MEM CARD COMPACTFLASH 256MB SLC
2024-03-14 23:00:25
存儲(chǔ)卡 CompactFlash? 256MB SLC
2024-03-14 23:00:25
MODULE DDR SDRAM 256MB 200SODIMM
2024-03-14 22:37:56
MODULE DDR SDRAM 256MB 200SODIMM
2024-03-14 22:37:55
MODULE DDR SDRAM 256MB 200SODIMM
2024-03-14 22:37:55
MODULE DDR SDRAM 256MB 200SODIMM
2024-03-14 22:37:54
MODULE DDR SDRAM 256MB 200SODIMM
2024-03-14 22:37:54
MODULE DDR SDRAM 256MB 200SODIMM
2024-03-14 22:37:54
存儲(chǔ)卡 SD? 256MB SLC
2024-03-14 20:16:53
存儲(chǔ)卡 SD? 256MB SLC
2024-03-14 20:16:53
芯片燒錄行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者-昂科技術(shù)近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號(hào)列表,其中Macronix旺宏電子的256Mb位串行NOR閃存MX25L25673GM已經(jīng)被昂科的通用燒錄平臺(tái)AP8000所支持。
2024-03-01 19:19:3059 轉(zhuǎn)矩和扭矩不是完全相同的概念,盡管它們?cè)谀承┣闆r下可以相互轉(zhuǎn)換使用。轉(zhuǎn)矩和扭矩分別是力學(xué)和工程學(xué)中的兩個(gè)重要概念,它們用于描述物體受到力的作用時(shí)所產(chǎn)生的旋轉(zhuǎn)效應(yīng)。 首先,我們必須理解轉(zhuǎn)矩和扭矩的定義
2024-02-20 13:53:23323 臺(tái)積電近日宣布,與工研院合作開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器(SOT-MRAM)陣列芯片,該芯片具有極低的功耗,僅為其他類似技術(shù)的1%。這一創(chuàng)新技術(shù)為次世代存儲(chǔ)器領(lǐng)域帶來了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346 據(jù)報(bào)道,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電在次世代MRAM存儲(chǔ)器相關(guān)技術(shù)方面取得了重大進(jìn)展。該公司成功開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器(SOT-MRAM)陣列芯片,并搭配創(chuàng)新的運(yùn)算架構(gòu),使其功耗僅為其他類似技術(shù)的1%。
2024-01-19 14:35:126646 堵轉(zhuǎn)扭矩和額定扭矩是涉及機(jī)械和工程領(lǐng)域的兩個(gè)關(guān)鍵概念。在理解這兩個(gè)概念之前,我們需要先了解一下扭矩的概念。 扭矩是用來描述施加在物體上的“旋轉(zhuǎn)力”的物理量,其公式可以表示
2024-01-16 14:49:28423 。本文將詳細(xì)介紹扭矩傳感器的原理、類型和工作方式。 一、扭矩傳感器的原理 扭矩傳感器基于應(yīng)變片的電測(cè)轉(zhuǎn)換原理,將扭矩轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。當(dāng)物體受到外力作用時(shí),會(huì)產(chǎn)生應(yīng)變,導(dǎo)致其尺寸和形狀發(fā)生變化。通過測(cè)量這種應(yīng)變,可
2024-01-06 08:44:26450 最近,Imec公布的超大規(guī)模自旋軌道轉(zhuǎn)移MRAM (SOT-MRAM) 器件已實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄的性能,每比特開關(guān)能量低于100飛焦耳,耐用性超過10的15次方。
2024-01-05 11:47:18429 在進(jìn)行多片DDR設(shè)計(jì)的時(shí)候,通常DDR會(huì)存在拓?fù)浣Y(jié)構(gòu), 下面我們將詳細(xì)介紹一下各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的區(qū)別以以及應(yīng)用場(chǎng)景。 首先我們先介紹一下,當(dāng)只存在一片DDR的時(shí)候通常是采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的連接方式,點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的布線
2023-12-26 07:45:01327 在電機(jī)學(xué)中,電機(jī)轉(zhuǎn)速和扭矩是非常重要的參數(shù),在實(shí)際應(yīng)用中,電機(jī)轉(zhuǎn)速和扭矩的計(jì)算公式也使用得非常頻繁,本文詳細(xì)介紹扭矩的計(jì)算公式和轉(zhuǎn)速計(jì)算公式
2023-12-25 09:41:59879 eMMC版本和256MB DDR3L內(nèi)存加256MB SPI Nand版本。OK113i-S開發(fā)板將核心板的功能
接口資源豐富、提供多種外設(shè)接口,如網(wǎng)卡、CPU內(nèi)置音頻Codec、ADC、TF Card
2023-12-24 20:51:28
規(guī)格,分別是512MB DDR3L內(nèi)存加8GB eMMC版本和256MB DDR3L內(nèi)存加256MB SPI Nand版本。OK113i-S開發(fā)板將核心板的功能接口資源豐富、提供多種外設(shè)接口,如網(wǎng)卡、CPU內(nèi)置音頻Codec、ADC、TF Card、LVDS、RGB、WIFI、4G等功能接口。
2023-12-23 16:15:01423 據(jù)了解,恒爍股份公司的nor flash產(chǎn)品覆蓋1mb~256mb容量的再系列產(chǎn)品,可以滿足大容量、中小容量顧客的需求,目前公司的重大容量產(chǎn)品銷售比小容量產(chǎn)品占更多的比重。
2023-12-04 09:46:29204 下面我會(huì)分析一下自旋鎖,并代碼實(shí)現(xiàn)自旋鎖和互斥鎖的性能對(duì)比,以及利用C++11實(shí)現(xiàn)自旋鎖。 一:自旋鎖(spin lock) 自旋鎖是一種用于保護(hù)多線程共享資源的鎖,與一般互斥鎖(mutex
2023-11-11 16:48:23679 3是目前使用最為廣泛的計(jì)算機(jī)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),它已經(jīng)服務(wù)了計(jì)算機(jī)用戶多年。但是,DDR4內(nèi)存隨著技術(shù)的進(jìn)步,成為了更好的內(nèi)存選擇。本文將詳細(xì)介紹DDR4和DDR3內(nèi)存的各種區(qū)別。 1. 工作頻率 DDR3內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為1600MHz,而DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)則為2133MHz。這意味著DDR4內(nèi)存的傳輸速度
2023-10-30 09:22:003893 經(jīng)得起市場(chǎng)的檢驗(yàn)
2. 環(huán)境介紹
硬件環(huán)境: ArmSoM-W3 RK3588開發(fā)板
軟件版本: OS:ArmSoM-W3 Debian11
3. ArmSoM-W3 DDR帶寬測(cè)試方案
2023-10-13 10:17:38
卡片電腦,它可以運(yùn)行Android 4.4、Ubuntu 和 Debian 等操作系統(tǒng)。悟空派開發(fā)板使用全志 H3 系統(tǒng)級(jí)芯片,同時(shí)擁有 256MB/512MB DDR3 內(nèi)存。
上電測(cè)試:
找到一根
2023-09-30 19:03:11
產(chǎn)品型號(hào)
主芯片
內(nèi)存
存儲(chǔ)器
工作溫度
MYC-YF135-256N256D-100-I
STM32MP135DAF7
256MB DDR3L
256MB Nand Flash
-40℃~+85
2023-09-30 15:24:39
;
支持千兆以太網(wǎng)接口、2個(gè)CAN接口、2個(gè)USB2.0接口、6個(gè)UART功能接口;
內(nèi)置128MB DDR3,支持256MB Nand Flash和4G eMMC存儲(chǔ);
核心板采用郵票孔方式連接,尺寸
2023-09-09 18:07:13
悟空派是一款開源的單板卡片電腦,新一代的arm開發(fā)板,它可以運(yùn)行Android 4.4、Ubuntu 和 Debian 等操作系統(tǒng)。悟空派開發(fā)板 (悟空派H3 Zero) 使用全志 H3 系統(tǒng)級(jí)芯片,同時(shí)擁有 256MB/512MB DDR3 內(nèi)存。
2023-09-07 11:10:22
研華工業(yè)網(wǎng)關(guān)ECU-1051作為一款功能強(qiáng)大的工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)云智能通信網(wǎng)關(guān),配備了TI Cortex A8 600MHz CPU和DDR3L 256MB RAM,以確保高效的處理能力和穩(wěn)定的性能。
2023-08-29 10:33:13322 MCU200T的DDR3在官方給的如下圖兩份文件中都沒有詳細(xì)的介紹。
在introduction文件中只有簡(jiǎn)略的如下圖的一句話的介紹
在schematic文件中也沒有明確表明每個(gè)接口的具體信息
2023-08-17 07:37:34
使用的是DDR200T,它板載了512M DDR3L的內(nèi)存,跑的的一個(gè)UX600的demosoc.
修改gcc_demooc_ddr.ld,讓LENGTH長(zhǎng)度之和超過256M,比方這里是257M
2023-08-11 08:12:14
自旋鎖 自旋鎖與互斥鎖很相似,在訪問共享資源之前對(duì)自旋鎖進(jìn)行上鎖,在訪問完成后釋放自旋鎖(解鎖);事實(shí)上,從實(shí)現(xiàn)方式上來說,互斥鎖是基于自旋鎖來實(shí)現(xiàn)的,所以自旋鎖相較于互斥鎖更加底層。 自旋鎖與互斥
2023-07-21 11:19:527256 ? 0 1?引言?? 自旋輸運(yùn)的調(diào)控一直是自旋電子學(xué)研究領(lǐng)域的中心課題。到目前為止,沿著這條路線兩個(gè)著名的發(fā)現(xiàn)是半金屬輸運(yùn)和純自旋流的預(yù)測(cè),前者實(shí)現(xiàn)了100%自旋極化的單自旋輸運(yùn),后者表征為兩個(gè)自旋
2023-06-28 17:39:18479 CD1050動(dòng)態(tài)旋轉(zhuǎn)扭矩傳感器是不銹鋼結(jié)構(gòu),安裝有金屬應(yīng)變片組成的惠斯通電橋,另外有內(nèi)置放大器的放大輸出型號(hào)。下面給大家介紹下用于協(xié)作機(jī)器人的CD1050扭矩傳感器。
2023-06-05 17:47:15408 CD1140扭矩傳感器用于測(cè)量扭矩。 在許多實(shí)際應(yīng)用中,我們不能直接分析和測(cè)量系統(tǒng)的受力,而需要使用扭矩來測(cè)量和評(píng)估其性能。扭矩傳感器是測(cè)量扭矩的扭矩的傳感器。 它可以分為兩類:動(dòng)態(tài)的和靜態(tài)的。 動(dòng)態(tài)扭矩傳感器也可以稱為扭矩傳感器、扭矩速度傳感器、非接觸式扭矩傳感器和旋轉(zhuǎn)式扭矩傳感器。
2023-05-30 17:36:00502 HPM6750手冊(cè)中支持256MB,但是地址線只有13位.
是否支持?jǐn)U展到256MB?
2023-05-26 07:24:38
MES50HP 開發(fā)板簡(jiǎn)介
MES50HP 開發(fā)板集成兩顆 4Gbit(512MB)DDR3 芯片,型號(hào)為 MT41K256M16。DDR3 的總線寬度共為 32bit。DDR3 SDRAM 的最高
2023-05-19 14:28:45
被禁用,它也不會(huì)被 linux 映射。
禁用內(nèi)存區(qū)域會(huì)立即釋放 256MB 內(nèi)存(僅禁用節(jié)點(diǎn)就足夠了,請(qǐng)參見下面的補(bǔ)?。?上面的評(píng)論指出“僅由調(diào)整工具使用,可以在正常情況下刪除”因此可能沒有理由默認(rèn)啟用它,請(qǐng)向可能關(guān)心的人報(bào)告此信息(linux 上游 dtsi 不包含此部分)
2023-05-06 07:36:23
點(diǎn)擊藍(lán)字 關(guān)注我們 動(dòng)態(tài)扭矩測(cè)試臺(tái)定制 電機(jī)檢測(cè)系統(tǒng)以磁粉制動(dòng)器為制動(dòng)源,通過張力控制器驅(qū)動(dòng)控制轉(zhuǎn)矩,可用于檢測(cè)電機(jī)、減速機(jī)等產(chǎn)品 ? ? ? 各種旋轉(zhuǎn)扭矩測(cè)試 適用于各類旋轉(zhuǎn)場(chǎng)景的扭矩測(cè)量 最小
2023-05-05 16:40:59325 可應(yīng)用 ? ? ? 系統(tǒng)簡(jiǎn)介 本系統(tǒng)用于測(cè)試電機(jī)的綜合性能 ? ? ? 各種旋轉(zhuǎn)扭矩測(cè)試 適用于各類旋轉(zhuǎn)場(chǎng)景的扭矩測(cè)量 最小可監(jiān)測(cè)0.00001N.m ? ? ? 軟件界面說明簡(jiǎn)介 ? ? ? 實(shí)拍展示 審核編輯?黃宇 ?
2023-05-05 16:40:49302 傳遞正反扭矩信號(hào)??梢詡鬟f靜止/旋轉(zhuǎn)/靜態(tài)/動(dòng)態(tài)扭矩信號(hào)。 產(chǎn)品介紹 優(yōu)選彈性體? 42CrMoA合金鋼 選用撫順鋼材42CrMoA合金鋼,抗機(jī)械疲勞性能強(qiáng),淬透性好。 中航工業(yè)高精度應(yīng)變片 耐熱性好,蠕變小,熱滯后小,長(zhǎng)期穩(wěn)定性好,測(cè)量精度高,而且可以
2023-04-20 02:59:18164 自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn),同時(shí)在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器,因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見表1)。具體在功能方面,自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運(yùn)行,但還允許系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員利用MRAM的四倍隨機(jī)存取周期時(shí)間。Everspin
2023-04-07 16:26:28
MODULE SOM LX800 GEODE 256MB DDR
2023-04-06 11:27:26
MRAM磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器 2.7V~3.6V 256Mb
2023-04-06 11:14:58
UX60-MB-5ST
2023-03-29 22:37:37
MODULE DDR SDRAM 256MB 184UDIMM
2023-03-29 21:27:41
MODULE DDR SDRAM 256MB 184UDIMM
2023-03-29 21:27:41
MOD DDR2 SDRAM 256MB 200SODIMM
2023-03-29 21:27:40
MODULE DDR SDRAM 256MB 200SODIMM
2023-03-29 21:27:40
MODULE DDR SDRAM 256MB 100UDIMM
2023-03-29 21:27:39
MODULE DDR SDRAM 256MB 200SODIMM
2023-03-29 21:27:39
MODULE DDR2 SDRAM 256MB 240RDIMM
2023-03-29 21:27:37
MODULE DDR2 SDRAM 256MB 240RDIMM
2023-03-29 21:27:37
MODULE DDR2 SDRAM 256MB 240RDIMM
2023-03-29 21:27:36
MODULE DDR2 SDRAM 256MB 240RDIMM
2023-03-29 21:27:36
MODULE DDR SDRAM 256MB 184RDIMM
2023-03-29 21:27:30
MODULE DDR SDRAM 256MB 200SODIMM
2023-03-29 21:27:29
MODULE DDR SDRAM 256MB 200SODIMM
2023-03-29 21:27:28
MODULE DDR SDRAM 256MB 184UDIMM
2023-03-29 21:27:28
Memory Card CompactFlash? 256MB
2023-03-29 21:27:27
Memory Card FLASH 256MB
2023-03-29 21:27:25
MEMORY CARD FLASH 256MB
2023-03-29 21:27:25
MEMORY CARD 256MB
2023-03-29 20:05:37
DDR1 256MB SODIMM
2023-03-29 19:25:50
MOD DDR2 SDRAM 256MB 244MRDIMM
2023-03-29 19:25:22
MOD DDR2 SDRAM 256MB 244MRDIMM
2023-03-29 19:25:21
MOD DDR2 SDRAM 256MB 244MRDIMM
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MOD DDR2 SDRAM 256MB 244MRDIMM
2023-03-29 19:25:21
MODULE DDR SDRAM 256MB 184RDIMM
2023-03-29 19:25:11
MODULE DDR SDRAM 256MB 200SODIMM
2023-03-29 19:25:10
MODULE DDR SDRAM 256MB 184UDIMM
2023-03-29 19:25:07
MEM CARD COMPACTFLASH 256MB SLC
2023-03-29 19:24:53
MEM CARD COMPACTFLASH 256MB SLC
2023-03-29 19:24:52
Memory Card CompactFlash? 256MB SLC
2023-03-29 19:24:52
MEMORY CARD COMPACTFLASH 256MB
2023-03-29 19:24:50
MEM CARD COMPACTFLASH 256MB SLC
2023-03-29 19:24:50
MEM CARD COMPACTFLASH 256MB SLC
2023-03-29 19:24:50
MEM CARD COMPACTFLASH 256MB SLC
2023-03-29 19:24:39
MEM CARD COMPACTFLASH 256MB SLC
2023-03-29 19:24:39
MEMORY CARD SD 256MB SLC
2023-03-29 19:24:39
Memory Card CompactFlash? 256MB SLC
2023-03-29 19:24:37
MEM CARD COMPACTFLASH 256MB SLC
2023-03-29 19:24:36
Memory Card SD? 256Mb SLC
2023-03-29 19:24:36
Memory Card SD? 256Mb SLC
2023-03-29 19:24:36
MEMORY CARD SD 256MB SLC
2023-03-29 19:24:26
MEMORY CARD MICROSD 256MB SLC
2023-03-29 19:24:19
UX60A-MB-5ST
2023-03-29 17:27:15
在PLC(可編程邏輯控制器)產(chǎn)品中,MRAM芯片的應(yīng)用也日漸普及,本文將介紹MRAM芯片應(yīng)用于PLC產(chǎn)品上的特性。--代理商:吉芯澤科技
2023-03-29 16:31:221169 SERIAL FLASH, 256MB
2023-03-27 13:52:40
SERIAL FLASH, 256MB
2023-03-27 13:52:34
SERIAL FLASH, 256MB
2023-03-27 13:48:05
SERIAL FLASH, 256MB
2023-03-27 13:48:05
SERIAL FLASH, 256MB
2023-03-27 13:48:04
SERIAL FLASH, 256MB
2023-03-27 13:23:51
FALCON 256MB DDR3 HALOGEN FREE +
2023-03-27 12:55:32
評(píng)論
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