在自然界中sio2二氧化硅的存在是非常廣泛的，本內容解釋了sio2是什么意思，sio2的物理性質是什么，讓大家充分了解sio2
2011-12-13 10:41:13
20242 引言 化學蝕刻是通過與強化學溶液接觸來控制工件材料的溶解。該過程可以應用于任何材料。銅是利用化學腐蝕工藝制造微電子元件、微工程結構和精密零件中廣泛使用的工程材料之一。在這項研究中，銅在50℃用兩種
2021-12-29 13:21:462088 
摘要 研究了高頻和高頻/HCI溶液中的不同平衡點，并研究了SiQ的蝕刻反應作為高頻溶液中不同物種的函數。基于HF二聚體的存在，建立了一種新的SiO~蝕刻機制模型， SiQ在高頻溶液中的溶解
2021-12-31 11:08:013593 
摘要 在印刷和蝕刻生產厚金屬膜中的精密圖案時，需要對化學蝕刻劑有基本的了解，以實現工藝優化和工藝控制。 為了蝕刻純鋁電路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的配方。 研究的目的是確定蝕刻速率和圖案定義對正
2022-01-07 15:07:481129 
、鐵(III)氯離子濃度、溶解鋁濃度對蝕刻電路質量和蝕刻速率的影響。蝕刻系統允許在制備和電路處理中發生合理的變化，而不嚴重影響蝕刻電路的質量。對蝕刻劑的控制可以在廣泛的溫度和成分范圍內保持。 介紹 在印刷電路工業中，化學蝕刻
2022-01-07 15:40:121194 
引言 用電化學和原子力顯微鏡方法對有機酸與銅的相互作用進行了表征可以建立用于濕銅加工的高效清洗公式。本文研究了單有機酸、二有機酸和三有機酸中銅的蝕刻速率和氧化機理。除了草酸的鈍化性能外，其他
2022-01-13 14:02:461841 
摘要 本文從晶體生長科學的角度回顧了單晶的濕化學蝕刻。起點是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動力學是由粗糙面上不存在的成核勢壘控制的。因此后者蝕刻速度更快數量級。對金剛石晶體結構的分析表明，晶面
2022-01-25 13:51:111721 
為了闡明蝕刻殘留物的形成機理，研究了氯/氦-氧、溴化氫/氦-氧和溴化氫/氯等不同氣體混合物的影響，我們發現在氧的存在下，蝕刻殘留物形成良好，這表明蝕刻殘留物是由氧和非揮發性乳化硅化合物的反應
2022-05-06 15:49:501012 
以形成非球面表面。 我們使用 100 525 μm的硅晶片，在正面上具有1 μm的SiO2掩模，在背面上具有保護性的氮化物層。用于整個過程的蝕刻劑是85℃的33重量%的KOH:H2O溶液。 我們設計了許多
2022-05-11 14:49:58712 
引言 正在開發化學下游蝕刻(CDE)工具，作為用于半導體晶片處理的含水酸浴蝕刻的替代物。對CDE的要求包括在接近電中性的環境中獲得高蝕刻速率的能力。高蝕刻率是由含NF”和0的混合物的等離子體放電分解
2022-06-29 17:21:423346 
、 合金化6、 單面光刻（涂膠、對準、曝光、顯影）7、 雙面光刻8、 LPCVD Si3N4 （氮化硅）9、 LPCVD POLY（多晶硅）10、 a-Si （非晶硅）11、 PECVD SiO2 （氧化
2015-01-07 16:15:47
濕蝕刻是光刻之后的微細加工過程，該過程中使用化學物質去除晶圓層。晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設備的基礎；最常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
光澤浸漬處理 是一種對金屬表面輕微咬蝕，使呈現更平滑光亮者，其槽液濕式處理謂之。 7、Chemical Milling 化學研磨 是以化學濕式槽液方法，對金屬材料進行各種程度的腐蝕加工，如表面粗化
2018-08-29 16:29:01
PCB，電路板，基板上面如何出現電路呢？這就要蝕刻來實現。所謂蝕刻，先在板子外層需保留的銅箔部分，也就是電路的圖形部分，在上面預鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉。銅有兩層，一層
2017-02-21 17:44:26
為了在基板上形成功能性的MEMS結構，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過程分為兩類：浸入化學溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術。
2021-01-09 10:17:20
連續再生循環使用，成本低。 2.蝕刻過程中的主要化學反應在氯化銅溶液中加入氨水，發生絡合反應：CuCl2＋4NH3 →Cu(NH3)4Cl2在蝕刻過程中，板面上的銅被[Cu(NH3)4]2+絡離子氧化
2018-02-09 09:26:59
)→FQA→成品?！ ?2)要點僅對導電圖形進行選擇性電鍍。板子鉆孔，化學鍍銅，光成像以形成導電圖形，這時候僅對線路和孔及焊盤進行圖形電鍍銅，使孔內平均銅厚大于等于20μm，然后接著鍍錫(錫鍍層作為蝕刻
2018-09-21 16:45:08
簡述如下： 1 物理及化學方面 1）蝕刻液的濃度：應根據金屬腐蝕原理和銅箔的結構類型，通過試驗方法確定蝕刻液的濃度，它應有較大的選擇余地，也就是指工藝范圍較寬?！ ?b class="flag-6" style="color: red">2）蝕刻液的化學成分的組成：蝕刻
2018-09-11 15:19:38
類型，通過試驗方法確定蝕刻液的濃度，它應有較大的選擇余地，也就是指工藝范圍較寬?！ ?b class="flag-6" style="color: red">2）蝕刻液的化學成分的組成：蝕刻液的化學組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液
2013-10-31 10:52:34
的。但是所有有關蝕刻的理論都承認這樣一條最基本的原則，即盡量快地讓金屬表面不斷的接觸新鮮的蝕刻液。對蝕刻過程所進行的化學機理分析也證實了上述觀點。在氨性蝕刻中，假定所有其它參數不變，那么蝕刻速率主要由蝕刻液
2018-11-26 16:58:50
不同的設計方式和設備結構。這些理論往往是大相徑庭的。但是所有有關蝕刻的理論都承認這樣一條最基本的原則，即盡量快地讓金屬表面不斷的接觸新鮮的蝕刻液。對蝕刻過程所進行的化學機理分析也證實了上述觀點。在氨性蝕刻中，假定
2018-09-13 15:46:18
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學蝕刻的比較編號：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
精煉、晶體生長和晶圓形成。硅精煉開始于在大約 2000 °C 的電弧爐中用碳源還原二氧化硅。碳有效地從 SiO2 分子中“拉”出氧，從而將 SiO2 化學還原為大約 98% 的純硅，稱為冶金級硅
2021-07-06 09:32:40
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN、ZnO和SiC的濕法化學蝕刻編號：JFKJ-21-830作者：炬豐科技摘要寬帶隙半導體具有許多特性，使其對高功率、高溫器件應用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
各向異性（晶體）化學蝕刻是半導體器件的基礎工藝技術，其中小平面和小平面定義的幾何形狀決定了器件的特性。例子是：（1）具有原子級光滑面的光學設備（波導、激光器）減少損失（2）MEMS，其中幾何形狀可以通過
2021-07-08 13:09:52
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN的晶體濕化學蝕刻[/td][td]編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 目前
2021-07-07 10:24:07
。光刻膠的圖案通過蝕刻劑轉移到晶片上。沉積：各種材料的薄膜被施加在晶片上。為此，主要使用兩種工藝，物理氣相沉積 (PVD) 和化學氣相沉積 (CVD)。制作步驟：1.從空白晶圓開始2.自下而上構建
2021-07-08 13:13:06
發射極感興趣，這可以避免AlGaAs 的氧化和深能級問題。用于器件制造的關鍵技術操作之一是濕化學蝕刻。在我們之前的論文中，我們介紹了一組在 HC1:C H3COOH:H2O2（所謂的 KKI）溶液中
2021-07-09 10:23:37
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網址：http
2021-07-06 09:39:22
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：半導體行業的濕化學分析——總覽編號：JFSJ-21-075作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html對液體和溶液進行
2021-07-09 11:30:18
，干法蝕刻制備的氮化鎵（GaN）側壁通常具有較大的粗糙度和蝕刻損傷，這會導致由于表面非輻射復合導致的光學散射和載流子注入損失引起的鏡面損失。詳細研究了干法蝕刻形成的GaN側壁面的濕化學拋光工藝，以去除蝕刻
2021-07-09 10:21:36
鏡面硅結構時，表面的平滑度和蝕刻速率是關鍵參數。我們展示了一種從單晶硅創建 45° 和 90° 蝕刻平面的方法，用作微流體裝置中的逆反射側壁。該技術使用相同的光刻圖案方向，但使用兩種不同的蝕刻劑。用
2021-07-19 11:03:23
理論往往是大相徑庭的。但是所有有關蝕刻的理論都承認這樣一條最基本的原則，即盡量快地讓金屬表面不斷的接觸新鮮的蝕刻液。對蝕刻過程所進行的化學機理分析也證實了上述觀點。在氨性蝕刻中，假定所有其它參數不變
2018-04-05 19:27:39
的阻隔層，而后者品質稍差，但因其沉積時溫度甚低，可以作IC完成主結構后的保護層。190) Silicon Dioxide二氧化硅即SiO2，熱氧化生成的二氧化硅其特性是a) 無定型結構b) 很容易與硅反應
2020-02-17 12:20:00
過程中的一些參數，改變噴淋的一些操作方式等進行相關研究工作。本文將從流體力學的角度，建立模型來分析流體在銅導線之間凹槽底部各個位置的相對蝕刻速度，從本質上研究蝕刻液流體的蝕刻過程的機理。 1. 模型建立
2018-09-10 15:56:56
噴灑在板子的表面。它把新鮮的溶液噴灑在板子上，具有很高的蝕刻速率。下列因素決定了蝕刻的均勻程度: 1 )噴灑樣式、力量、噴灑量的一致性和排放的位置; 2) 蝕刻劑的化學性能、泵的壓力、噴嘴的外形
2018-09-11 15:27:47
有人做用電化學腐蝕多孔硅的工藝嗎？本人剛開始做，想一起交流一下相關經驗。
2011-03-21 13:30:18
在印制電路加工中﹐氨性蝕刻是一個較為精細和覆雜的化學反應過程,卻又是一項易于進行的工作。只要工藝上達至調通﹐就可以進行連續性的生產, 但關鍵是開機以后就必需保持連續的工作狀態﹐不適宜斷斷續續地生產
2017-06-23 16:01:38
。目前廣泛應用的是SiO2為絕緣層的絕緣柵場效應管，稱為金屬-氧化物-半導體場效應管，簡稱MOSFET。以功能類型劃分，MOSFET分為增強型和耗盡型兩種，其中耗盡型與增強型主要區別是在制造SiO2絕緣層
2019-07-29 06:01:16
新生成品質更好的 SiO2 薄膜 , 作為柵極氧化層。 14、LPCVD 沉積多晶硅層，然后涂敷光阻進行光刻，以及等離子蝕刻技術，柵極結構，并氧化生成 SiO2 保護層。 15、表面涂敷光阻，去除 P 阱
2011-12-01 15:43:10
晶片全面曝光的方法，使單一晶片上可以獲得更多的芯片(chip)。如此一來，雖然產率得以提高，但同時也制造一些工藝處理問題。特別在對
硅晶片
蝕刻深凹槽(deeptrench)工藝方面?！ ∮捎诓捎萌嫫毓?/div>
2018-03-16 11:53:10
有機無機復合ZrO2 2SiO2 平面光波導摘要: 采用溶膠凝膠法合成ZrO22SiO2 有機無機復合光波導材料,通過改變其中ZrO2 的含量來調節材料的折射率,使材料分別適用于平面光波導的導光層
2009-08-08 09:57:18
`有機硅灌封膠的特點及固化機理有機硅材質的灌封膠不僅擁有比環氧樹脂更優秀的改性能力和電氣絕緣能力，抗冷熱沖擊能力也相當的優秀，能承受-60℃～200℃的冷熱沖擊，不開裂，且保持彈性，有提高電子元器件
2016-10-29 19:29:37
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉化為液體化合物。選擇性非常高，因為所用化學藥品可以非常精確地適應各個薄膜。對于大多數解決方案，選擇性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
使用過程中的耐擦洗性以及美觀度等，因此涂層的耐磨性是涂層的關鍵性能要求。考察n(SiO2)︰n(M+)︰n(PO43-)的不同比例對涂層耐摩擦次數的影響，以及在此基礎上添加0.5%質量分數的納米氧化鋯分散
2017-10-13 16:53:27
作用下電介質瞬時開路。3.1.3引起電容器電參數惡化的主要失效機理①受潮或表面污染；②銀離子遷移；③自愈效應；④電介質電老化與熱老化；⑤工作電解液揮發和變稠；⑥電極腐蝕；⑦濕式電解電容器中電介質腐蝕
2011-11-18 13:16:54
。 2·蝕刻液的種類﹕ 不同的蝕刻液,其化學組分不相同﹐蝕刻速率就不一樣﹐蝕刻系數也不一樣。 例如﹕酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數通常為3﹐而堿性氯化銅蝕刻系數可達到4。 3·蝕刻速率： 蝕刻
2017-06-24 11:56:41
感光性樹脂合成，添加了感光劑、色料、填料及溶劑的一種藍色粘稠狀液體。基材上的凹坑、劃傷部分與濕膜的接觸良好，且濕膜主要是通過化學鍵的作用與基材來粘合的，從而濕膜與基材銅箔間有優良好的附著力，使用絲網
2018-08-29 10:20:48
產生干凈無腐蝕的芯片表面。檢測范圍：常規塑封器件的開帽分析包括銅線開封。檢測內容：1.芯片開封（正面/背面）；2.IC蝕刻，塑封體去除。
2021-12-08 17:06:31
芯片制作工藝流程 工藝流程1) 表面清洗 晶圓表面附著一層大約2um的Al2O3和甘油混合液保護之,在制作前必須進行化學刻蝕和表面清洗。2) 初次氧化 有熱氧化法生成SiO2 緩沖層，用來減小后續
2019-08-16 11:09:49
往往是大相徑庭的。但是所有有關蝕刻的理論都承認這樣一條最基本的原則，即盡量快地讓金屬表面不斷的接觸新鮮的蝕刻液。對蝕刻過程所進行的化學機理分析也證實了上述觀點。在氨性蝕刻中，假定所有其它參數不變，那么蝕刻
2018-09-19 15:39:21
采用RCC與化學蝕刻法制作高密度互連印制板 &
2006-04-16 21:23:491075 ITO玻璃技術之SiO2阻擋膜層規格
SiO2 阻擋膜層規格
2008-10-25 16:04:251408 鍍復SiO2膜的電容器介質膜
成功一種能在幾百小時連續沉積SiO2膜的新穎電子束蒸發裝置，獲國家發明專利，在此基礎上
2009-12-08 09:03:32702 PCB蝕刻技術通常所指蝕刻也稱光化學蝕刻，指通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區域的保護膜去除，在蝕刻時接觸化學溶液，達到溶解腐蝕的作用。
2017-04-21 17:08:275086 理論及不同退火溫度、不同退火時間、SiO2薄膜厚度、SiO2薄膜折射率、不同蓋片等試驗參數對制備非吸窗口的影響，并且討論了Si0，薄膜介質膜的多孔性對無雜質誘導量子阱混合的影響．實驗制備出藍移波長為53 nm的非吸收窗口，最佳制備非吸收窗口條件為退火溫度為
2018-02-10 10:16:35
0 蝕刻液的種類：不同的蝕刻液化學組分不同，其蝕刻速率就不同，蝕刻系數也不同。例如：酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數通常為3，堿性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數可達到4。近來的研究表明，以硝酸為基礎的蝕刻系統可以做到幾乎沒有側蝕，達到蝕刻的線條側壁接近垂直。這種蝕刻系統正有待于開發。
2018-10-12 11:27:366336 在等離子增強化學氣相沉積法PECVD沉積 SiO2和 SiN掩蔽層過程中!分解等離子體中濃度較高的H原子使MG受主鈍化!同時在P-GaN材料表面發生反應形成淺施主特性的N空位。
2018-12-17 08:00:0017 蝕刻（etching）是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。蝕刻技術可以分為濕蝕刻（wet etching）和干蝕刻（dry etching）兩類。它可通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區域的保護膜去除，在蝕刻時接觸化學溶液，達到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-24 15:52:5729780 通常所指蝕刻也稱腐蝕或光化學蝕刻（photochemicaletching），指通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區域的保護膜去除，在蝕刻時接觸化學溶液，達到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-25 15:41:3614173 蝕刻法是用蝕刻液將導電線路以外的銅箔去除掉的方法，雕刻法是用雕刻機將導電線路以外的銅箔去除掉的方法，前者是化學方法，較常見，后者是物理方法。
2019-05-17 11:13:2122179 蝕刻指通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區域的保護摸去處，在蝕刻時接觸化學溶液，達到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版。蝕刻機可以分為化學蝕刻機及電解蝕刻機兩類。
2019-06-26 16:02:4820207 PCB，電路板，基板上面如何出現電路呢？這就要蝕刻來實現。所謂蝕刻，先在板子外層需保留的銅箔部分，也就是電路的圖形部分，在上面預鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉。銅有兩層，一層需要
2020-03-08 14:45:214248 蝕刻：將覆銅箔板表面由化學藥水蝕刻去除不需要的銅導體，留下銅導體形成線路圖形，這種減去法工藝是當前印制電路板加工的主流
2021-01-06 14:32:018529 1、 PCB蝕刻介紹 蝕刻是使用化學反應而移除多余材料的技術。PCB線路板生產加工對蝕刻質量的基本要求就是能夠將除抗蝕層下面以外的所有銅層完全去除干凈，僅此而已。在PCB制造過程中，如果要精確地
2021-04-12 13:48:0031019 
分析化學小型化的一個方便的起點是使用單c：晶體硅作為起始材料，微加工作為使技術，濕化學蝕刻作為關鍵的微加工工具。在本文中，我們回顧了硅微加工，并描述了形成可能用于化學分析應用的通道、柱和其他幾何圖案
2021-12-22 17:29:021095 
電流的極端規模集成。在這個過程中，固相氮化硅(Si3N4)層在部分二氧化硅(SiO2)沉積中起到掩模的作用。通過這種沉積，形成了由數百個交替堆疊的Si3N4和二氧化硅原子層組成的垂直堆疊結構.Si3N4掩模必須在程序結束時去除，通常通過熱化學蝕
2021-12-28 16:38:085460 
光增強電化學（PEC）濕蝕刻也被證明用于氮化鎵。PEC蝕刻具有設備成本相對較低、表面損傷較低的優點，但尚未找到一種生產光滑的垂直側壁的方法。氮化鎵的裂切面也有報道，在藍寶石基質上生長的氮化
2022-01-17 15:38:05942 
引言 我們華林科納研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學蝕刻與蝕刻溫度和材料質量的關系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不等。通過在1100°C下快速熱退火，提高了反應
2022-01-17 16:21:48324 
介紹 本文通過詳細的動力學研究，闡明了在富含HF的高頻/HNO3混合物中對硅的濕式化學蝕刻的機理。蝕刻實驗后，我們進行進行了化學分析并研究了蝕刻速率與溫度、蝕刻劑的硅含量利用率和攪拌速度的函數關系
2022-01-24 15:41:131340 
索引術語:氮化鎵，蝕刻 摘要 本文介紹了我們華林科納的一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對氮化鎵進行光增強濕法化學刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意摻雜氮化鎵和p-氮化鎵樣品的結果。 介紹 光電化學
2022-02-07 14:35:421479 
基于HC1的蝕刻劑被廣泛應用于InP半導體器件，HC1溶液中其他酸的存在對蝕刻速率有顯著影響，然而，InP并不溶在涉及簡單氧化劑的傳統蝕刻劑中，為了解決溶解機理的問題，我們江蘇華林科納研究了p-InP在不同HC1溶液中的刻蝕作用和電化學反應。
2022-02-09 10:54:58727 
摘要 綜述了半導體各向異性蝕刻的表面化學和電化學。描述了對堿性溶液中硅的各向異性化學蝕刻和 n 型半導體中各向異性孔的電化學蝕刻的最新見解。強調了電流效應在開路蝕刻中的可能作用。 介紹 由于簡單
2022-03-03 14:16:37905 
HF對基片進行了研究，主要分為隨機蝕刻和周期性蝕刻。 我們討論了蝕刻的問題機理、蝕刻速率、硬掩膜材料、周期性光俘獲結構。
2022-03-08 11:52:411214 
在本文中，我們首次報道了實現硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅111的晶體蝕刻。本文描述了用于該研究的溶液的化學組成，隨后是使用電子和光學顯微鏡獲得的結果。蝕刻的機理，雖然沒有完全理解，將在下面的章節中討論。
2022-03-09 14:35:42460 
本文研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學蝕刻與蝕刻溫度和材料質量的關系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不等。通過在1100°C下快速熱退火，提高了反應性濺射制備
2022-03-09 14:37:47431 
分析化學小型化的一個方便的起點在于使用單晶硅作為起始材料，微加工作為使能技術，濕化學蝕刻作為關鍵的微加工工具。在這次可行性研究和學習中都起到了關鍵作用。
2022-03-11 13:58:08514 
利用作為掩模的陽極多孔氧化鋁的模式轉移，制備了具有100nm周期性自有序結構的孔和柱陣列納米結構，納米圖案的轉移是通過一個涉及硅的局部陽極化和隨后的化學蝕刻的組合過程來實現的。利用這一方法，可以通過改變蝕刻條件來制造負圖案和正圖案。
2022-03-23 11:05:54373 
在微電子技術以及在微結構、微光學和微化學傳感器中，需要在由不同材料構成的大面積的薄膜層中構造功能完善的結構。
2022-03-29 15:49:583961 
本文采用超聲增強化學蝕刻技術制備了多孔硅層，利用高頻溶液和硝酸技術在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測發現p型硅多孔硅層的結構，用該方法可以制備質量因子的多孔硅微腔，超聲波蝕刻所導致的質量的提高
2022-04-06 13:32:13331 
引言 硅晶圓作為硅半導體制造的基礎材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會產生加工變質層。為了去除該加工變質層，進行化學蝕刻，在硅晶片的制造工序
2022-04-08 17:02:101682 
硅晶圓作為硅半導體制造的基礎材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會產生加工變質層。為了去除該加工變質層，進行化學蝕刻，在硅晶片的制造工序中，使共有
2022-04-12 15:28:16943 
因為它通過熱氧化形成了與Si相容性好的電、機械、熱、化學特性優良的絕緣體SiO2，可以應用于MOS晶體管結構和鈍化。
2022-04-13 15:26:084795 
本文采用超聲增強化學蝕刻技術制備了多孔硅層，利用高頻溶液和硝酸技術在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測發現p型硅多孔硅層的結構，用該方法可以制備質量因子的多孔硅微腔，超聲波蝕刻所導致的質量的提高
2022-04-15 10:18:45332 
拋光的硅片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，通過切片將單晶硅錠切成圓盤(晶片)，然后進行稱為研磨的平整過程，該過程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過程中引起的機械損傷通過蝕刻是本文的重點。在準備用于器件制造之前，蝕刻之后是各種單元操作，例如拋光和清潔。
2022-04-28 16:32:37670 
金屬涂層，如銅膜，可以很容易地沉積在半導體材料上，如硅晶片，而無需使無電鍍工藝進行預先的表面預處理。然而，銅膜的粘附性可能非常弱，并且容易剝離。在本研究中，研究了在氫氟酸溶液中蝕刻作為硅晶片化學
2022-04-29 15:09:06464 
，在5 μm的平均蝕刻速率下，2 pm寬的溝槽蝕刻到50 pm的深度，具有高度各向異性的輪廓和對SiO2掩模非常高的選擇性。
2022-05-11 15:46:19730 
50納米，4，5，盡管最近有報道稱rms粗糙度低至4–6納米的表面。6光增強電化學(PEC)濕法蝕刻也已被證明適用于氮化鎵(GaN)的蝕刻。7–10 PEC蝕刻具有設備成本相對較低和表面損傷較低的優勢
2022-07-12 17:19:243454 
反應性離子蝕刻綜合了離子蝕刻和等離子蝕刻的效果：其具有一定的各向異性，而且未與自由基發生化學反應的材料會被蝕刻。首先，蝕刻速率顯著增加。通過離子轟擊，基材分子會進入激發態，從而更加易于發生反應。
2022-09-19 15:17:553390 這款GO-FET生物傳感器采用由p型硅（Si）襯底以及覆蓋其上的二氧化硅（SiO2）介電層組成的p型硅片（Si/SiO2）制備。
2022-11-10 09:58:24453 本文綜述了工程師們使用的典型的濕化學配方。盡可能多的來源已經被用來提供一個蝕刻劑和過程的簡明清單
2023-03-17 16:46:232013 
金屬蝕刻是一種通過化學反應或物理沖擊去除金屬材料的技術。金屬蝕刻技術可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學過程組成。不同的蝕刻劑對不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強度。
2023-03-20 12:23:433172 大多數iii\-氮化物的蝕刻目前是通過干燥工藝完成的。雖然干蝕刻具有許多理想的特性，包括高蝕刻率和獲得垂直壁的能力，但干蝕刻有幾個缺點，包括產生離子致損傷和難以獲得光滑的蝕刻側壁，這是激光所需要的。
2023-03-22 10:55:501110 
關鍵詞：氫能源技術材料，耐高溫耐酸堿耐濕膠帶，高分子材料，高端膠粘劑引言：蝕刻(etching)是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。蝕刻技術可以分為濕蝕刻(wetetching)和干蝕刻
2023-03-16 10:30:163505 
硅在暴露在空氣中時會形成一層氧化硅（SiO2）層。在許多制程步驟中，如在熱處理過程之前，需要移除這層氧化硅。氫氟酸是唯一能夠有效清洗硅片表面氧化硅的化學品。氫氟酸能夠與SiO2發生反應，生成揮發性的氟硅酸，從而清除硅片表面的氧化物層。
2023-08-02 10:40:25543 
20世紀60年代以前，半導體基片拋光還大都沿用機械拋光，得到的鏡面表面損傷是極其嚴重的。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶膠和凝膠拋光后，以SiO2漿料為代表的化學機械拋光工藝就逐漸代替了以上舊方法。
2023-08-02 10:48:407529 
蝕刻液的化學成分的組成：蝕刻液的化學組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數可達3.5-4。而正處在開發階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達到幾乎沒有側蝕問題，蝕刻后的導線側壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 目前，大多數III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點，包括產生離子誘導損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側壁。干法蝕刻產生的側壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30241 
電子發燒友App
工商網監
評論