自從美國(guó)Intel公司1971年設(shè)計(jì)制造出4位微處理器芯片以來(lái)，在20多年時(shí)間內(nèi)，CPU從Intel4004、80286、80386、80486發(fā)展到Pentium和PentiumⅡ，數(shù)位從4位、8位、16位、32位發(fā)展到64位;主頻從幾兆到今天的400MHz以上，接近GHz;CPU芯片里集成的晶體管數(shù)由2000個(gè)躍升到500萬(wàn)個(gè)以上;半導(dǎo)體制造技術(shù)的規(guī)模由SSI、MSI、LSI、VLSI達(dá)到 ULSI。封裝的輸入/輸出（I/O）引腳從幾十根，逐漸增加到幾百根，下世紀(jì)初可能達(dá)2千根。這一切真是一個(gè)翻天覆地的變化。

　　對(duì)于CPU，讀者已經(jīng)很熟悉了，286、386、486、Pentium、Pentium Ⅱ、Celeron、K6、K6-2 ……相信您可以如數(shù)家珍似地列出一長(zhǎng)串。但談到CPU和其他大規(guī)模集成電路的封裝，知道的人未必很多。所謂封裝是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼，它不僅起著安放、固定、密封、保護(hù)芯片和增強(qiáng)電熱性能的作用，而且還是溝通芯片內(nèi)部世界與外部電路的橋梁——芯片上的接點(diǎn)用導(dǎo)線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過(guò)印制板上的導(dǎo)線與其他器件建立連接。因此，封裝對(duì)CPU和其他LSI集成電路都起著重要的作用。新一代CPU的出現(xiàn)常常伴隨著新的封裝形式的使用。

　　芯片的封裝技術(shù)已經(jīng)歷了好幾代的變遷，從DIP、QFP、PGA、BGA到CSP再到MCM，技術(shù)指標(biāo)一代比一代先進(jìn)，包括芯片面積與封裝面積之比越來(lái)越接近于1，適用頻率越來(lái)越高，耐溫性能越來(lái)越好，引腳數(shù)增多，引腳間距減小，重量減小，可靠性提高，使用更加方便等等。

　　下面將對(duì)具體的封裝形式作詳細(xì)說(shuō)明。

　　一、DIP封裝

　　70年代流行的是雙列直插封裝，簡(jiǎn)稱DIP（Dual In-line Package）。DIP封裝結(jié)構(gòu)具有以下特點(diǎn)：

　　1.適合PCB的穿孔安裝;

　　2.比TO型封裝（圖1）易于對(duì)PCB布線;

　　3.操作方便。

　　DIP封裝結(jié)構(gòu)形式有：多層陶瓷雙列直插式DIP，單層陶瓷雙列直插式DIP，引線框架式DIP（含玻璃陶瓷封接式，塑料包封結(jié)構(gòu)式，陶瓷低熔玻璃封裝式），如圖2所示。

　　衡量一個(gè)芯片封裝技術(shù)先進(jìn)與否的重要指標(biāo)是芯片面積與封裝面積之比，這個(gè)比值越接近1越好。以采用40根I/O引腳塑料包封雙列直插式封裝（PDIP）的CPU為例，其芯片面積/封裝面積=3×3/15.24×50=1：86，離1相差很遠(yuǎn)。不難看出，這種封裝尺寸遠(yuǎn)比芯片大，說(shuō)明封裝效率很低，占去了很多有效安裝面積。

　　Intel公司這期間的CPU如8086、80286都采用PDIP封裝。

　　二、芯片載體封裝

　　80年代出現(xiàn)了芯片載體封裝，其中有陶瓷無(wú)引線芯片載體LCCC（Leadless Ceramic Chip Carrier）、塑料有引線芯片載體PLCC（Plastic Leaded Chip Carrier）、小尺寸封裝SOP（Small Outline Package）、塑料四邊引出扁平封裝PQFP（Plastic Quad Flat Package），封裝結(jié)構(gòu)形式如圖3、圖4和圖5所示。

　　以0.5mm焊區(qū)中心距，208根I/O引腳的QFP封裝的CPU為例，外形尺寸28×28mm，芯片尺寸10×10mm，則芯片面積/封裝面積=10×10/28×28=1：7.8，由此可見QFP比DIP的封裝尺寸大大減小。QFP的特點(diǎn)是：

　　1.適合用SMT表面安裝技術(shù)在PCB上安裝布線;

　　2.封裝外形尺寸小，寄生參數(shù)減小，適合高頻應(yīng)用;

　　3.操作方便;

　　4.可靠性高。

　　在這期間，Intel公司的CPU，如Intel 80386就采用塑料四邊引出扁平封裝PQFP。

　　三、BGA封裝

　　90年代隨著集成技術(shù)的進(jìn)步、設(shè)備的改進(jìn)和深亞微米技術(shù)的使用，LSI、VLSI、ULSI相繼出現(xiàn)，硅單芯片集成度不斷提高，對(duì)集成電路封裝要求更加嚴(yán)格，I/O引腳數(shù)急劇增加，功耗也隨之增大。為滿足發(fā)展的需要，在原有封裝品種基礎(chǔ)上，又增添了新的品種——球柵陣列封裝，簡(jiǎn)稱BGA（Ball Grid Array Package）。如圖6所示。

　　BGA一出現(xiàn)便成為CPU、南北橋等VLSI芯片的高密度、高性能、多功能及高I/O引腳封裝的最佳選擇。其特點(diǎn)有：

　　1.I/O引腳數(shù)雖然增多，但引腳間距遠(yuǎn)大于QFP，從而提高了組裝成品率;

　　2.雖然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，簡(jiǎn)稱C4焊接，從而可以改善它的電熱性能：

　　3.厚度比QFP減少1/2以上，重量減輕3/4以上;

　　4.寄生參數(shù)減小，信號(hào)傳輸延遲小，使用頻率大大提高;

　　5.組裝可用共面焊接，可靠性高;

　　6.BGA封裝仍與QFP、PGA一樣，占用基板面積過(guò)大;

　　Intel公司對(duì)這種集成度很高（單芯片里達(dá)300萬(wàn)只以上晶體管），功耗很大的CPU芯片，如Pentium、Pentium Pro、Pentium Ⅱ采用陶瓷針柵陣列封裝CPGA和陶瓷球柵陣列封裝CBGA，并在外殼上安裝微型排風(fēng)扇散熱，從而達(dá)到電路的穩(wěn)定可靠工作。

　　四、面向未來(lái)的新的封裝技術(shù)

　　BGA封裝比QFP先進(jìn)，更比PGA好，但它的芯片面積/封裝面積的比值仍很低。

　　Tessera公司在BGA基礎(chǔ)上做了改進(jìn)，研制出另一種稱為μBGA的封裝技術(shù)，按0.5mm焊區(qū)中心距，芯片面積/封裝面積的比為1:4，比BGA前進(jìn)了一大步。

　　1994年9月***三菱電氣研究出一種芯片面積/封裝面積=1:1.1的封裝結(jié)構(gòu)，其封裝外形尺寸只比裸芯片大一點(diǎn)點(diǎn)。也就是說(shuō)，單個(gè)IC芯片有多大，封裝尺寸就有多大，從而誕生了一種新的封裝形式，命名為芯片尺寸封裝，簡(jiǎn)稱CSP（Chip Size Package或Chip Scale Package）。CSP封裝具有以下特點(diǎn)：

　　1.滿足了LSI芯片引出腳不斷增加的需要;

　　2.解決了IC裸芯片不能進(jìn)行交流參數(shù)測(cè)試和老化篩選的問(wèn)題;

　　3.封裝面積縮小到BGA的1/4至1/10，延遲時(shí)間縮小到極短。

　　曾有人想，當(dāng)單芯片一時(shí)還達(dá)不到多種芯片的集成度時(shí)，能否將高集成度、高性能、高可靠的CSP芯片（用LSI或IC）和專用集成電路芯片（ASIC）在高密度多層互聯(lián)基板上用表面安裝技術(shù)（SMT）組裝成為多種多樣電子組件、子系統(tǒng)或系統(tǒng)。由這種想法產(chǎn)生出多芯片組件MCM（Multi Chip Model）。它將對(duì)現(xiàn)代化的計(jì)算機(jī)、自動(dòng)化、通訊業(yè)等領(lǐng)域產(chǎn)生重大影響。MCM的特點(diǎn)有：

　　1.封裝延遲時(shí)間縮小，易于實(shí)現(xiàn)組件高速化;

　　2.縮小整機(jī)/組件封裝尺寸和重量，一般體積減小1/4，重量減輕1/3;

　　3.可靠性大大提高。

　　隨著LSI設(shè)計(jì)技術(shù)和工藝的進(jìn)步及深亞微米技術(shù)和微細(xì)化縮小芯片尺寸等技術(shù)的使用，人們產(chǎn)生了將多個(gè)LSI芯片組裝在一個(gè)精密多層布線的外殼內(nèi)形成MCM產(chǎn)品的想法。進(jìn)一步又產(chǎn)生另一種想法：把多種芯片的電路集成在一個(gè)大圓片上，從而又導(dǎo)致了封裝由單個(gè)小芯片級(jí)轉(zhuǎn)向硅圓片級(jí)（wafer level）封裝的變革，由此引出系統(tǒng)級(jí)芯片SOC（System On Chip）和電腦級(jí)芯片PCOC（PC On Chip）。

　　隨著CPU和其他ULSI電路的進(jìn)步，集成電路的封裝形式也將有相應(yīng)的發(fā)展，而封裝形式的進(jìn)步又將反過(guò)來(lái)促成芯片技術(shù)向前發(fā)展。