新思科技公司（Synopsys）在過去五年多與行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者合作共同開發(fā)了對(duì)FinFET技術(shù)的支持，通過提供經(jīng)生產(chǎn)驗(yàn)證的設(shè)計(jì)工具與IP來推進(jìn)對(duì)FinFET技術(shù)的采用。
2013-02-19 10:42:54
823 那么20納米的平面型晶體管還有市場(chǎng)價(jià)值么？這是一個(gè)很好的問題，就在此時(shí)，在2013年初，20nm的平面型晶體管技術(shù)將會(huì)全面投入生產(chǎn)而16納米/14納米 FinFET器件的量產(chǎn)還需要一到兩年，并且還有
2013-03-15 09:02:541989 
大家都在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">FinFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個(gè)人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜 （FDSOI）的人，都認(rèn)為20 nm節(jié)點(diǎn)以后，FinFET將成為SoC的未來。但是對(duì)于要使用這些SoC的系統(tǒng)開發(fā)人員而言，其未來會(huì)怎樣呢？
2013-12-09 13:49:542325 在近期內(nèi)，從先進(jìn)的芯片工藝路線圖中看已經(jīng)相當(dāng)清楚。芯片會(huì)基于今天的FinFET工藝技術(shù)或者另一種FD SOI工藝的平面技術(shù)，有望可縮小到10nm節(jié)點(diǎn)。但是到7nm及以下時(shí)，目前的CMOS工藝路線圖已經(jīng)不十分清晰。大量的金錢和精力都花在探索FinFET工藝，它會(huì)持續(xù)多久和為什么要替代他們？
2014-02-25 10:16:565279 當(dāng)今，英特爾在FinFET制程上仍屬于佼佼者，其他半導(dǎo)體廠商正嘗試開發(fā)3D FinFET與英特爾抗衡。IBM同樣在FinFET制程上表現(xiàn)突出，這也是英特爾的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。
2014-10-22 10:17:591615 昨日臺(tái)積電官方宣布，16nm FinFET Plus（簡(jiǎn)稱16FF+）工藝已經(jīng)開始風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。16FF+是標(biāo)準(zhǔn)的16nm FinFET的增強(qiáng)版本，同樣有立體晶體管技術(shù)在內(nèi)，號(hào)稱可比20nm SoC平面工藝性能提升最多40％，或者同頻功耗降低最多50％。
2014-11-14 09:31:582127 打開這一年來半導(dǎo)體最熱門的新聞，大概就屬FinFET了，例如：iPhone 6s內(nèi)新一代A9應(yīng)用處理器采用新晶體管架構(gòu)很可能為鰭式晶體管（FinFET），代表FinFET開始全面攻占手機(jī)處理器，三星
2015-09-19 16:48:004522 
獲得英 特爾（Intel）、三星、臺(tái)積電（TSMC）等大廠采用的FinFET制程，號(hào)稱能提供最高性能與最低功耗；但Jones指出，在約當(dāng)14納米節(jié) 點(diǎn)，F(xiàn)D-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%，此外其設(shè)計(jì)成本也低25%左右，并降低了需要重新設(shè)計(jì)的風(fēng)險(xiǎn)。
2016-09-14 11:39:021835 
FinFET稱為鰭式場(chǎng)效晶體管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管。
2017-02-04 10:30:2214159 
基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS（on），同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級(jí)結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前
2017-08-25 14:36:2031083 
MOS柵結(jié)構(gòu)是MOSFET的重要組成部分，一個(gè)典型的N溝道增強(qiáng)型結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示。其中柵極、源極和漏極位于同一個(gè)平面內(nèi)，半導(dǎo)體的另一個(gè)平面可以稱為體端，所以在一些書籍和資料中，也將MOSFET
2022-09-06 10:53:004095 功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個(gè)管腳，分別為柵極（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
當(dāng)前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類，是按照柵極溝道的形狀來區(qū)分的，平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:074310 
功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三個(gè)管腳，分別為柵極（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
本文簡(jiǎn)述功率在轉(zhuǎn)換器電路中的轉(zhuǎn)換傳輸過程，針對(duì)開關(guān)器件MOSFET在導(dǎo)通和關(guān)斷瞬間，產(chǎn)生電壓和電流尖峰的問題，進(jìn)而產(chǎn)生電磁干擾現(xiàn)象，通過對(duì)比傳統(tǒng)平面MOSFET與超結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)和參數(shù)，尋找使用超結(jié)MOSFET產(chǎn)生更差電磁干擾的原因，進(jìn)行分析和改善。
2023-08-29 14:14:25440 
今天分享另一篇網(wǎng)上流傳很廣的22nm 平面 process flow. 有興趣的可以與上一篇22nm gate last FinFET process flow 進(jìn)行對(duì)比學(xué)習(xí)。 言歸正傳，接下來介紹平面工藝最后一個(gè)節(jié)點(diǎn)22nm process flow。
2023-11-28 10:45:514257 
現(xiàn)在，隨著FinFET存儲(chǔ)器的出現(xiàn)，需要克服更多的挑戰(zhàn)。這份白皮書涵蓋：FinFET存儲(chǔ)器帶來的新的設(shè)計(jì)復(fù)雜性、缺陷覆蓋和良率挑戰(zhàn)；怎樣綜合測(cè)試算法以檢測(cè)和診斷FinFET存儲(chǔ)器具體缺陷；如何通過內(nèi)建自測(cè)試（BIST）基礎(chǔ)架構(gòu)與高效測(cè)試和維修能力的結(jié)合來幫助保證FinFET存儲(chǔ)器的高良率。
2016-09-30 13:48:242721 
橫向?qū)щ姷?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET，如下圖所示，這個(gè)結(jié)構(gòu)及其工作原理以前的文章介紹過：功率MOSFET的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)，其由三個(gè)電極：G柵極、D漏極和S源極組成。圖1：平面橫向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET灰色Gate柵極的寬度
2017-01-06 14:46:20
Finfet技術(shù)（3D晶體管）詳解
2012-08-19 10:46:17
MOSFET簡(jiǎn)介MOSFET的一些主要參數(shù)MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)
2021-03-04 06:43:10
1. MOSFET、MESFET、MODFET有何區(qū)別？MOSFET是MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體) 做柵極MODFET/MESFET 是用金屬-半導(dǎo)體接觸(肖特基二極管)，用二極管做柵極，速度比
2022-01-25 06:48:08
2所示，公式1極適用于平面型MOSFET組件，但像超接面等更復(fù)雜結(jié)構(gòu)的表征效果極差，在任何計(jì)算中都會(huì)導(dǎo)致較大誤差。為了適應(yīng)各種新組件架構(gòu)的電容特性需求，可以使用更有效率的電容測(cè)量方法，而非建立
2014-10-08 12:00:39
MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)
2021-02-25 06:05:27
在本文中，我們將探討 MOSFET 和鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的不同器件配置及其演變。我們還看到 3D 配置如何允許每個(gè)集成電路使用更多晶體管。 平面與三維 （3D） 平面MOSFET（圖1）在Lg
2023-02-24 15:20:59
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些應(yīng)用？
2021-07-09 07:45:34
MOSFET管的耐壓在150左右，電流在80A左右，MOSFET管怎么選擇？什么型號(hào)的MOSFET管子合適。主要用在逆變器上面的。謝謝？？
2016-12-24 14:26:59
我一直以為mosfet內(nèi)部有靜電保護(hù)功能，因?yàn)閺膩矶紱]有因手工焊接而擊穿過，突然發(fā)現(xiàn)這可能不對(duì)，MOSFET有內(nèi)部靜電保護(hù)嗎？
2011-10-21 11:52:40
mosfet沒有上電時(shí)，mosfet驅(qū)動(dòng)電壓很正常，mosfet上電后，mosfet的驅(qū)動(dòng)電壓卻變成了這個(gè)樣子，請(qǐng)問這是為什么？
2019-03-05 09:53:17
了人們對(duì)于豆腐塊充電器的印象。充電器要實(shí)現(xiàn)超薄設(shè)計(jì)，一個(gè)重要的先決條件，那就是平面變壓器。傳統(tǒng)的繞線變壓器，初級(jí)和次級(jí)都有很大部分的空間浪費(fèi)。而平面變壓器在減小充電器厚度上，有非常神奇的效果。平面
2022-05-24 16:52:16
想請(qǐng)教一下，低頻信號(hào)在板子第一層通過過孔傳到第四層，其中第二層是電源第三層是參考地，那么信號(hào)在第三層平面切換時(shí)會(huì)引起地彈和平面振蕩嗎？
2019-01-05 12:19:21
需要采購(gòu)MOSFET 測(cè)試設(shè)備， 滿足手工測(cè)試MOSFET的電參數(shù)（IDSS/IGSS/VTH/RDSON/VDSS/VGSS等等），ID電流最大100A，VDS電壓高至1500V， 求推薦生產(chǎn)廠家和設(shè)備型號(hào)。謝謝。
2021-05-06 09:57:38
（轉(zhuǎn)載一個(gè)QQ好友的文章） 很多人對(duì)于PCB走線的參考平面感到迷惑，經(jīng)常有人問：對(duì)于內(nèi)層走線，如果走線一側(cè)是VCC，另一側(cè)是GND，那么哪個(gè)是參考平面？要弄清楚這個(gè)問題，必須對(duì)了解傳輸線的概念。我們
2014-11-05 09:24:09
QY-JDYT02平面雙軸運(yùn)行控制實(shí)訓(xùn)裝置有哪些特點(diǎn)？求解答
2021-07-11 08:14:53
號(hào)的MOSFET是平面結(jié)構(gòu)，而SJ MOSFET僅僅是結(jié)構(gòu)不同。當(dāng)然，還有雜質(zhì)濃度等細(xì)小差異。SJ MOSFET因結(jié)構(gòu)不同，導(dǎo)通電阻RDS(ON)(ON)與柵極電荷量Qg顯著降低。SJ MOSFET本身其他
2019-04-29 01:41:22
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動(dòng)與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。與Si-MOSFET的區(qū)別：驅(qū)動(dòng)電壓SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，由于漂移層
2018-11-30 11:34:24
這個(gè)地方做了一個(gè)電源平面和直接用一個(gè)比較粗的電源線有什么區(qū)別這樣做個(gè)電源平面有什么好處
2019-09-24 09:01:40
轉(zhuǎn)自http://www.eet-china.com/ART_8800697889_480201_NT_08124b24.HTM臺(tái)積電借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特爾
2014-05-07 15:30:16
前言??allegro的電源層平面分割與AD的原理相同，只不過是關(guān)于敷銅和分割線的操作有自己的一套方法。??AD的相關(guān)文章可以參考之前的這篇：四層PCB核心板制作8——內(nèi)電層電源平面分割。繪制
2021-12-27 07:14:57
講解人：魯肅老師（張飛電子學(xué)院高級(jí)工程師）我們現(xiàn)在知道了，只要讓MOSFET有一個(gè)導(dǎo)通的閾值電壓，那么這個(gè)MOSFET就導(dǎo)通了。那么在我們當(dāng)前的這個(gè)電路中，假設(shè)GS電容上有一個(gè)閾值電壓，足可以讓
2021-05-07 10:11:03
，高壓器件的主要設(shè)計(jì)平臺(tái)是基于平面技術(shù)。這個(gè)時(shí)候，有心急的網(wǎng)友就該問了，超級(jí)結(jié)究竟是何種技術(shù)，區(qū)別于平面技術(shù)，它的優(yōu)勢(shì)在哪里？各位客官莫急，看完這篇文章你就懂了！平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu)圖1顯示了
2017-08-09 17:45:55
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(IGFET)。MOSFET是Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor的英文縮寫，平面型器件結(jié)構(gòu)，按照導(dǎo)電溝道的不同可以分為NMOS和PMOS器件
2012-01-06 22:55:02
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(IGFET)。MOSFET是Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor的英文縮寫，平面型器件結(jié)構(gòu)，按照導(dǎo)電溝道的不同可以分為NMOS和PMOS器件
2012-12-10 21:37:15
什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器？MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗包括哪些部分？如何計(jì)算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
`在之前的CAD入門學(xué)習(xí)教程中小編給大家介紹了強(qiáng)電平面的相關(guān)功能技巧，那么在電氣CAD圖紙的設(shè)計(jì)工程中，除了要掌握強(qiáng)電平面的設(shè)計(jì)技巧，弱電平面的相關(guān)設(shè)計(jì)技巧也要熟練掌握。接下來的CAD入門學(xué)習(xí)
2021-04-02 16:19:51
FinFET成為它們的替代品。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管比平面 MOSFET 更好地阻斷短通道效應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)晶體管縮放。 平面設(shè)計(jì)不會(huì)超出 30 nm 的柵極長(zhǎng)度。柵極氧化物停止密封源頭上的柵極控制，漏極較弱
2023-02-24 15:25:29
無不積極研發(fā)經(jīng)濟(jì)型高性能碳化硅功率器件，例如Cascode結(jié)構(gòu)、碳化硅MOSFET平面柵結(jié)構(gòu)、碳化硅MOSFET溝槽柵結(jié)構(gòu)等。這些不同的技術(shù)對(duì)于碳化硅功率器件應(yīng)用到底有什么影響，該如何選擇呢？首先
2022-03-29 10:58:06
PCB工程師layout一款產(chǎn)品，不僅僅是布局布線，內(nèi)層的電源平面、地平面的設(shè)計(jì)也非常重要。處理內(nèi)層不僅要考慮電源完整性、信號(hào)完整性、電磁兼容性，還需要考慮DFM可制造性。PCB內(nèi)層與表層的區(qū)別
2022-12-08 11:49:11
功率MOSFET管的電流值有哪幾種？如何去選取這些電流值呢？這些電流值又是如何影響系統(tǒng)的呢？
2021-09-08 08:00:58
1 橫向雙擴(kuò)散型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor）有三個(gè)管腳，分別為
2016-10-10 10:58:30
工藝技術(shù)的演進(jìn)遵循摩爾定律，這是這些產(chǎn)品得以上市的主要促成因素。對(duì)整個(gè)行業(yè)來說，從基于大體積平面晶體管向FinFET三維晶體管的過渡是一個(gè)重要里程碑。這一過渡促使工藝技術(shù)經(jīng)過了幾代的持續(xù)演進(jìn)，并且減小
2019-07-17 06:21:02
本文將介紹多層通孔、跳接、接地走線的概念及其之間關(guān)系，與各種分離平面的布線技巧，并說明可隔離電源和接電平面的鐵粉芯（ferrite）材質(zhì)之效能特性。
2021-04-25 06:12:22
。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹 MOSFET 參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對(duì)實(shí)際選型用圖解和簡(jiǎn)單公式作簡(jiǎn)單通俗的講解。另外，這里的功率 MOSFET 應(yīng)用選型為功率開關(guān)應(yīng)用，對(duì)于功率放大應(yīng)用不一定適用
2019-11-17 08:00:00
MOS管具有哪些特性？模塊電源中常用的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路有哪些？
2021-11-01 06:45:05
求CAD 平面畫圖提高方法教程視屏都可以 ，有大蝦 給點(diǎn)啊
2011-10-08 11:18:01
采用雙溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，與正在量產(chǎn)中的第2代平面型（DMOS結(jié)構(gòu)）SiC-MOSFET相比，導(dǎo)通電阻降低約50%，輸入電容降低約35%。實(shí)際的SiC-MOSFET產(chǎn)品下面是可供
2018-12-05 10:04:41
兩種原子存在，需要非常特殊的柵介質(zhì)生長(zhǎng)方法。其溝槽星結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢(shì)如下（圖片來源網(wǎng)絡(luò)）：平面vs溝槽SiC-MOSFET采用溝槽結(jié)構(gòu)可最大限度地發(fā)揮SiC的特性。相比GAN, 它的應(yīng)用溫度可以更高。
2019-09-17 09:05:05
SMPS的輸入電壓工作范圍有限。或者，可以采用基于耗盡模式MOSFET的方法，如圖4所示。耗盡型 MOSFET 提供 PWM IC 啟動(dòng)操作所需的初始電流。在啟動(dòng)階段之后，輔助繞組將為PWM IC產(chǎn)生
2023-02-21 15:46:31
如何去仿真MOSFET噪聲？MOSFET噪聲有哪幾種？
2021-06-22 07:26:47
大家都在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">FinFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個(gè)人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認(rèn)為20 nm節(jié)點(diǎn)以后，FinFET將成為SoC的未來。但是對(duì)于要使用這些SoC的系統(tǒng)開發(fā)人員而言，其未來會(huì)怎樣呢?
2019-09-27 06:59:21
finfet都用什么PR工具？現(xiàn)在后端工具inn成主流了嗎？沒用過Innovus想問一下也能跑skill嗎？
2021-06-25 08:09:39
小弟是電子初學(xué)者，經(jīng)常在設(shè)計(jì)電路時(shí)MOSFET管出現(xiàn)損壞，請(qǐng)問造成MOSFET管損壞有哪些原因？
2019-02-19 10:15:25
范圍。因?yàn)榻酉聛淼膸灼獙⒄劤?jí)結(jié)MOSFET相關(guān)的話題，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基礎(chǔ)上，根據(jù)其特征和特性對(duì)使用區(qū)分有個(gè)初步印象。下圖表示處理各功率晶體管的功率與頻率范圍。可以看出
2018-11-28 14:28:53
平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu)圖1顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導(dǎo)通電阻，并伴隨相對(duì)更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實(shí)現(xiàn)較低
2018-10-17 16:43:26
AN系列是以“漏極-源極間導(dǎo)通電阻RDS(on)和柵極總電荷量Qg比平面MOSFET大幅降低”為目的，最先開發(fā)的SJ-MOSFET。與平面MOSFET相比，RDS(on)降低了50%，Qg降低了40
2018-12-03 14:27:05
力系的分類平面力系：各力的作用線都在同一平面內(nèi)的力 系，否則為空間力系。平面力系的分
2009-03-15 22:48:02
25 P溝MOSFET,P溝MOSFET是什么意思
MOSFET是Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor的英文縮寫，平面型器件結(jié)構(gòu)，按照導(dǎo)電溝道的不同可以分為NMOS和PMOS器件。MOS
2010-03-05 14:50:554867 平行的電源平面和地平面提供了第三級(jí)的旁路電容。電源-地平面電容的引腳電感為零，沒有ESR“
2010-06-12 16:05:233121 
22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細(xì)化會(huì)越來越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通
2010-06-23 08:01:42559 22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會(huì)越來越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421508 士蘭微電子近期推出了新一代高壓MOSFET產(chǎn)品——F-CellTM系列高壓MOSFET。這是士蘭微電子自主研發(fā)所推出的第四代平面結(jié)構(gòu)高壓MOSFET產(chǎn)品
2011-03-28 09:20:221537 在此對(duì)功率MOSFET的SEB效應(yīng)的機(jī)理進(jìn)行了簡(jiǎn)單分析，并針對(duì)600 V平面柵VDMOSFET，利用半導(dǎo)體器件模擬軟件Medici研究了緩沖層對(duì)提高MOSFET抗SEB能力的影響，提出利用多緩沖層結(jié)構(gòu)改善MOSFET抗
2012-03-07 10:28:061784 
本文介紹設(shè)計(jì)人員如何采用針對(duì)FinFET工藝的IP而克服數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)。
2017-09-18 18:55:3317 半導(dǎo)體行業(yè)目前面臨集成電路（IC）制造方法的巨大變革，這一變革旨在不斷提高IC的性能和密度，可能會(huì)對(duì)設(shè)計(jì)方法產(chǎn)生影響。晶圓代工廠家目前正準(zhǔn)備根據(jù)finFET概念加強(qiáng)使用三維晶體管結(jié)構(gòu)的14nm
2017-11-28 09:59:080 在2011年初，英特爾公司推出了商業(yè)化的FinFET，使用在其22納米節(jié)點(diǎn)的工藝上［3］。從IntelCorei7-3770之后的22納米的處理器均使用了FinFET技術(shù)。由于FinFET具有
2018-07-18 13:49:00119524 
我們首先來了解一下什么是FinFET技術(shù)。
2017-12-26 16:44:2924211 Pads中無平面 cam平面 分割混合平面的區(qū)別 工程師的巨大福利，首款P_C_B分析軟件，點(diǎn)擊免費(fèi)領(lǐng)取 PADS軟件 層的選項(xiàng)中，分別有 無 平面（ NO plane ） 、 CAM平面
2019-08-02 14:16:1714334 如果說在2019 年年中三星宣稱將在2021年推出其“環(huán)繞式柵極（GAA）”技術(shù)取代FinFET晶體管技術(shù)，FinFET猶可淡定；而到如今，英特爾表示其5nm制程將放棄FinFET而轉(zhuǎn)向GAA，就已有一個(gè)時(shí)代翻篇的跡象了。
2020-03-16 15:36:392616 MOSFET大致可以分為以下幾類：平面型MOSFET；Trench （溝槽型）MOSFET，主要用于低壓領(lǐng)域；SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽柵溝槽）MOSFET，主要用于中壓和低壓領(lǐng)域；SJ-（超結(jié)）MOSFET，主要在高壓領(lǐng)域應(yīng)用。
2021-01-22 08:41:429130 FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開關(guān)——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成的通道更容易控制。但是，隨著3nm和5nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)面臨的難題不斷累積，FinFET的效用已經(jīng)趨于極限。
2022-08-01 15:33:11952 最小 Lg 是溝道柵極控制的函數(shù)，例如從具有不受約束的溝道厚度的單柵極平面器件轉(zhuǎn)移到具有 3 個(gè)柵極圍繞薄溝道的 FinFET，從而實(shí)現(xiàn)更短的 Lg。FinFET 的柵極控制在鰭底部最弱，優(yōu)化至關(guān)重要。
2023-01-04 15:54:511488 SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，
2023-02-16 09:40:102938 
SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復(fù)雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。
2023-04-01 09:37:171329 溝槽柵結(jié)構(gòu)是一種改進(jìn)的技術(shù)，指在芯片表面形成的凹槽的側(cè)壁上形成MOSFET柵極的一種結(jié)構(gòu)。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小，與平面柵相比，溝槽柵MOSFET消除了JFET區(qū)
2023-04-27 11:55:023037 
兩者因?yàn)槠鋿艠O都是在外延表面生長(zhǎng)出來的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對(duì)兩種不同的結(jié)構(gòu)，對(duì)其導(dǎo)通電阻的構(gòu)成進(jìn)行簡(jiǎn)單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:021458 
上海雷卯電子有Trench工藝和平面工藝MOSFET，為什么有時(shí)候推薦平面工藝MOSFET呢，有時(shí)候推薦用Trench工藝MOSFET, 上海雷卯EMC小哥簡(jiǎn)單介紹如下。
2023-09-27 09:27:49935 
KINDERGARTEN上海雷卯電子有Trench工藝和平面工藝MOSFET，為什么有時(shí)候推薦平面工藝MOSFET呢，有時(shí)候推薦用Trench工藝MOSFET,上海雷卯EMC小哥簡(jiǎn)單介紹如下。1.
2023-09-27 08:02:48858 
，這些差異對(duì)它們的雪崩耐量和性能產(chǎn)生一定影響。在選擇哪種類型的MOSFET時(shí)需要仔細(xì)評(píng)估應(yīng)用的需求和要求。在本篇文章中，我們將詳細(xì)探討平面型VDMOS和超結(jié)型VDMOS的差異并討論如何選擇適合的類型。 平面型VDMOS與超結(jié)型VDMOS的基本結(jié)構(gòu)有所不同。平面型VDMOS的結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單
2023-11-24 14:15:43549 當(dāng)做到FinFET工藝時(shí)才了解到這個(gè)名詞，在平面工藝時(shí)都沒有接觸SHE（self-heating effect）這個(gè)概念。為什么到FinFET下開始需要注意SHE的影響了呢？下面參考一些材料總結(jié)一下分享，如有不準(zhǔn)確的地方請(qǐng)幫指正。
2023-12-07 09:25:09677 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論