今天要介紹的數(shù)字后端基本概念是FinFET Grid，它也是一種設計格點。介紹該格點前，我們首先來了解一下什么是FinFET技術。

FinFET稱為鰭式場效晶體管(Fin Field-Effect Transistor；FinFET)是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。Fin是魚鰭的意思，F(xiàn)inFET命名根據晶體管的形狀與魚鰭的相似性。閘長已可小于25納米，未來預期可以進一步縮小至9納米，約是人類頭發(fā)寬度的1萬分之1。由于在這種導體技術上的突破，未來芯片設計人員可望能夠將超級計算機設計成只有指甲般大小。FinFET源自于傳統(tǒng)標準的晶體管—場效晶體管 (Field-Effect Transistor; FET )的一項創(chuàng)新設計。在傳統(tǒng)晶體管結構中，控制電流通過的閘門，只能在閘門的一側控制電路的接通與斷開，屬于平面的架構。在FinFET的架構中，閘門成類似魚鰭的叉狀3D架構，可于電路的兩側控制電路的接通與斷開。這種設計可以大幅改善電路控制并減少漏電流(leakage)，也可以大幅縮短晶體管的閘長。

簡單來說，是一種新型的3D多閘道晶體管，采用FinFet技術設計，可以大大地提高芯片處理速度以及大幅度降低功耗，這在當今注重低功耗設計的手機芯片中尤為重要，F(xiàn)inFet技術是推動芯片技術走向16/14nm的重要節(jié)點。

了解了FinFet技術概念后，我們再來看下FinFet grid概念，這是對應于Floorplan中對應于FinFet引入的網格單元，在FinFet設計中，所有元件（包括macro）都要對齊到FinFet grid上, 它的定義在technology LEF中：

PROPERTYDEFINITIONS

LIBRARY LEF58_FINFETSTRING " FINFET PITCH 0.010OFFSET 0.30 VERTICAL ; " ;LIBRARY LEF58_FINFET STRING " FINFET PITCH 0.091OFFSET 0.30 HORIZONTAL ; " ;END PROPERTYDEFINITIONS

VERTICAL HORIZONTAL 的關鍵字分別對應了X/Y軸的pitch

是不是感覺和前文說的那些高端概念并什么太大關系？其實后端工具已經把這些復雜技術簡單化的體現(xiàn)在軟件中的應用里了。