DIMM模塊是目前最常見的內(nèi)存模塊，它是也可以說是兩個SIMM（如圖1所示）。它是包括有一個或多個RAM芯片在一個小的集成電路板上，利用這塊電路板上的一些引腳可以直接和計算機主板相連接。一個DIMM有168引腳，這種內(nèi)存條支持64位的數(shù)據(jù)傳輸。DIMM是目前使用的內(nèi)存的主要封裝形式，比如SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM，其中SDRAM具有168線引腳并且提供了64bit數(shù)據(jù)尋址能力。DIMM的工作電壓一般是3.3v，并且分為無緩沖(unbuffered)和全緩沖(buffered)兩種。

DIMM是在奔騰CPU推出后出現(xiàn)的新型內(nèi)存條，DIMM提供了64位的數(shù)據(jù)通道，因此它在奔騰主板上可以單條使用。它有168條引腳，故稱為168線內(nèi)存條。它要比SIMM插槽要長一些，并且它也支持新型的168線EDO-DRAM存儲器。就目前而言，適用DIMM的內(nèi)存芯片的工作電壓一般為3.3V（使用EDORAM內(nèi)存芯片的168線內(nèi)存條除外），適用于SIMM的內(nèi)存芯片的工作電壓一般為5V（使用EDORAM或FBRAM內(nèi)存芯片），二者不能混合使用。

DIMM與SIMM相當類似，不同的只是DIMM的金手指兩端不像SIMM那樣是互通的，它們各自獨立傳輸信號，因此可以滿足更多數(shù)據(jù)信號的傳送需要。同樣采用DIMM，SDRAM 的接口與DDR內(nèi)存的接口也略有不同，SDRAM DIMM為168Pin DIMM結(jié)構(gòu)，金手指每面為84Pin，金手指上有兩個卡口，用來避免插入插槽時，錯誤將內(nèi)存反向插入而導(dǎo)致燒毀；DDR DIMM則采用184Pin DIMM結(jié)構(gòu)，金手指每面有92Pin，金手指上只有一個卡口?？跀?shù)量的不同，是二者最為明顯的區(qū)別。

為了滿足筆記本電腦對內(nèi)存尺寸的要求，SO-DIMM（Small Outline DIMM Module）也開發(fā)了出來，它的尺寸比標準的DIMM要小很多，而且引腳數(shù)也不相同。同樣SO-DIMM也根據(jù)SDRAM和DDR內(nèi)存規(guī)格不同而不同，SDRAM的SO-DIMM只有144pin引腳，而DDR的SO-DIMM擁有200pin引腳。

圖1 DIMM模塊圖

下圖為筆記本電腦用的SO-DIMM外形圖.

圖2 144Pin SO-DIMM筆記本內(nèi)存

在DIMM內(nèi)存中的顆粒采用了DIP（Dual Inline Package：雙列直插封裝）封裝。早期的內(nèi)存顆粒是直接焊接在主板上面的，這樣如果一片內(nèi)存出現(xiàn)故障，那么整個主板都要報廢了。后來在主板上出現(xiàn)了內(nèi)存顆粒插槽，這樣就可以更換內(nèi)存顆粒了，但是熱膨脹的緣故，每使用一段時間你就需要打開機箱把內(nèi)存顆粒按回插槽。

在SIMM和DIMM內(nèi)存之間不僅僅是引腳數(shù)目的不同，另外在電氣特性、封裝特點上都有明顯的差別，特別是它們的芯片之間的差別相當?shù)拇蟆Ｒ驗榘凑赵瓉韮?nèi)存制造方法，制造這種內(nèi)存的時候是不需要把64個芯片組裝在一起構(gòu)成一個64bit的模塊的，得益于今年來生產(chǎn)工藝的提高和改進，現(xiàn)在的高密度DRAM芯片可以具有不止一個Din和Dout信號引腳，并且可以根據(jù)不同的需要在DRAM芯片上制造4、8、16、32或者64條數(shù)據(jù)引腳。在Pentium級以上的處理器是64位總線，使用這樣的內(nèi)存更能發(fā)揮處理器的性能。

如果一個DRAM芯片具有8個數(shù)據(jù)引腳，那么這個基本儲存單元一次就可以輸出8bit的數(shù)據(jù)，而不像是在原來的TM4100GAD8 SIMM芯片中每次僅僅能輸出1bit數(shù)據(jù)了。這樣的話，如果我們需要制造一個同TM4100GAD8一樣容量的內(nèi)存，那么我們可以不使用前面所使用的4M * 1bit芯片，而是采用1M x 8bit芯片，這樣僅僅需要4片芯片就可以得到一個容量為4MB，位寬為32bit的模組。芯片數(shù)目減少最直接的好處當然是可以減少功耗了，當然也簡化了生產(chǎn)過程。 "