得用戶可以直接移植標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動代碼，省去了驅(qū)動代碼編程環(huán)節(jié)。支持TF卡啟動的SOC都可以用SD NAND，提供STM32參考例程及原廠
2024-01-05 17:54:39
，優(yōu)化了控制器，這些產(chǎn)品還
提供更快的讀/寫
速度。讀取
速度提高約8%，而
寫入速度提高將近20%。 市場對于能夠支持智能手機(jī)、平板電腦等應(yīng)用的
NAND閃存的需求繼續(xù)增長。帶控制器的嵌入式內(nèi)存尤其供不應(yīng)求，因?yàn)?/div>
2018-09-13 14:36:33
在2019全球閃存峰會上，Everspin作為全球MRAM存儲芯片龍頭分享如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲的解決方案。
2021-01-11 06:44:23
NAND閃存技術(shù)已經(jīng)遠(yuǎn)離ML403板支持的CFI兼容性，您無法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項(xiàng)目僅限于Virtex 4平臺，由于速度需求，不能使用帶有MMC
2020-06-17 09:54:32
在Flash閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR 的傳輸效率很高，在1~4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響到它的性能。NAND的結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度
2022-06-16 17:22:00
方式要省一萬倍，比藍(lán)牙傳輸要省一千倍。省一萬倍電的被動Wi-Fi，再也不用擔(dān)心手機(jī)電量了LoloStock/Shutterstock.com據(jù)華盛頓大學(xué)Shyam Gollakota等人的研究，他們將
2016-03-09 18:02:12
請教下MIPS32處理器是否支持256MB以上物理RAM？內(nèi)核配置開了highmem還不能識別512MB
2020-05-28 11:57:37
？NAND FLASH到底是支持一個CE空間64MB還是256MB？2）通過EMIF16的NOR FLASH進(jìn)行BOOT時，支持的是8bit還是16bit總線，手冊中并沒有明確說明，我在硬件設(shè)計時無法選擇。3
2018-06-25 04:49:43
C6748NAND FLASH讀寫速度能達(dá)到多少呢？我測得寫入速度4.5MB/S左右，有點(diǎn)慢，請問這是正常速度嗎？
2019-09-10 10:05:42
熱穩(wěn)定性要求，這一點(diǎn)是非常重要的，甚至一個月的時間都太長了，能保持?jǐn)?shù)據(jù)2周就可以了。 考慮到MRAM寫入速度較低的缺點(diǎn)，降低熱穩(wěn)定性要求其實(shí)是好事一件，因?yàn)樗赡芨淖?b class="flag-6" style="color: red">MRAM的存儲單元，帶來提高數(shù)據(jù)寫入速度的可能，使得MRAM更加適合緩存的要求。
2020-04-15 14:26:57
專注于代理國內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS等多個品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。
2020-10-20 14:34:03
知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS等多個品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。
2020-07-02 16:33:58
串行MRAM以40MHz的時鐘速度高速運(yùn)行，沒有寫延遲。和傳統(tǒng)的EEPROM技術(shù)不同，MRAM允許無限次擦除。容量為256Kb到1Mb，數(shù)據(jù)保存時間長達(dá)20年以上。低電壓保護(hù)電路可在掉電時自動保護(hù)
2010-06-24 17:25:27
67 Spansion LLC宣布推出基于3V MirrorBit技術(shù)的PL-N產(chǎn)品線。該產(chǎn)品專為滿足無線手持設(shè)備對代碼存儲日益增長的需求而設(shè)計。這些256Mb產(chǎn)品建立在Spansion的1.8V產(chǎn)
2006-03-13 13:04:55776 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 磁性隨機(jī)存儲器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)廠商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM， 進(jìn)一步強(qiáng)化了該公司在MRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。現(xiàn)在，所有需要無電數(shù)據(jù)保持以及S
2011-01-07 09:11:291166 東芝公司（TOKYO：6502）旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，即日起開始提供符合JEDEC UFS［1］ 2.0版本標(biāo)準(zhǔn)的32GB和64GB嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨。
2014-05-04 16:00:411264 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 的存儲，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-12 01:07:11991 The 256Mb SDRAM is a high speed CMOS， dynamic random-access memory designed to operate in 3.3V Vdd
2017-09-20 09:52:2817 512GB和1TB的版本均采用TLC閃存，走PCIe 3.0 x4通道，最高連續(xù)讀取3200MB/s，最高寫入2400MB/s；4K隨機(jī)最寫入440K IOPS，最高讀取380K IOPS。
2017-10-16 11:03:253326 近日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了具有顛覆性的二維半導(dǎo)體準(zhǔn)非易失存儲原型器件，開創(chuàng)了第三類存儲技術(shù)，寫入速度比目前U盤快一萬倍，數(shù)據(jù)存儲時間也可自行決定。這解決了國際半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。
2018-04-13 10:05:094230 
在此演示中，Everspin演示了基于STT-MRAM的NVMe存儲加速器提供了卓越的延遲確定性，可為Apache Log4J等應(yīng)用程序啟用低延遲寫入緩沖區(qū)。
2018-11-23 05:55:003220 Everspin 近日宣布，其已開始試生產(chǎn)最新的 1Gb STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻）非易失性隨機(jī)存取器。
2019-06-27 08:59:439837 Pmod SF3通過使用Micron的NOR閃存（N25Q256A）為用戶提供32MB的外接非易失性存儲器。通過使用SPI協(xié)議，用戶可以對閃存進(jìn)行寫入和讀取。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
2019-11-28 14:32:401127 
RAM（MRAM）產(chǎn)品商業(yè)制造商。Everspin產(chǎn)品憑借其非常成功的ToggleMRAM技術(shù)，被用于從汽車，航空和存儲系統(tǒng)到工業(yè)自動化，航空航天等領(lǐng)域的各種應(yīng)用。我司英尚微電子everspin代理,主要提供用戶各種容量大小的MRAM芯片產(chǎn)品,提供完善的產(chǎn)品技術(shù)和解決方案。 Eve
2020-03-25 16:02:57820 Everspin是專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)MRAM、STT-MRAM等半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商，在包括40nm，28nm及更高的技術(shù)節(jié)點(diǎn)在內(nèi)的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ
2020-04-07 17:16:07579 ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領(lǐng)先地位。 Toggle MRAM為許多行業(yè)提供服務(wù)，包括交通運(yùn)輸，航空航天和醫(yī)療，物聯(lián)網(wǎng)及工業(yè)。Everspin與全球能源管理和自動化專家Schneider
2020-04-09 09:28:05680 結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領(lǐng)先地位。英尚微電子作為everspin的核心代理商,所提供的MRAM具有高度可靠的數(shù)據(jù)存儲.沒有寫延遲，并且讀/寫壽命不受限制。 產(chǎn)品描述
2020-04-15 17:27:05844 Everspin的MRAM技術(shù)具高可靠性、快速讀/寫、即時開啟、非揮發(fā)性、和無限次擦除等特性。Everspin的產(chǎn)品組合包括提供BGA和TSOP兩種可選封裝、容量從256Kb到16Mb的8位和16
2020-04-25 11:11:33905 
Everspin擁有包括40nm，28nm及更高技術(shù)節(jié)點(diǎn)在內(nèi)的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。Everspin生產(chǎn)基于180nm，130nm
2020-04-30 16:26:21525 Everspin的合作伙伴CAES他們共同開發(fā)的Toggle MRAM在太空應(yīng)用中的多功能性和性能。CAES是太空存儲器市場的翹楚，并基于Everspin的技術(shù)交付生產(chǎn)級，符合太空要求的磁阻
2020-05-14 12:01:15722 Everspin MR25H40-4Mb SPI串行接口MRAM適用于醫(yī)療設(shè)備中的非易失存儲器，例如在醫(yī)用呼吸中，4Mb （MR25H40）的MRAM可用于存儲操作軟件程序變量。存儲在MRAM的數(shù)據(jù)
2020-06-02 15:09:01890 MRAM是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠?qū)⒋鎯Υ鎯ζ鞯拿芏扰cSRAM的速度結(jié)合在一起，同時始終保持非易失性和高能效。Everspin MRAM可以抵抗
2020-07-17 15:36:19681 
高密度MRAM作為新興內(nèi)存的潛力取代DRAM和閃存等現(xiàn)有設(shè)備，通常使它已經(jīng)成功取代Toggle MRAM形式的成熟技術(shù)的陰影。 對于Everspin而言，Toggle MRAM的成功正在
2020-07-28 11:26:41891 Everspin器件是一個40MHz/50MHz MRAM，工作于2.7V-3.6V，標(biāo)稱Vdd=3.3V，而SPI FRAM具有更寬的工作電壓范圍（1.8V至3.6V）。在使用SPI-MRAM替換
2020-08-27 10:17:36297 Everspin是設(shè)計制造MRAM、STT-MRAM的翹楚，其市場和應(yīng)用涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。 在磁存儲器設(shè)計，制造和交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識和經(jīng)驗(yàn)以及在平面內(nèi)和垂直磁隧道
2020-08-28 14:19:13434 經(jīng)過超過八年的MRAM研發(fā)，Everspin MR2A16A是第一款4Mbit MRAM商業(yè)設(shè)備。該器件采用256K x 16位配置（圖1），并具有異步設(shè)計，帶有標(biāo)準(zhǔn)的芯片，寫入和輸出使能引腳
2020-09-21 14:09:49392 
中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品。Everspin一級代理英尚微電子提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。 MRAM涉及汽車應(yīng)用。對于碰撞記錄器，MRAM可以在事故發(fā)生時收集和存儲更多數(shù)據(jù)，并幫助確定車輛事故或故障的原因。 使用傳感器的汽車應(yīng)用可以受益于MRAM。由于傳感器連續(xù)地寫入數(shù)據(jù)
2020-09-18 14:13:16698 。串行MRAM實(shí)現(xiàn)了當(dāng)今SPI EEPROM和閃存組件通用的命令子集，從而允許MRAM替換同一插槽中的這些組件并在共享SPI總線上進(jìn)行互操作。與可用的串行存儲器替代方案相比，串行MRAM具有卓越的寫入速度，無限的耐用性，低待機(jī)和運(yùn)行能力以及更可靠的數(shù)據(jù)保留。 對于MRAM，基于Everspin
2020-09-19 09:33:052657 Everspin MRAM內(nèi)存技術(shù)是如何工作的？ Everspin MRAM與標(biāo)準(zhǔn)CMOS處理集成 Everspin MRAM基于與CMOS處理集成的磁存儲元件。每個存儲元件都將一個磁性隧道
2020-09-19 09:52:051749 高密度MRAM具有非常低的功率，高的讀取速度，非常高的數(shù)據(jù)保留能力和耐久性，適用于廣泛的應(yīng)用。單元面積僅為0.0456平方微米，讀取速度為10ns，讀取功率為0.8mA/MHz/b，在低功耗待機(jī)模式
2020-09-19 11:51:073766 新芯全線量產(chǎn)50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品，容量覆蓋16MB到256MB，也令業(yè)界對NOR閃存的關(guān)注度進(jìn)一步提升。
2020-09-20 09:44:082665 Everspin是設(shè)計制造MRAM到市場和應(yīng)用的翹楚，在這些市場和應(yīng)用中，數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性是至關(guān)重要。MR25H40VDF是一個4194，304位MRAM設(shè)備系列，組織
2020-10-09 16:28:10899 MRAM己經(jīng)成為存儲芯片行業(yè)的一個技術(shù)熱點(diǎn).Everspin公司成為第一家提供商用產(chǎn)品的公司。Everspin MR2A16A是全球第一款商用MRAM產(chǎn)品。 該芯片基于Toggle寫入模式，并與采用
2020-10-26 14:40:191670 MRAM是一種以電阻為存儲方式結(jié)合非易失性及隨機(jī)訪問兩種特性，可以兼做內(nèi)存和硬盤的新型存儲介質(zhì)。寫入速度可達(dá)NAND閃存的數(shù)千倍，此外...
2020-12-10 20:55:10274 everspin的MR25H10是一個1,048,576位磁阻隨機(jī)存取存儲器（MRAM）設(shè)備，由131,072個8位字組成。MR25H10提供串行EEPROM和串行閃存兼容的讀...
2020-12-10 21:09:06139 在ISSCC 2020上臺積電呈現(xiàn)了其基于ULL 22nm CMOS工藝的32Mb嵌入式STT－MRAM。該MRAM具有10ns的讀取速度，1M個循環(huán)的寫入耐久性，在150度下10年以上的數(shù)據(jù)保持能力和高抗磁場干擾能力。
2020-12-24 15:51:14614 Everspin Technologies，Inc是設(shè)計制造MRAM和STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin MRAM產(chǎn)品
2021-01-16 11:28:23531 （Chandler）設(shè)有制造工廠。everspin代理宇芯電子可提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持服務(wù)。 Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM
2021-04-26 14:25:21479 
寫入問題確實(shí)是NAND閃存的在企業(yè)級應(yīng)用中的一個限制么？
2021-04-01 17:50:562894 Everspin半導(dǎo)體為環(huán)境苛刻的應(yīng)用，如軍事、航空航天、工業(yè)和汽車系統(tǒng)等提供非易失性存儲技術(shù)。Angstrom Aerospace在其磁力計子系統(tǒng)中使用Everspin的溫度范圍更大的4Mbit
2021-04-30 17:17:53325 Everspin公司型號EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）是非易失性存儲器，在DDR3速度下具有非揮發(fā)性和高耐久性。該設(shè)備能夠以高達(dá)
2021-05-08 15:47:56713 
今天介紹Everspin的MR25H40非易失性存儲器MRAM如何在RIM的三相智能電表中提供強(qiáng)大的系統(tǒng)存儲優(yōu)勢。 Everspin的4Mbit MR25H40 MRAM專為需要數(shù)據(jù)完整性，內(nèi)存
2021-05-11 17:15:59382 的速度寫入數(shù)據(jù)，同時在發(fā)生總功耗之前保留數(shù)據(jù)。Everspin串行mram是必須使用最少數(shù)量的引腳快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用的理想存儲器。
2021-06-23 16:16:26705 Everspin公司生產(chǎn)的MRAM用于數(shù)據(jù)持久性和應(yīng)用的市場和應(yīng)用。Everspin MRAM應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心和云存儲、汽車和運(yùn)輸市場。MRAM是一種利用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲器的潛力——能夠?qū)⒋鎯Υ鎯ζ鞯拿芏扰c SRAM 的速度相結(jié)合，同時具有非易失性和節(jié)能性。
2021-08-17 16:26:191926 MRAM像SRAM一樣是快速寫入的，而像Flash一樣也是非易失性的，但是不需要頁面擦除或長寫入周期。事件數(shù)據(jù)可以以總線速度保存到MRAM，并且即使意外斷電或掉電也可以保持持久性。本篇
2021-09-28 16:51:52959 文章介紹一些應(yīng)用在血液透析機(jī)上的非易失性MRAM. 血液透析機(jī)使用Everspin 4Mb和16Mb MRAM產(chǎn)品是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">MRAM固有的非易失性、不需要電池或電容器、無限的非易失性寫入耐久性和非易失性寫入周期和讀取周期的高速。這些獨(dú)特的MRAM屬性提高了
2021-11-11 16:26:49390 MRAM速度快且非易失性。實(shí)時監(jiān)控的傳感器數(shù)據(jù)可以實(shí)時寫入，無需負(fù)載均衡或ECC開銷。AEC-Q1001級合格MRAM將在發(fā)動機(jī)罩下應(yīng)用的擴(kuò)展溫度（-40℃至125℃）內(nèi)保留數(shù)據(jù)20年。意外斷電不會
2021-12-07 17:30:24310 Everspin Technologies，Inc是設(shè)計制造MRAM和STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。E...
2022-01-25 19:29:143 Everspin是設(shè)計制造MRAM、STT-MRAM的翹楚，其市場和應(yīng)用涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。在磁存儲器設(shè)計，制造和交付...
2022-01-26 18:14:019 大、最迅速的基礎(chǔ)。 MR25H40CDF是Everspin 旗下一款容量為4Mb的磁阻隨機(jī)存取存儲器 （MRAM）。位寬512
2022-03-15 15:45:22527 Everspin?MRAM解決方案供應(yīng)商推出了用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統(tǒng)的EMxxLX xSPI MRAM 非易失性存儲器解決方案。該解決方案可以替代SPI NOR/NAND閃存的方案，其讀寫速度
2022-06-29 17:08:02843 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《帶有A13 ARM SOC 256MB RAM的嵌入式Linux板-A13-OLinuXino-MICRO.zip》資料免費(fèi)下載
2022-07-04 14:18:121 4300 MB/s的順序讀取速度和最高4000 MB/s的順序寫入速度。這也是首個使用六平面NAND架構(gòu)的UFS 4.0存儲產(chǎn)品，號稱可以給智能手機(jī)提供更強(qiáng)性能。 美光新一代的UFS 4.0模塊能夠
2023-07-19 19:02:21865 據(jù)了解，恒爍股份公司的nor flash產(chǎn)品覆蓋1mb~256mb容量的再系列產(chǎn)品，可以滿足大容量、中小容量顧客的需求，目前公司的重大容量產(chǎn)品銷售比小容量產(chǎn)品占更多的比重。
2023-12-04 09:46:29204 NAND Flash的寫入速度和擦除速度會受到多種因素的影響，包括Flash芯片的具體型號、制造工藝、以及操作環(huán)境等。因此，無法給出確切的數(shù)值。
2024-02-19 12:41:55697 芯片燒錄行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者-昂科技術(shù)近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號列表，其中Macronix旺宏電子的256Mb位串行NOR閃存MX25L25673GM已經(jīng)被昂科的通用燒錄平臺AP8000所支持。
2024-03-01 19:19:3060 
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