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美國研制出新的半導體輻射檢測化合物
- 半導體(200960)
- 美國(25747)
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全球半導體產(chǎn)業(yè)深度變革 化合物半導體成新關(guān)注點
當前，全球半導體產(chǎn)業(yè)正處于深度變革，化合物半導體成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展新的關(guān)注點，我國應(yīng)加緊產(chǎn)業(yè)布局，搶占發(fā)展的主動權(quán)。
2016-06-27 11:09:50
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功率、光源與RF推動 化合物半導體市場規(guī)模將快速增長
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1040華林科納的化合物半導體異質(zhì)集成
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2023-08-14 17:03:50483
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化合物半導體材料或成新一代半導體發(fā)展的重要關(guān)鍵
傳統(tǒng)硅半導體因自身發(fā)展侷限和摩爾定律限制，需尋找下一世代半導體材料，化合物半導體材料是新一代半導體發(fā)展的重要關(guān)鍵嗎？
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10156第三代化合物半導體發(fā)展如火如荼，中國企業(yè)率先入局
化合物半導體在軍事中的應(yīng)用領(lǐng)域也不少，在大功率的高速交通工具也是關(guān)鍵材料，所以被各國視為戰(zhàn)略物資，半絕緣的化合物半導體甚至要拿到證明才可以出口，是相當重要的上游材料。
2020-09-02 18:53:425994
59943年規(guī)模翻7倍統(tǒng)治 5G、IoT時代，化合物半導體材料深度報告 精選資料推薦
來源 華西證券編輯：智東西內(nèi)參作者：吳吉森等隨著 5G、IoT 物聯(lián)網(wǎng)時代的來臨，以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的化合物半導體市場有望快速崛起。其中，Ga...
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5G和電動車的興起讓化合物半導體成為新貴
半導體材料可分為單質(zhì)半導體及化合物半導體兩類，前者如硅（Si）、鍺(Ge）等所形成的半導體，后者為砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等化合物形成。半導體在過去主要經(jīng)歷了三代變化
2019-05-06 10:04:10
5G相關(guān)核心產(chǎn)業(yè)鏈有哪些？
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半導體市場給5G帶來了哪些新機遇？
天線：MassiveMIMO和新材料將應(yīng)用5G封測：各大封測廠積極備戰(zhàn)5G芯片化合物半導體迎來新機遇電磁屏蔽、導熱材料獲得新市場空間
2020-12-30 06:01:41
半導體薄膜厚度檢測設(shè)備設(shè)備出售
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2015-04-02 17:21:04
美國EMX
雙光子激發(fā)下發(fā)出稀土離子的特征光。熒光檢測傳感器（熒光傳感器） 2．強雙光子熒光的芴及茚并芴衍生物的研究 增大分子內(nèi)電荷轉(zhuǎn)移程度是增大化合物雙光子吸收截面的有效途徑，本課題選擇二芳基苯胺為電子
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GaN基微波半導體器件材料的特性
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
《炬豐科技-半導體工藝》Ga-N 系統(tǒng)的熱力學分析
同質(zhì)性范圍的化學計量化合物，因此在評估中被視為線化合物。纖鋅礦結(jié)構(gòu)被認為是唯一穩(wěn)定的固體形式。盡管亞穩(wěn)態(tài)閃鋅礦結(jié)構(gòu)可以在薄膜中產(chǎn)生并且在高壓下預(yù)計在 III 族氮化物中會出現(xiàn) NiAs 型改性，但并未
2021-07-07 10:28:12
【新貨上架】0010-04926應(yīng)用材料半導體配件
元素的特性和制造方式的影響，不是一切的化合物都可以契合半導體資料的請求。這一半導體主要運用到高速器件中，InP制造的晶體管的速度比其他資料都高，主要運用到光電集成電路、抗核輻射器件中。關(guān)于導電率高的資料
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主流的射頻半導體制造工藝介紹
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準分子真空紫外輻射在材料加工中的研究與應(yīng)用
真空紫外輻射材料加工的研究報道急劇增加,本文將簡要介紹DBD準分子紫外光源的特點及其在材料加工中的研究和應(yīng)用,包括無機薄膜制備、半導體材料氧化、材料表面清洗、過渡金屬化合物還原、高分子合成和聚合物表面
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分享芯片和cpu制造流程
芯片和cpu制造流程芯片芯片屬于半導體，半導體是介于導體和絕緣體之間的一類物質(zhì)。元素周期表中的硅、鍺、硒的單質(zhì)都屬于半導體。除了這些單質(zhì)，通過摻雜生成的一些化合物，也屬于半導體的范疇。這些化合物在
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功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
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國防威脅減除局尋求抗輻射高頻模擬和射頻半導體
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安國半導體推出新款觸摸按鍵ic
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安森美半導體物聯(lián)網(wǎng)圖像傳感器應(yīng)用
際此萬物互聯(lián)時代的來臨，圖像傳感可說是促進物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的一個重要接口，是萬物之“眼”。安森美半導體寬廣的成像和像素技術(shù)和圖像傳感器陣容，配以公司在成像領(lǐng)域的經(jīng)驗和專長，實現(xiàn)超越人眼界限的創(chuàng)新
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安森美半導體應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)的成像技術(shù)和方案分享
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有機化合物可作為鋰離子電池正極材料
目前國內(nèi)外有很多研究在有機化合物作為鋰離子電池正極材料方面進行了大量卓有成效的工作，特別是在含氧有機共軛化合物方面，一些電化學活性高的含氧官能團及其分子結(jié)構(gòu)對有機正極化合物的設(shè)計具有重要的指導
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淺析化合物半導體技術(shù)
、高頻率等方面特有的優(yōu)勢，在信息通信、光電應(yīng)用以及新能源汽車等產(chǎn)業(yè)中有著不可替代的地位。 多年以來，世界各國始終對化合物半導體保持高度重視，出臺相關(guān)政策支持本國產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，2017年美國、德國、歐盟
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淺談紫外半導體發(fā)光二極管應(yīng)用范圍
制成的受光器件來檢測。 大多數(shù)的這種受光器件在波長900nm附近（近紅外部分）靈敏度最高，在近紅外區(qū)域，發(fā)光器件有CaAs（鎵、稿化合物）發(fā)光二板管、GaAIAs（鎵、鋁、砷化臺物）發(fā)光二般昔和激光
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看芯片帝國的興衰，尋中國半導體產(chǎn)業(yè)的破局之路
情況，日本被訪企業(yè)坦言他們正全力學習吸收美國的化合物半導體技術(shù)，并在工藝和設(shè)備上都取得了部分突破。這就反映了兩個事實：其一，化合物半導體乃至第三代半導體，中國與世界并不在起跑線，比世界先進水平少了
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美中聯(lián)合研制出最小半導體激光器
【摘要】：<正>美國加州大學伯克利分校和北京大學的研究人員聯(lián)合研制出世界最小的半導體激光器。研究人員研制了一款高增益硫化鎘納米線,然后將納米線與銀金屬相隔5 nm,激光
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熒光檢測器的工作原理是：用紫外光照射某些化合物時它們可受激發(fā)而發(fā)出熒光，測定發(fā)出的熒光能量即可定量。很多與生命科學有關(guān)的物質(zhì)，如氨基酸、胺類、維生素、甾族化合物及某些代謝藥物都可以用熒光法檢測。熒光檢測器在生物樣品痕量分析中很有用，尤其在用熒光衍生劑后，可以檢測很微量的氨基酸和肽。
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詳解：半導體的定義及分類
的核心單元都和半導體有著極為密切的關(guān)連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。 半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類
2016-11-27 22:34:51
適合用于射頻、微波等高頻電路的半導體材料及工藝情況介紹
半導體材料是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類
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金屬間化合物觀察與測量
SnAgCu無鉛焊料中Sn的含量較高，焊接溫度也比較高，導致了焊點中Cu的溶解速度和界面金屬間化合物的生長速度遠高于SnPb系焊料。相關(guān)研究表明，焊點與金屬接點間的金屬間化合物的形態(tài)和長大對焊點
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半導體晶圓研磨粉
砂混合物經(jīng)過特殊處理后呈現(xiàn)細粉狀態(tài)。通過軟拋光可以獲得光滑的拋光表面。主要用途： -半導體晶體（硅等） 化合物半
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釩和其化合物知識簡介
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III-V族化合物半導體;III-V group elements compound semiconductor 分子式：CAS號：
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847國內(nèi)研制出連續(xù)單管半導體激光器耦合模塊
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由中國科學院西安光學精密機械研究所與數(shù)名留學回國人員組成的團隊共同創(chuàng)立的專業(yè)從事大功率半導體激光器研發(fā)和生產(chǎn)
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意法半導體(ST)研制出最新微型電源芯片 STOD13AS
意法半導體采用先進技術(shù)研制出最新的微型電源芯片。未來幾乎每一臺配備AMOLED[1] 顯示屏的智能手機或便攜電子產(chǎn)品都會用到這款先進的電源芯片。
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我國應(yīng)把握5G 機遇，加速提升化合物半導體產(chǎn)業(yè)競爭力
化合物半導體是 5G 通信不可替代的核心技術(shù)。美歐日等發(fā)達國家通過產(chǎn)業(yè)和技術(shù)扶持計劃，培育了眾多龍頭企業(yè)，已占領(lǐng)化合物半導體技術(shù)和市場高地。同時美國以危害國家安全為由，對我國實行技術(shù)封鎖，頻頻阻撓
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3163什么是半導體材料_常見半導體材料有哪些
半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體;化合物半導體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物
2018-03-08 09:36:33119660
119660美國研制出一種可穿戴的超聲波貼片，能更迅速的檢測出心血管問題
據(jù)了解，美國研究人員研制出一種可穿戴的超聲波貼片。能無創(chuàng)的監(jiān)測皮膚下方4厘米深處的動脈血壓，從而更早、更精確地檢測出心血管問題。
2018-09-17 16:22:183121
3121一文解讀化合物半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢及前景
化合物半導體因其在射頻電子和電力電子方面的優(yōu)良性能，以及在5G通信和新能源汽車等新興市場的應(yīng)用價值，被認為是半導體行業(yè)的重要發(fā)展方向。在國內(nèi)發(fā)展集成電路的背景下，化合物半導體受到地方政府和產(chǎn)業(yè)資本的熱捧。投資“熱潮”之下，需要重新思考我國發(fā)展化合物半導體的機遇、挑戰(zhàn)和路徑。
2018-10-05 15:29:0017658
17658盤點化合物半導體在5G通信中的應(yīng)用
化合物半導體相比硅半導體具有高頻率和大功率等優(yōu)異性能，是未來5G通信不可替代的核心技術(shù)。
2018-11-01 17:11:008095
8095化合物半導體應(yīng)用前景及最新應(yīng)用
化合物半導體是由兩種及以上元素構(gòu)成的半導體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導體的主要代表，因其在高功率、高頻率等方面特有的優(yōu)勢，在信息通信、光電應(yīng)用以及新能源汽車等產(chǎn)業(yè)中有著不可替代的地位。
2018-11-20 11:01:5617364
17364第三代半導體材料發(fā)展面臨的機遇和挑戰(zhàn)
第二代半導體材料是指化合物半導體材料，如砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）、磷化銦（InP），以及三元化合物半導體材料，如鋁砷化鎵（GaAsAl）、磷砷化鎵（GaAsP）等。還有一些固溶體半導體
2018-11-26 16:13:4218576
18576集成電路產(chǎn)業(yè)深刻變革催化著化合物半導體市場的發(fā)展
近幾年集成電路產(chǎn)業(yè)深刻變革催化著化合物半導體市場的發(fā)展，而其中以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料更是引人矚目，攪動著全球半導體產(chǎn)業(yè)浪潮。
2018-12-18 10:06:533781
3781化合物半導體磊晶廠的未來發(fā)展及展望
傳統(tǒng)硅半導體因自身發(fā)展局限和摩爾定律限制，需尋找下一世代半導體材料，而化合物半導體材料的高電子遷移率、直接能隙與寬能帶等特性，恰好符合未來半導體發(fā)展所需，終端產(chǎn)品趨勢將由5G通訊、車用電子與光通訊領(lǐng)域等應(yīng)用主導。
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功率及化合物半導體最新趨勢與挑戰(zhàn)
功率及化合物半導體對人類社會和科技發(fā)展影響越來越巨大，其應(yīng)用涵蓋了照明、激光、成像、移動通訊、消費電子、綠色能源、現(xiàn)代交通等方方面面。
2019-04-07 00:02:005209
5209半導體材料的種類
半導體材料可按化學組成來分，再將結(jié)構(gòu)與性能比較特殊的非晶態(tài)與液態(tài)半導體單獨列為一類。按照這樣分類方法可將半導體材料分為元素半導體、無機化合物半導體、有機化合物半導體和非晶態(tài)與液態(tài)半導體。
2019-03-29 15:19:3315939
15939從英國化合物半導體中心看化合物半導體集群
化合物半導體中心（Compound Semiconductor Centre,簡稱CSC）成立于2015年，是由英國IQE公司和加的夫大學共同成立的合作機構(gòu)，任務(wù)是加速化合物半導體材料和器件研發(fā)的商業(yè)化，實現(xiàn)對英國在該重要使能技術(shù)領(lǐng)域所投資金的有形經(jīng)濟回報。
2019-04-11 17:37:575045
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常見的幾種射頻半導體工藝
半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。
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10886材料千千萬，化合物半導體的春天來了
光纖通信、手機的無線通信系統(tǒng)、用于三維識別的VSECL泛光源、自動駕駛的毫米波雷達、5G基站的射頻模塊……新應(yīng)用場景的涌現(xiàn)，是化合物半導體大規(guī)模應(yīng)用的催化劑。
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3030美國某研究機構(gòu)成功研制出新型模擬半導體芯片
美國IBM和美國康奈爾大學成功開發(fā)了一種模擬人類大腦的信息傳遞機制的半導體技術(shù)。根據(jù)這種技術(shù)制造出的半導體從設(shè)計理念上就不同于現(xiàn)有計算機使用的半導體芯片。
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962環(huán)宇光電與常州晶品光電共同成立新晶宇光電 主要代工6吋化合物半導體晶圓
化合物半導體制造代工大廠環(huán)宇光電于 2019 年 12 月 9 日召開董事會。會中決議考量于現(xiàn)行國際貿(mào)易情勢變化起伏，以及嘗試滿足中國大陸生產(chǎn)需求目標，因此決定撤銷與廈門三安集成（三安光電子
2020-01-02 15:01:544983
4983溢泰半導體國內(nèi)首個化合物半導體新材料產(chǎn)業(yè)園區(qū)預(yù)計1月底建成
據(jù)中國化工報報道，由大慶溢泰半導體材料有限公司（以下簡稱“溢泰半導體”）投資建設(shè)的國內(nèi)首個化合物半導體新材料產(chǎn)業(yè)園區(qū)一期項目預(yù)計1月底全部建成達產(chǎn)。
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4734主流射頻半導體材料有哪些詳細介紹
半導體材料是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作 半導體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類
2020-09-10 10:46:00
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4國內(nèi)化合物半導體集成電路市場前景分析
北電新材的經(jīng)營范圍，包括化合物半導體材料生產(chǎn)、化合物半導體集成電路制造、電子元器件制造；功能材料及其元器件的開發(fā)、銷售；功能器件用襯底的生產(chǎn)；人造寶石的制造及銷售；集成電路設(shè)計等。2020年上半年營業(yè)收入304.37萬元，凈利潤虧損1766.97萬元。
2020-08-19 15:44:403529
3529化合物半導體市場前景如何?
它們的速度也更快，這就是為什么數(shù)據(jù)密集型5G電信網(wǎng)絡(luò)和衛(wèi)星通信需要它們。化合物半導體可以發(fā)射和檢測光。磷化銦就是一個很好的例子，他們成功開拓了醫(yī)學成像和診斷，光纖通信和量子計算領(lǐng)域的應(yīng)用。
2020-11-06 15:25:053048
3048第三代化合物半導體的應(yīng)用分析
隨著晶圓代工業(yè)的火爆，其細分領(lǐng)域——化合物半導體代工——也是水漲船高，相關(guān)廠商近期的業(yè)績都很亮眼。而且，相對于廣義上的數(shù)字和模擬芯片代工廠，化合物半導體晶圓代工廠商的數(shù)量較少，這就使它們在代工產(chǎn)能普遍稀缺的當下，價值愈加突出。
2020-12-03 15:20:453387
3387江西康佳半導體高科技產(chǎn)業(yè)園暨第三代化合物半導體項目落戶經(jīng)開區(qū)
據(jù)南昌市人民政府網(wǎng)報道，康佳集團擬在南昌經(jīng)開區(qū)引進第三代化合物半導體項目等，項目分兩期建設(shè)，一期投資50億元，主要建設(shè)第三代化合物半導體項目及其相關(guān)配套產(chǎn)業(yè)，同步建設(shè)半導體研究院，將打造成集研發(fā)、設(shè)計、制造為一體的高科技項目。
2020-12-11 14:04:573939
39395G設(shè)備的需求讓化合物半導體應(yīng)用猛增,基站用PA、RF市場空間巨大
隨著全球智能手機業(yè)者繼臉部等生物識別技術(shù)之后，進一步接入3D傳感技術(shù)于AR應(yīng)用上，發(fā)展前景可期，也讓穩(wěn)懋對于未來化合物半導體代工需求持續(xù)抱持樂觀期待。
2020-12-18 14:22:312201
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唐晶量子化合物半導體外延片項目于宣布正式簽約落地西安
西安高新區(qū)二季度重點項目集中開工儀式舉行，會上集中開工項目共計51個，總投資約1165億元，項目涉及先進制造業(yè)、服務(wù)業(yè)、新材料新能源、電子信息等領(lǐng)域。 其中，化合物半導體延片研發(fā)生產(chǎn)項目、比亞迪西安
2021-06-21 10:16:502944
2944LEKIN完成對LG Innotek光電化合物半導體資產(chǎn)的收購
半導體行業(yè)尤其是光電化合物半導體行業(yè)近年來國際市場專利糾紛不斷，國內(nèi)企業(yè)持有完備的高價值專利資產(chǎn)將有利于我國快速獲得光電化合物半導體行業(yè)的國際話語權(quán)。
2022-03-11 11:54:20626
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如何在絕緣層上硅形成高質(zhì)量和大面積的化合物半導體材料
第一代半導體材料主要是以硅和鍺為代表的IV族材料，而第二代和第三代半導體材料主要是化合物半導體（Compound Semiconductor）材料，其中砷化鎵(GaAs)和磷化銦（InP）是第二代半導體材料中的代表，氮化鎵（GaN)和碳化硅(SiC）是第三代半導體材料中的代表。
2022-09-16 09:56:08790
790常見的半導體材料特點
常見的半導體材料有硅（si）、鍺（ge），化合物半導體，如砷化鎵（gaas）等;摻雜或制成其它化合物半導體材料，如硼（b）、磷（p）、錮（in）和銻（sb）等。其中硅是最常用的一種半導體材料。
2022-09-22 15:40:084538
4538機構(gòu)：化合物半導體襯底市場2027年體量將達到24億美元
研究機構(gòu)Yole Intelligence日前發(fā)布對化合物半導體襯底市場的預(yù)測，認為在功率和光學應(yīng)用驅(qū)動下，到2027年市場規(guī)模將達到24億美元，2021-2027年間復(fù)合年增長率為16%。 該機
2022-11-21 10:31:391013
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誰發(fā)現(xiàn)了氮化鎵半導體材料？這種材料的特性是什么？
氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，其具有寬帶隙、高熱導率等特點，寬禁帶半導體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合材料。與第一代和第二代半導體材料相比，第三代
2023-02-12 11:07:49599
599半導體材料介紹
元素半導體是由單一種類的原子組成的那些，例如硅(Si)，元素周期表 IV列中的鍺(Ge)和錫(Sn)，元素周期表 VI 列中的硒(Se)和碲(Te)。然而，存
在許多由兩個或更多個元素組成的化合物
2023-02-27 14:46:243
3半導體所研制出一款超高集成度光學卷積處理器
近日，半導體所集成光電子學國家重點實驗室微波光電子課題組李明研究員-祝寧華院士團隊研制出一款超高集成度光學卷積處理器。
2023-06-01 09:52:062263
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化合物半導體&半導體芯科技與您相約 SEMICON China 2023!
來源：化合物半導體雜志 SEMICON / FPD China 2023將于6月29日在上海新國際博覽中心（E1-E7，T1-T3）揭幕，據(jù)不完全統(tǒng)計，SEMICON China 2023展覽面積
2023-06-13 16:24:09509
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化合物半導體電子器件研究與進展
西安電子科技大學教授、副校長郝躍中國科學院微電子研究所劉新宇一、引言化合物半導體具有飽和速度高、能帶易剪裁、帶隙寬等特性，在超高頻、大功率、高效率等方面表現(xiàn)出優(yōu)越的性能，因此，化合物半導體電子器件
2022-01-04 16:32:221123
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9.4.1 化合物半導體材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
9.4化合物半導體第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高
2022-01-12 10:45:13266
2669.4.2 集成電路對化合物半導體材料的要求∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
9.4化合物半導體第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823
2022-01-11 17:26:31450
450衢州先導集成電路關(guān)鍵材料與高端化合物半導體等項目開工
衢州智造新城消息顯示，衢州先導集成電路關(guān)鍵材料與高端化合物半導體及器件模組項目總投資110億元，位于衢州智造新城高新片區(qū)及智造新城東港片區(qū)，總用地面積約1038畝。
2023-07-06 15:55:52956
956三星進軍化合物半導體代工市場，各廠商加速入局GAN市場氮化鎵行業(yè)快報
報道強調(diào)，隨著全球消費電子、電動汽車領(lǐng)域的技術(shù)升級和需求成長，功率半導體的價格一直在上漲。因此，市場希望于碳化硅、氮化鎵這樣的化合物材料所制造功率半導體，達到比傳統(tǒng)單晶硅基半導體更高的電源轉(zhuǎn)換效率、更高的功率密度，此外耐用性會更佳，進一步迎合汽車應(yīng)用的等惡劣作業(yè)環(huán)境。
2023-07-13 16:18:25443
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半導體材料概述
半導體材料作為半導體產(chǎn)業(yè)鏈上游的重要環(huán)節(jié)，在芯片的生產(chǎn)制造過程中起到關(guān)鍵性作用。根據(jù)芯片制造過程劃分，半導體材料主要分為基體材料、制造材料和封裝材料。其中，基體材料主要用來制造硅晶圓或化合物半導體
2023-08-14 11:31:471209
1209華林科納研究化合物半導體中離子注入引起的起泡和薄層分裂現(xiàn)象學
我們?nèi)A林科納討論了在InP、GaAs、GaN、AlN和ZnO等化合物半導體中氫和/或氦注入引起的表面起泡和層分裂。起泡現(xiàn)象取決于許多參數(shù)，例如半導體材料、離子注量、離子能量和注入溫度。給出了化合物
2023-09-04 17:09:31317
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清軟微視周繼樂：化合物半導體襯底和外延缺陷無損檢測技術(shù)
清軟微視是清華大學知識產(chǎn)權(quán)轉(zhuǎn)化的高新技術(shù)企業(yè)，專注于化合物半導體視覺領(lǐng)域量檢測軟件與裝備研發(fā)。其自主研發(fā)的針對碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的襯底和外延無損檢測裝備Omega系列產(chǎn)品，
2023-12-05 14:54:38769
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中航紅外新一代化合物半導體研制基地項目封頂
據(jù)中建八局上海公司官微消息，12月24日，中航紅外新一代化合物半導體研制基地項目全面封頂。 據(jù)此前“上海臨港”公眾號發(fā)布的項目相關(guān)消息，該項目總投資11.6億元，位于浦東新區(qū)泥城鎮(zhèn)，總建筑面積
2023-12-28 16:16:54282
282中電化合物榮獲“中國第三代半導體外延十強企業(yè)”
近日，華大半導體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國第三代半導體外延十強企業(yè)”稱號，其生產(chǎn)的8英寸SiC外延片更是一舉斬獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎”。這一榮譽充分體現(xiàn)了中電化合物在第三代半導體外延領(lǐng)域的卓越實力和領(lǐng)先地位。
2024-01-04 15:02:23523
523清純半導體、中電化合物入選2024年度寧波市優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品推薦目錄！
日前，寧波市經(jīng)濟和信息化局正式公布《2024年度寧波市優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品推薦目錄》。清純半導體（寧波）有限公司旗下“國產(chǎn)車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品”、中電化合物半導體有限公司旗下“6吋車規(guī)級SiC外延片”雙雙入選。
2024-03-15 17:24:50251
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工商網(wǎng)監(jiān)
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