年相比）SiC成長10倍，GaN翻至60倍，Si增長45.1％。 該機構(gòu)指出，SiC功率半導(dǎo)體市場主要在中國和歐洲擴張，從2017年~2018年，SiC增長41.8％至3.7億美元。目前，SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）占70％，并且主要在信息和通信設(shè)備領(lǐng)域需求增加。6英寸晶圓的推出使得成本降低，預(yù)計將進一
2019-06-25 11:22:42
7827 GaN中游我們可以將其分為器件設(shè) 計、晶圓制造、封裝測試三個部分。 作為化合物半導(dǎo)體的一類，與SiC類似，全球產(chǎn)能普遍集中在IDM廠商上，不過相比于SiC，GaN在設(shè)計和制造環(huán)節(jié)正在往垂直分工的模式
2022-07-18 01:59:454002 在未來十年，受電源、光伏（PV）逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅(qū)動，新興的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。據(jù)有關(guān)報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體
2013-04-26 10:10:041532 SiC、GaN等下一代功率器件的企業(yè)有所增加，為數(shù)眾多的展示吸引了各方關(guān)注。SiC和GaN也變得不再是“下一代”。
2013-07-09 09:46:493475 市場研究機構(gòu)IHS最新統(tǒng)計報告指出，隨著愈來愈多供應(yīng)商推出產(chǎn)品，2015年碳化矽（SiC）功率半導(dǎo)體平均銷售價格已明顯下滑，有望刺激市場加速采 用；與此同時，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體也已開始
2016-03-24 08:26:111305 （SiC）和氮化鎵（GaN）占有約90％至98％的市場份額。供應(yīng)商。WBG半導(dǎo)體雖然還不是成熟的技術(shù)，但由于其優(yōu)于硅的性能優(yōu)勢（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷卻），正在跨行業(yè)進軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體來獲
2021-04-06 17:50:533168 
電力電子將在未來幾年發(fā)展，尤其是對于組件，因為 WBG 半導(dǎo)體技術(shù)正變得越來越流行。高工作溫度、電壓和開關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過渡標志著功率器件發(fā)展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41761 
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細分市場中全面推進。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對應(yīng)物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
在很寬的范圍內(nèi)實現(xiàn)對器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件，4H-SiC被認為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:261373 超結(jié)（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來，在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件，我們將在本文中重點介紹其一些性能特性和應(yīng)用空間。
2023-06-08 09:33:241389 
全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展，為氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長前景。2020年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為7億美元，預(yù)計2021年至2027年的復(fù)合年增長率
2021-05-21 14:57:182257 GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。
2021-11-17 09:06:184236 
?近日，國內(nèi)第三代半導(dǎo)體新銳企業(yè)芯塔電子正式宣布推出新一代1200V 40-80mΩ SiC MOSFET，器件各項性能達到國際領(lǐng)先水平。此舉標志著芯塔電子在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了重大進展，進一步
2022-08-29 15:08:57879 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 的設(shè)計人員面臨幾個相沖突的業(yè)界挑戰(zhàn)，從新的USB Type C連接和USB PD (電力輸送) 的輸出是否符合法定的能效標準，一直到成本等相關(guān)問題。納微的單芯片GaN功率IC可同時達到高速運作及高效率
2017-09-25 10:44:14
繼第一代和第二代半導(dǎo)體技術(shù)之后發(fā)展起來的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件，是發(fā)展大功率、高頻高溫、抗強輻射和藍光激光器等技術(shù)的關(guān)鍵核心。因為第三代半導(dǎo)體的優(yōu)良特性，該半導(dǎo)體技術(shù)逐漸成為了近年來半導(dǎo)體研究
2023-06-25 15:59:21
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術(shù)進步的簡要歷史 - 展示其技術(shù)優(yōu)勢及其未來的商業(yè)前景。 碳化硅或碳化硅的歷史
2023-02-27 13:48:12
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會給方方面面帶來巨大進步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
具備所有必要的技術(shù)特性，采用16引腳寬體SOIC封裝。它們可以對基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器的高速復(fù)雜多層控制環(huán)路進行管理。[color=rgb(51, 51, 51) !important
2019-07-16 23:57:01
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
另一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導(dǎo)通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。如果
2019-05-07 06:21:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
不具備足夠的堅固性。當前對大功率、高溫器件封裝技術(shù)的大量需求引起了對這一領(lǐng)域的研發(fā)熱潮。 SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導(dǎo)電層，且具有高熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù)，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上
2018-09-11 16:12:04
進行介紹。SiC功率元器件的開發(fā)背景之前談到，通過將SiC應(yīng)用到功率元器件上，實現(xiàn)以往Si功率元器件無法實現(xiàn)的低損耗功率轉(zhuǎn)換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。其背景是為了促進解決全球
2018-11-29 14:35:23
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實現(xiàn)這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
半導(dǎo)體相比，損耗更低，高溫環(huán)境條件下工作特性優(yōu)異，有望成為新一代低損耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。SiC半導(dǎo)體已經(jīng)開始實際應(yīng)用，并且還應(yīng)用在對品質(zhì)可靠性要求很嚴苛的車載設(shè)備上。提起SiC，可能在
2018-11-29 14:39:47
國際銷售總監(jiān)-深圳職位描述崗位基本職責：帶領(lǐng)團隊開展國際市場開拓及目標銷售任務(wù)的完成。要求：1、本科及以上學(xué)歷，國際貿(mào)易或理工科等相關(guān)專業(yè)。2、在大型設(shè)備、機器人、智能玩具等行業(yè)國際業(yè)務(wù)相同崗位二年
2015-06-12 15:40:53
求助大家，我是一名新手，如果組建一個車輛牽引逆變器軟件開發(fā)團隊，一般需要幾個人，怎么分工謝謝，底層架構(gòu)為dsp+fpga+arm。
2017-11-16 22:06:29
我要組建一支智能家電開發(fā)團隊，有興趣的工程師們可以聯(lián)系我本人QQ1548116357，聯(lián)系電話***
2014-10-30 20:33:43
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達系統(tǒng)的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵，SiC和GaN等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。ROHM和ApexMicrotechnology在功率電子和模擬
2023-03-29 15:06:13
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛的電子發(fā)燒友小伙伴們！羅姆作為 SiC 功率元器件的領(lǐng)先企業(yè)，自上世紀 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
金屬有機物化學(xué)氣相淀積(MOCVD) 或分子束外延(MBE) 技術(shù)而制成。GaN-on-SiC 方法結(jié)合了GaN 的高功率密度功能與SiC 出色的導(dǎo)熱性和低射頻損耗。這就是GaN-on-SiC 成為高
2019-08-01 07:24:28
--- QPA2212和QPA1022，它們適合國際Ka頻段的衛(wèi)星通信應(yīng)用與X頻段的相控陣雷達應(yīng)用。這些解決方案提供的功率、線性度和效率可達到行業(yè)最高水平，且體積更小，因此這兩款器件既能提高系統(tǒng)性能，又能降低成本。
2019-09-11 11:51:15
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計演進的關(guān)鍵驅(qū)動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
的材料特性，各自都有各自的優(yōu)點和不成熟處，因此在應(yīng)用方面有區(qū)別 。一般的業(yè)界共識是：SiC適合高于1200V的高電壓大功率應(yīng)用；GaN器件更適合于40-1200V的高頻應(yīng)用。在600V和1200V器件
2021-09-23 15:02:11
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
成熟銷售團隊，多個成功經(jīng)驗，研發(fā)團隊組建設(shè)***中，1、***嵌入式軟件工程師（醫(yī)療美容可穿戴產(chǎn)品） 2、***硬件/電子電路設(shè)計工程師（醫(yī)療美容可穿戴產(chǎn)品） 坐標：上海成熟項目規(guī)劃，研發(fā)團隊***中，招全職工程師或（技術(shù)入股合伙人），聯(lián)系：QQ：593042248
2019-04-27 16:34:53
本人主要從事電子產(chǎn)品硬件的設(shè)計開發(fā)，業(yè)余有一定時間不想荒廢，目前有意向組建一個技術(shù)團隊。初衷如下： 1. 多結(jié)識一些志同道合的朋友，大家在技術(shù)、市場和創(chuàng)業(yè)等方面可以多交流； 2. 開拓市場并合
2012-02-19 18:21:12
本人主要從事電子產(chǎn)品硬件的設(shè)計開發(fā)，業(yè)余有一定時間不想荒廢，目前有意向組建一個技術(shù)團隊。初衷如下： 1. 多結(jié)識一些志同道合的朋友，大家在技術(shù)、市場和創(chuàng)業(yè)等方面可以多交流； 2. 開拓市場并合
2012-02-19 18:25:55
本人主要從事電子產(chǎn)品硬件的設(shè)計開發(fā)，業(yè)余有一定時間不想荒廢，目前有意向組建一個技術(shù)團隊。初衷如下： 1. 多結(jié)識一些志同道合的朋友，大家在技術(shù)、市場和創(chuàng)業(yè)等方面可以多交流； 2. 開拓市場并合
2012-02-19 18:27:17
本人主要從事電子產(chǎn)品硬件的設(shè)計開發(fā)，業(yè)余有一定時間不想荒廢，目前有意向組建一個技術(shù)團隊。初衷如下： 1. 多結(jié)識一些志同道合的朋友，大家在技術(shù)、市場和創(chuàng)業(yè)等方面可以多交流； 2. 開拓市場并合
2012-02-19 18:28:06
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
，一舉接近國際一流水平。龍芯現(xiàn)有的兩個桌面型號分別是四核心的3A-1000和八核心的3B-1500，其內(nèi)核是2006年定型的GS464微架構(gòu)。如今老舊的 GS464核心已經(jīng)不堪重任，各項性能指標與當前
2015-05-08 10:52:52
您好，有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件，因為當我在ADS的原理圖窗口中搜索它時，它只顯示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一個功率放大器模擬，我需要一個GaN器件。請?zhí)岢瞿愕慕ㄗh
2019-01-17 15:55:31
”是條必經(jīng)之路。高效率、高性能的功率元器件的更新?lián)Q代已經(jīng)迫在眉睫。“功率元器件”廣泛分以下兩大類：一是以傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的“硅（Si）功率元器件”。二是“碳化硅（SiC）功率元器件”，與Si半導(dǎo)體相比
2017-07-22 14:12:43
應(yīng)用看，未來非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到，一旦國內(nèi)品牌誰先成功掌握這種技術(shù)，那它就會呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
——說智能硬件創(chuàng)客CEO的團隊建設(shè)之路 幾年前，在我第一次創(chuàng)業(yè)的時候，一個朋友問我準備花多少錢來打造團隊。我得意洋洋的告訴他，我的項目創(chuàng)意全國都領(lǐng)先，沒幾個人做的到，內(nèi)容也沒那么復(fù)雜，組建一個差不多
2015-09-21 13:25:10
請問一下SiC和GaN具有的優(yōu)勢主要有哪些？
2021-08-03 07:34:15
Stefano GallinaroADI公司各種應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器正從純硅IGBT轉(zhuǎn)向SiC/GaN MOSFET。一些市場（比如電機驅(qū)動逆變器市場）采用新技術(shù)的速度較慢，而另一些市場（比如太陽能
2018-10-22 17:01:41
一位中國移動方面的人員在其演講中公開表示根據(jù)其測試的結(jié)果顯示，TD終端的部分指標已經(jīng)超過了WCDMA終端，TD終端的質(zhì)量已達到了業(yè)界一流的水平
2011-12-10 14:44:491059 據(jù)權(quán)威媒體分析，SiC和GaN器件將大舉進入電力電子市場，預(yù)計到2020年，SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場發(fā)展將更多地集中到SiC和GaN的技術(shù)創(chuàng)新上。
2013-09-18 10:13:112463 安華高科技公司（Avago Technologies）推出了四款光電耦合器新產(chǎn)品，主要用于使用 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化鎵）制造的功率半導(dǎo)體器件等的門極驅(qū)動。新產(chǎn)品的最大特點是最大傳播延遲
2017-09-12 16:07:00
1 1.GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅（SiC）、氮鎵（GaN） 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料
2017-11-09 11:54:529 茅臺集團提出了“智慧茅臺”的重要規(guī)劃，要實現(xiàn)“智慧茅臺”達到國內(nèi)一流水平。
2018-03-05 16:02:003285 使用SiC的新功率元器件技術(shù)
2018-06-26 17:56:005775 基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2018-10-04 09:03:004753 
基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2019-01-05 09:01:093767 
預(yù)計在 2021 年突破 10 億美元。 報告表示，全球 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體的銷售收入，預(yù)計從 2018 年的 5.71 億美元增至 2020 年底的 8.54 億美元。預(yù)計未來十年，每年
2020-11-16 10:19:322223 1月25日電（記者 吳濤）近日，中國移動公布，當前正積極推進落實第五個五年發(fā)展戰(zhàn)略創(chuàng)世界一流“力量大廈”，目前在多個領(lǐng)域已經(jīng)處于通信行業(yè)世界一流水平。
2021-01-26 10:31:292220 ，特別適用于5G射頻和高壓功率器件。 據(jù)集邦咨詢（TrendForce）指出，因疫情趨緩所帶動5G基站射頻前端、手機充電器及車用能源等需求逐步提升，預(yù)期2021年GaN通訊及功率器件營收分別為6.8億和6100萬美元，年增30.8%及90.6%，SiC器件功率領(lǐng)域營收
2021-05-03 16:18:0010174 
在開關(guān)頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優(yōu)勢更為凸顯。 下文主要對國產(chǎn)SiC MOSFET進行介紹并與國外相近參數(shù)的主流產(chǎn)品相對比。 國產(chǎn)1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開始專注于第三代半導(dǎo)體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:374228 半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。
2022-04-16 17:13:015712 /dt也就越大。影響dv/dt和di/dt的主要因素是器件材料，其次是器件的電壓、電流、溫度以及驅(qū)動特性。為了加深大家對高速功率半導(dǎo)體器件的理解，今天我們以SiC和GaN為例來聊一下這個話題，看看高速功率器件的dv/dt和di/dt到底有多大?
2022-04-22 11:29:482477 在基本半導(dǎo)體特性（帶隙、臨界電場和電子遷移率）的材料比較中，GaN 被證明是一種優(yōu)異的材料。“Si 的帶隙略高于一個電子伏特，臨界電子場為 0.23 MV/cm，而 GaN 的電子遷移率和帶隙更寬
2022-08-03 08:04:292748 
鎵 (GaN) 等技術(shù)所需的最高開關(guān)速度和系統(tǒng)尺寸限制而設(shè)計。架構(gòu)的演進滿足了新的效率水平和時序性能的穩(wěn)定性，從而減少了電壓失真。本文以羅姆半導(dǎo)體的基于 SiC 技術(shù)的功率器件為參考點。
2022-08-10 15:22:11813 
DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍，提供非常高的測量精度和豐富的連接方式，是GaN 和 SiC 器件測試的理想探頭。
2022-11-03 17:47:061121 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢電子和電氣系統(tǒng)。回顧了SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:141503 近年來，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 相比于橫向功率電子器件，GaN縱向功率器件能提供更高的功率密度/晶圓利用率、更好的動態(tài)特性、更佳的熱管理，而大尺寸、低成本的硅襯底GaN縱向功率電子器件吸引了國內(nèi)外眾多科研團隊的目光，近些年已取得了重要進展。
2022-12-15 16:25:35754 電動汽車中的 GaN 還處于早期階段。許多功率 GaN 廠商已經(jīng)開發(fā)并通過汽車認證 650 V GaN 器件，用于 EV/HEV 中的車載充電器和 DC/DC 轉(zhuǎn)換，并且已經(jīng)與汽車企業(yè)建立了無數(shù)合作伙伴關(guān)系。
2023-01-06 11:11:34459 隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉(zhuǎn)向非常規(guī)半導(dǎo)體材料，特別是寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于寬帶隙材料具有相對較寬的帶隙（與常用的硅相比），寬帶隙器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶隙器件可以提高能效并延長電池壽命，這有助于推動寬帶隙半導(dǎo)體的市場。
2023-02-05 14:25:15676 SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達1 MHz的頻率下進行開關(guān)，其電壓和電流水平遠高于硅MOSFET。
2023-02-06 14:32:23564 SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。通過將SiC應(yīng)用到功率元器件上，實現(xiàn)以往Si功率元器件無法實現(xiàn)的低損耗功率轉(zhuǎn)換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448 
本文介紹了使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容。它分為四部分：雙電流探頭法原理、測量結(jié)果、三電流探頭法原理和測量結(jié)果。
2023-02-19 17:06:18350 
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。
2023-02-22 09:15:30345 
GaN功率器件是雷達T/R組件或發(fā)射功放組件中的核心元器件,隨著器件的輸出功率和功率密度越來越高,器件的長期可靠性成為瓶頸。文章對雷達脈沖工作條件下GaN功率器件的失效機理進行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051074 
由于應(yīng)用領(lǐng)域特殊，項目對功率器件的性能和可靠性均提出了極高的要求。而作為第一家獲得導(dǎo)入的中國SiC功率器件企業(yè)，利普思以其國際化的專業(yè)團隊、高性能高可靠的產(chǎn)品，贏得了客戶的信任和認可。
2023-08-04 15:21:06431 SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導(dǎo)致了更高的適用擊穿電壓，在某些應(yīng)用中可以達到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 
范圍內(nèi)控制必要的p型、n型，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581144 
GaN因其特性，作為高性能功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注，近年來其開發(fā)和市場導(dǎo)入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長GaN晶體）和垂直型（原樣使用GaN襯底）。
2023-09-13 15:05:25659 
長電科技在功率器件封裝領(lǐng)域積累了數(shù)十年的技術(shù)經(jīng)驗，具備全面的功率產(chǎn)品封裝外形，覆蓋IGBT、SiC、GaN等熱門產(chǎn)品的封裝和測試。
2023-10-07 17:41:32398 1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安半導(dǎo)體與其簽署了一項合作協(xié)議，Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產(chǎn)品在美洲的獨家銷售渠道，面向功率半導(dǎo)體應(yīng)用市場。
2024-01-13 17:17:561042 長沙超算中心算力重歸國際一流水平 同時湖南公布2024年十大產(chǎn)業(yè)項目 長沙積極打造成全球研發(fā)中心城市；長沙產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，已經(jīng)形成新一代自主安全計算系統(tǒng)國家級先進制造業(yè)集群。 據(jù)湖南省政府工作報告數(shù)據(jù)
2024-01-25 16:04:02936 和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:43106 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論