開電源開關(guān)轉(zhuǎn)換期間的開關(guān)損耗就更復(fù)雜，既有本身的因素，也有相關(guān)元器件的影響。
2019-07-22 14:16:09
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開關(guān)電源內(nèi)部主要損耗要提高開關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)，下面將分別討論。
2022-08-12 11:53:21815 功率晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器，UPS旁路等場(chǎng)合。本文通過(guò)公式計(jì)算和在線IPOSIM仿真兩種方式，對(duì)晶閘管在UPS旁路應(yīng)用中的損耗計(jì)算和結(jié)溫預(yù)估進(jìn)行說(shuō)明，給廣大工程師在晶閘管選型時(shí)提供幫助
2023-07-01 10:10:05633 
MOS 管計(jì)算導(dǎo)通損耗時(shí)，應(yīng)該用平均電流IAVG還是用電流有效IRMS值呢？
2023-07-19 15:46:291293 
的開關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，開關(guān)損耗測(cè)試對(duì)于器件評(píng)估非常關(guān)鍵，但很多工程師對(duì)開關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上。電源工程師們都知道開關(guān)MOS在整個(gè)電源系統(tǒng)里面的損耗占比是不小的，開關(guān)
2024-01-20 17:08:06916 
IC可維持性能的溫度的最大的功耗。例如，如果某電源IC的容許損耗為“1.2W”，則單純來(lái)說(shuō)，在該條件下所損耗的功率只要不超1.2W即可。以簡(jiǎn)單的LDO穩(wěn)壓器為例，其計(jì)算方式如下：輸入為5V、輸出為
2018-11-30 11:49:59
電源損耗一般集中在以下一些方面：1.MOS管的開通損耗及導(dǎo)通損耗。2.變壓器的銅損和鐵損；3.副邊整流管的損耗；4.橋式整流的損耗。5.采樣電阻損耗；6.吸收電路的損耗；7.其它損耗：PFC電感損耗
2018-09-18 09:13:29
功率電路所需的功能器件有關(guān)，這些器件包括與控制IC相關(guān)的電路以及反饋電路。相比于電源的其他損耗，這些損耗一般較小，但是可以作些分析看看是否有改進(jìn)的可能。 首先是啟動(dòng)電路。啟動(dòng)電路從輸入電壓獲得直流電
2020-08-07 08:06:08
我們將介紹測(cè)試電源開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗的各個(gè)步驟。 記住，經(jīng)過(guò)電源開關(guān)和磁性器件的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗對(duì)系統(tǒng)整體損耗有著巨大影響，正因如此，應(yīng)盡可能精確地使這些損耗達(dá)到最小，這一點(diǎn)至關(guān)重要。 首先，記住
2016-09-02 14:39:38
比如一個(gè)電源，全橋架構(gòu)，副邊用的是橋式整流輸出，輸出電流為10A，假設(shè)二極管的管子壓降為1.5V，那么副邊的二極管通態(tài)損耗怎么樣計(jì)算？可以這樣了解嗎：正半周期一組對(duì)角的二極管導(dǎo)通，此時(shí)功耗為1.5V*10*2=30W，同理負(fù)半周期也如此，則副邊二極管損耗為60W。
2018-12-18 14:52:44
損耗與所有運(yùn)行功率電路所需的功能器件有關(guān)，這些器件包括與控制 IC 相關(guān)的電路以及反饋電路。相比于電源的其他損耗，這些損耗一般較小，但是可以作些分析看看是否有改進(jìn)的可能。首先是啟動(dòng)電路。啟動(dòng)電路從輸入
2020-08-04 08:00:00
跟著人們對(duì)多媒體和3g手機(jī)的希望越來(lái)越高，對(duì)高畫質(zhì)的視頻、音頻的播映、多媒體的數(shù)據(jù)流、更加明晰的顯現(xiàn)及更多文娛等等的要求，手機(jī)中的功用和使用的多元化，以及功率耗費(fèi)的增加，電源辦理IC也就成了手機(jī)
2018-08-17 15:10:32
時(shí)，MOS管的損耗是不容忽視的一部分。下面將詳細(xì)計(jì)算MOS管的損耗。2. MOS管的損耗來(lái)源2.1 MOS開關(guān)損耗MOS在開關(guān)電源中用作開關(guān)器件，顧名思義，MOS會(huì)經(jīng)常的開通和關(guān)斷。由于電壓和電流都是
2021-07-29 06:01:56
在BUCK型開關(guān)電源中，如果沒(méi)有損耗，那效率就是100%，但這是不可能的，BUCK型開關(guān)電源中主要的損耗是導(dǎo)通損耗和交流開關(guān)損耗，導(dǎo)通損耗主要是指MOS管導(dǎo)通后的損耗和肖特基二極管導(dǎo)通的損耗（是指完
2021-10-29 08:08:29
Buck開關(guān)電源損耗如何估算？
2021-10-11 08:18:13
出現(xiàn)上述情況。計(jì)算損耗是一個(gè)迭代過(guò)程。在每一次迭代計(jì)算IC功率損耗時(shí)，都需要評(píng)估結(jié)溫和相應(yīng)的RDSON，以得到精確的效率結(jié)果。WEBENCH Power Designer能很好的處理這一過(guò)程；還能顯示被動(dòng)元件
2018-08-30 14:59:56
IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一，其結(jié)溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設(shè)計(jì)，還會(huì)影響IGBT可靠性和壽命。因此，如何計(jì)算IGBT的結(jié)溫Tj，已成為大家普遍關(guān)注的焦點(diǎn)。由最基本的計(jì)算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，損耗Ploss和熱阻Rth(j-a)是Tj計(jì)算的關(guān)鍵。
2019-08-13 08:04:18
另外半個(gè)工頻周期內(nèi)電流為0，因此反向恢復(fù)損耗為0； 6、IGBT導(dǎo)通損耗計(jì)算 導(dǎo)通損耗的計(jì)算是按照Vce電壓和電流I進(jìn)行積分求取如下： 其中Vce （t）代表IGBT的導(dǎo)通壓降，ic （t）代表流過(guò)
2023-02-24 16:47:34
MOSFET功率損耗的詳細(xì)計(jì)算
2023-09-28 06:09:39
如圖片所示，為什么MOS管的開關(guān)損耗（開通和關(guān)斷過(guò)程中）的損耗是這樣算的，那個(gè)72pF應(yīng)該是MOS的輸入電容，2.5A是開關(guān)電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
MOS管的開關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFCMOS管的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢
2018-11-09 11:43:12
本帖最后由 張飛電子學(xué)院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細(xì)分析計(jì)算功率MOSFET開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子
2021-01-30 13:20:31
驅(qū)動(dòng)損耗，指柵極接受驅(qū)動(dòng)電源進(jìn)行驅(qū)動(dòng)造成之損耗驅(qū)動(dòng)損耗的計(jì)算確定驅(qū)動(dòng)電源電壓 Vgs 后，可通過(guò)如下公式進(jìn)行計(jì)算：Pgs= Vgs × Qg × fs說(shuō)明Qg 為總驅(qū)動(dòng)電量，可通過(guò)器件規(guī)格書查找得到。6
2019-09-02 08:30:00
，也就是說(shuō)將近5mA的電流損耗在7805里了。有沒(méi)有低損耗的電源芯片，可以最大限度的降低損耗呢？哪位神哥給推薦一個(gè)啊！
2019-10-25 03:59:57
關(guān)于變頻電源的效率與損耗，中港揚(yáng)盛技工分析由于輸出的諧波問(wèn)題，這些諧波會(huì)產(chǎn)生相應(yīng)的銅耗和鐵耗,使電機(jī)固定損耗增加,電機(jī)溫升增高,降低運(yùn)行效率和功率因數(shù),因此變頻電源供電下電動(dòng)機(jī)的諧波損耗是一個(gè)大
2021-11-15 06:24:38
計(jì)算公式 （1）有功損耗： ΔP=P0+KTβ2PK-------（1） （2）無(wú)功損耗：ΔQ=Q0+KTβ2QK-------（2） （3）綜合功率損耗：ΔPZ=ΔP+KQΔQ----
2020-06-19 16:06:49
黑盒方式評(píng)估電源的耗散功率白盒方式計(jì)算電源的耗散功率開關(guān)損耗產(chǎn)生過(guò)程詳細(xì)分析電源方案的耗散功率如何計(jì)算？
2021-03-17 06:52:55
如何計(jì)算MOS管的損耗？
2021-11-01 08:02:22
開關(guān)MOS的損耗如何計(jì)算？
2021-03-02 08:36:47
電源工程師知道，整個(gè)電源系統(tǒng)中開關(guān)MOS的損耗比不小. 討論最多的是導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗，因?yàn)檫@兩種損耗與傳導(dǎo)損耗或驅(qū)動(dòng)損耗不同，因?yàn)樗苤庇^，所以有些人對(duì)其計(jì)算仍然有些困惑.今天，我們將詳細(xì)分析
2021-10-29 08:43:49
的電壓尖峰 Vspike 疊加其 上，此值可大致按經(jīng)驗(yàn)估算。 5、驅(qū)動(dòng)損耗Pgs 驅(qū)動(dòng)損耗，指柵極接受驅(qū)動(dòng)電源進(jìn)行驅(qū)動(dòng)造成之損耗 驅(qū)動(dòng)損耗的計(jì)算 確定驅(qū)動(dòng)電源電壓 Vgs 后，可通過(guò)如下公式進(jìn)行計(jì)算
2019-09-06 09:00:00
的壽命。 04附加損耗附加損耗與所有運(yùn)行功率電路所需的功能器件有關(guān)，這些器件包括與控制IC相關(guān)的電路以及反饋電路。相比于電源的其他損耗，這些損耗一般較小，但是可以作些分析看看是否有改進(jìn)的可能。 首先是
2020-08-27 08:07:20
最高的電容的壽命。 附加損耗 附加損耗與所有運(yùn)行功率電路所需的功能器件有關(guān)，這些器件包括與控制IC相關(guān)的電路以及反饋電路。相比于電源的其他損耗，這些損耗一般較小，但是可以作些分析看看是否有改進(jìn)
2023-03-16 16:37:04
開關(guān)電源內(nèi)部的損耗有哪些
2021-03-11 07:22:34
要提高開關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)。
2021-03-11 06:04:00
這兩條曲線所包圍的面積。例如圖1的開通損耗可用式(3)計(jì)算。這個(gè)結(jié)果只是功率開關(guān)開通期間的損耗值，再加上關(guān)斷和導(dǎo)通損耗可以得到開關(guān)期間的總損耗值。與輸出整流器有關(guān)的損耗在典型的非同步整流器開關(guān)電源內(nèi)部
2019-07-01 10:20:34
與開關(guān)電源工作相關(guān)的損耗都有哪些？
2019-09-11 13:57:01
能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)必定存在能耗，雖然實(shí)際應(yīng)用中無(wú)法獲得100%的轉(zhuǎn)換效率，但是，一個(gè)高質(zhì)量的電源效率可以達(dá)到非常高的水平，效率接近95%。絕大多數(shù)電源IC 的工作效率可以在特定的工作條件下測(cè)得，數(shù)據(jù)資料
2021-10-28 08:49:17
插入損耗的計(jì)算
2009-09-23 17:43:24
圖1所示為評(píng)估模塊（EVM）示意圖。圖1：設(shè)計(jì)原理圖柵極電荷和IC損耗在諸如LM2673的典型非同步降壓穩(wěn)壓器中，功耗部件包括集成電路、電感器和箝位二極管。穿過(guò)輸入和輸出電容和寄生等效串聯(lián)電阻（ESR）的均方根（RMS）電流非常低；因此，你可以忽略這些組件的損耗。由于結(jié)構(gòu)關(guān)系…
2022-11-16 07:54:35
DC-DC電源模塊待機(jī)的時(shí)候，輸出端無(wú)負(fù)載 ，但產(chǎn)品又存在待機(jī)損耗，這些損耗都耗在了哪里，又該如何去減小這些損耗呢？本文將一探究竟。 一、 啟動(dòng)電路損耗 一般的啟動(dòng)電路都是R+C啟動(dòng)，如圖1
2023-03-20 16:59:01
今天，Ms.參與大家共同了解實(shí)際流體，談?wù)劻黧w運(yùn)動(dòng)時(shí)的損耗計(jì)算。 1 實(shí)際流體及其運(yùn)動(dòng)方程與理想流體相比，實(shí)際流體存在著粘滯性，管道對(duì)流體也存在各種形式的阻力，因此管道中的流體(如電機(jī)中的空氣)流動(dòng)
2018-10-29 17:13:18
不錯(cuò)，但“流過(guò)電機(jī)的電流×電源電壓”中卻含有電機(jī)的功耗，因此，正確的做法是應(yīng)先求出電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC的輸出功耗，再加上IC電路的功耗。輸出功耗通過(guò)“損耗電壓×輸出電流”來(lái)計(jì)算。后續(xù)會(huì)介紹在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC
2021-11-12 07:00:00
的散熱性能和結(jié)溫。不正確的散熱可以導(dǎo)致RDSON的大幅增加，引起最大負(fù)載效率的大幅下降。當(dāng)IC的連接焊盤（DAP）與IC板上的焊接不正確時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)上述情況。計(jì)算損耗是一個(gè)迭代過(guò)程。在每一次迭代計(jì)算
2018-06-07 10:17:46
如何正確計(jì)算2.4GHz頻段模塊的路徑損耗？
2021-05-21 06:46:15
5、無(wú)源元件損耗??我們已經(jīng)了解MOSFET 和二極管會(huì)導(dǎo)致SMPS 損耗。采用高品質(zhì)的開關(guān)器件能夠大大提升效率，但它們并不是唯一能夠優(yōu)化電源效率的元件。圖1 詳細(xì)介紹了一個(gè)典型的降壓型轉(zhuǎn)換器IC
2021-12-31 06:19:44
鏈路及空間無(wú)線傳播損耗計(jì)算鏈路預(yù)算上行和下行鏈路都有自己的發(fā)射功率損耗和路徑衰落。在蜂窩通信中，為了確定有效覆蓋范圍，必須確定最大路徑衰落，或其他限制因
2008-12-05 14:57:17
140 IGBT損耗計(jì)算和損耗模型研究：器件的損耗對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)堯器件參數(shù)及散熱器的選擇相當(dāng)重要。損耗模型主要分為兩大類院基于物理結(jié)構(gòu)的IGBT損耗模型淵physics-based冤和基于數(shù)學(xué)方法的IG
2009-06-20 08:33:5396 根據(jù)開關(guān)器件的物理模型,分析了開關(guān)器件在Boost 電路中的損耗,并計(jì)算了Boost PWM 和PFC 兩種不同電路的開關(guān)損耗,給出了開關(guān)器件的功耗分布。最后對(duì)一臺(tái)3kW的Boost 型PFC 整流電源進(jìn)
2009-10-17 11:06:0671 線路電能損耗計(jì)算方法:線路電能損耗計(jì)算方法 A1 線路電能損耗計(jì)算的基本方法是均方根電流法，其代表日的損耗電量計(jì)算為： ΔA=3 Rt×10-3 (kW•h) (Al-1) Ijf = (A) (Al-2) 式
2010-01-27 11:53:4939 光鏈路總損耗計(jì)算公式：
A=0.25L+10 lg(1/K)+E+0.3N
4)光鏈路計(jì)算 ①計(jì)算依據(jù) 光纖損耗<0.2 dB/km(使用1級(jí)
2008-08-13 01:48:495531 變壓器空載損耗、負(fù)載損耗、阻抗電壓的計(jì)算
空載損耗：當(dāng)變壓器二次繞組開路，一次繞組施加額定頻率正弦波形的額定電壓時(shí)，所消耗的有功功率稱空載損耗。算法
2009-04-30 09:18:042465 變壓器空載損耗、負(fù)載損耗、阻抗電壓的計(jì)算
空載損耗：當(dāng)變壓器二次繞組開路，一次繞組施加額定頻率正弦波形的額定電壓時(shí)
2009-12-11 10:22:331145 車載電源的無(wú)負(fù)載損耗 無(wú)負(fù)載損耗也叫空載電流，是指車載電源在無(wú)負(fù)載的情況下，自身消耗的最小
2010-01-04 13:52:36826 您是否曾詳細(xì)計(jì)算過(guò)設(shè)計(jì)中的預(yù)計(jì)組件損耗，結(jié)果卻發(fā)現(xiàn)與實(shí)驗(yàn)室測(cè)量結(jié)果有較大出入呢?本電源設(shè)計(jì)小貼士介紹了一種簡(jiǎn)便方法，以幫助您消除計(jì)算結(jié)果與實(shí)際測(cè)量結(jié)果之間
2010-08-13 16:15:45967 
我們建議使用如下輸出電流函數(shù)來(lái)計(jì)算電源損耗：
下一步是利用上述簡(jiǎn)單表達(dá)式，并將其放入效
2010-08-14 09:02:13865 
根據(jù)MOSFET的簡(jiǎn)化模型，分析了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，通過(guò)典型的修正系數(shù)，修正了簡(jiǎn)化模型的極間電容。通過(guò)開關(guān)磁鐵電源的實(shí)例計(jì)算了工況下MOSFET的功率損耗，計(jì)算結(jié)果表明該電源中
2011-11-14 16:46:22112 電源設(shè)計(jì)的參考設(shè)計(jì)：零損耗高壓檢測(cè)信號(hào)斷接IC，感興趣的可以看看。
2016-05-11 18:08:4511 損耗計(jì)算器工具用戶指南
2017-09-18 11:01:1313 1、概述 電源的功耗是多方面的，包括開關(guān)損耗、輸入/輸出電容損耗、控制器靜態(tài)功耗以及電感損耗。本文主要介紹 算起來(lái)很簡(jiǎn)單的電感損耗。電感損耗包括兩方面：其一是與磁芯相關(guān)的損耗，即傳統(tǒng)的鐵損；其二
2017-11-10 14:31:073 為精確計(jì)算光伏逆變器的IGBT損耗，指導(dǎo)系統(tǒng)熱設(shè)計(jì)，提出了一種IGBT損耗精確計(jì)算的實(shí)用方法。以可視化的T程計(jì)算T具M(jìn)athCAD為載體，基于SVPWM矢量控制原理，建立了光伏逆變器IGBT實(shí)際
2017-12-08 10:36:0264 工頻電源測(cè)量鐵磁元件鐵心損耗的低頻測(cè)量法。該方法通過(guò)施加幾個(gè)頻率的低頻電壓，測(cè)量低頻下的鐵損耗PFe，得到不同頻率的E/f（電動(dòng)勢(shì)／頻率）PFe曲線，再通過(guò)樣條插值法計(jì)算頻率不同、E/f相等時(shí)的鐵損耗，根據(jù)最小二乘原理計(jì)算折算
2018-02-07 13:59:421 本文主要介紹了介質(zhì)損耗怎樣計(jì)算_介質(zhì)損耗計(jì)算公式。什么是介質(zhì)損耗：絕緣材料在電場(chǎng)作用下，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng)，在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失，簡(jiǎn)稱介損。介質(zhì)損耗與外施電壓、電源頻率
2018-03-20 10:03:0278705 
本文首先介紹了磁滯損耗的概念，其次分析了磁滯損耗產(chǎn)生的原因，最后介紹了磁滯損耗的計(jì)算方法及介紹了與磁滯回線面積的關(guān)系。
2018-05-25 15:20:4743400 
電源設(shè)計(jì)小貼士11&12：解決電源電路損耗問(wèn)題
2018-08-08 00:33:004458 的熱耗，對(duì)電源熱耗的評(píng)估的目的是為了保證電源始終工作在一個(gè)安全的狀態(tài)（不會(huì)被熱保護(hù)或者燒毀）。評(píng)估熱耗的第一步工作是計(jì)算電源方案的耗散功率（被損耗掉的功率），評(píng)估耗散功率有兩種方法，黑盒和白盒。 一、黑盒方式評(píng)估電源
2018-09-06 11:23:2616292 要提高開關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。
2019-06-20 10:01:294746 IC的容許損耗（適用于大多數(shù)電子部件），意指不超過(guò)其IC可維持性能的溫度的最大的功耗。
2020-04-05 10:46:00824 
使用在“電源IC的功率損耗計(jì)算示例”中計(jì)算得到的結(jié)果。為方便起見，下面給出計(jì)算損耗時(shí)的條件和損耗的計(jì)算結(jié)果。
2020-04-05 10:22:002280 
本文主要介紹了功分器的損耗計(jì)算及功分器的技術(shù)指標(biāo)。
2020-04-21 09:49:0930499 高的水平，效率接近95%。絕大多數(shù)電源IC 的工作效率可以在特定的工作條件下測(cè)得，數(shù)據(jù)資料中給出了這些參數(shù)。 一般廠商會(huì)給出實(shí)際測(cè)量的結(jié)果，但我們只能對(duì)我們自己的數(shù)據(jù)擔(dān)保。開關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開關(guān)器件(MOSFET 和二極管)，
2022-11-16 11:39:163085 在光纖安裝中，對(duì)光纖鏈路進(jìn)行準(zhǔn)確的測(cè)量和計(jì)算是驗(yàn)證網(wǎng)絡(luò)完整性和確保網(wǎng)絡(luò)性能非常重要的步驟，光纖內(nèi)會(huì)因光吸收和散射等造成明顯的信號(hào)損失（即光纖損耗），從而影響光傳輸網(wǎng)絡(luò)的可靠性，那么光纖損耗如何計(jì)算
2020-11-04 15:44:1216150 
整流二極管的耐壓變壓器的飽和 Vcc 電壓輸出瞬態(tài)響應(yīng)和輸出電壓上升波形溫度測(cè)量和損耗測(cè)量電解電容器 Vcc 電壓 Vcc 電壓是用來(lái)使電源 IC 工作的電源。本電路中，利用變壓器降低輸入電壓產(chǎn)生了電源 IC 的 Vcc 電壓。
2020-11-23 14:31:0021 在光纖安裝中，對(duì)光纖鏈路進(jìn)行準(zhǔn)確的測(cè)量和計(jì)算是驗(yàn)證網(wǎng)絡(luò)完整性和確保網(wǎng)絡(luò)性能非常重要的步驟，光纖內(nèi)會(huì)因光吸收和散射等造成明顯的信號(hào)損失（即光纖損耗），從而影響光傳輸網(wǎng)絡(luò)的可靠性，光纖損耗如何計(jì)算的呢？
2020-11-20 16:13:206075 根據(jù)開關(guān)器件的物理模型 ，分析了開關(guān)器件在 Boost 電路中的損耗 ，并計(jì)算了 Boost PWM 和PFC 兩種不同電路的開關(guān)損耗 ，給出了開關(guān)器件的功耗分布。最后對(duì)一臺(tái) 3kW 的 Boost 型 PFC 整流電源進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。
2021-05-11 11:01:2512 本文介紹了電動(dòng)自行車無(wú)刷電機(jī)控制器的熱設(shè)計(jì)。其中包括控制器工作原理的介紹、MOSFET功率損耗的計(jì)算、熱模型的分析、穩(wěn)態(tài)溫升的計(jì)算、導(dǎo)熱材料的選擇、熱仿真等。
2021-06-10 10:34:2965 磁性元件的損耗在開關(guān)電源中占相當(dāng)大的比例，因此磁芯損耗的計(jì)算在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中相當(dāng)重要。 文中首先介紹了計(jì)算磁芯損耗的 Steinmetz 模型，然后對(duì)頻率、溫度、非正弦勵(lì)磁、直流偏置對(duì)磁芯損耗
2021-06-18 15:15:3121 在BUCK型開關(guān)電源中，如果沒(méi)有損耗，那效率就是100%，但這是不可能的，BUCK型開關(guān)電源中主要的損耗是導(dǎo)通損耗和交流開關(guān)損耗，導(dǎo)通損耗主要是指MOS管導(dǎo)通后的損耗和肖特基二極管導(dǎo)通的損耗（是指完
2021-10-22 15:05:5925 電源工程師知道，整個(gè)電源系統(tǒng)中開關(guān)MOS的損耗比不小. 討論最多的是導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗，因?yàn)檫@兩種損耗與傳導(dǎo)損耗或驅(qū)動(dòng)損耗不同，因?yàn)樗苤庇^，所以有些人對(duì)其計(jì)算仍然有些困惑.今天，我們將詳細(xì)分析
2021-10-22 17:35:5953 關(guān)于變頻電源的效率與損耗，中港揚(yáng)盛技工分析由于輸出的諧波問(wèn)題，這些諧波會(huì)產(chǎn)生相應(yīng)的銅耗和鐵耗,使電機(jī)固定損耗增加,電機(jī)溫升增高,降低運(yùn)行效率和功率因數(shù),因此變頻電源供電下電動(dòng)機(jī)的諧波損耗是一個(gè)大
2021-11-08 17:21:012 5、無(wú)源元件損耗??我們已經(jīng)了解MOSFET 和二極管會(huì)導(dǎo)致SMPS 損耗。采用高品質(zhì)的開關(guān)器件能夠大大提升效率，但它們并不是唯一能夠優(yōu)化電源效率的元件。圖1 詳細(xì)介紹了一個(gè)典型的降壓型轉(zhuǎn)換器IC
2022-01-11 13:11:560 電源工程師們都知道開關(guān)MOS在整個(gè)電源系統(tǒng)里面的損耗占比是不小的，我們談及最多的就是開通損耗和關(guān)斷損耗，由于這兩個(gè)損耗不像導(dǎo)通損耗或驅(qū)動(dòng)損耗一樣那么直觀，所以有部分人對(duì)于它計(jì)算還有些迷茫。
2022-02-10 10:35:2314 MOS管損耗的8個(gè)組成部分
在器件設(shè)計(jì)選擇過(guò)程中需要對(duì) MOSFET 的工作過(guò)程損耗進(jìn)行先期計(jì)算（所謂先期計(jì)算是指在沒(méi)能夠測(cè)試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路的計(jì)算值和預(yù)計(jì)波形
2022-02-11 14:06:463 開關(guān)電源內(nèi)部主要損耗要提高開關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)，下面將分別討論。
2022-03-21 17:31:393726 今天作者就幫大家打開這個(gè)黑盒子，詳細(xì)介紹一下IGBT損耗計(jì)算方法同時(shí)一起復(fù)習(xí)一下高等數(shù)學(xué)知識(shí)。
2023-02-07 15:32:381758 
繼上一篇“死區(qū)時(shí)間損耗”之后，本文將探討控制IC（Controller）自身功耗中的損耗。控制IC的自身功率損耗，在該例中，使用同步整流式控制IC、即未內(nèi)置功率開關(guān)的控制器型IC作為電源用IC。
2023-02-23 10:40:50589 
此前計(jì)算了損耗發(fā)生部分的損耗，本文將介紹匯總這些損耗并作為電源IC的損耗進(jìn)行計(jì)算的例子。電源IC的功率損耗計(jì)算示例（內(nèi)置MOSFET的同步整流型IC），圖中給出了從“電源IC的損耗”這個(gè)角度考慮時(shí)相關(guān)的部分。
2023-02-23 10:40:51705 
上一篇文章介紹了電源IC整體損耗的計(jì)算方法，即求出各部分的損耗并將這些損耗相加的方法。本文將在“簡(jiǎn)單”的前提下，介紹一種利用現(xiàn)有數(shù)據(jù)求出電源IC損耗的方法。
2023-02-23 10:40:511440 
MOS管在電源應(yīng)用中作為開關(guān)用時(shí)將會(huì)導(dǎo)致一些不可避免的損耗，這些損耗可以分為兩類。
2023-03-26 16:18:555704 
能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)必定存在能耗，雖然實(shí)際應(yīng)用中無(wú)法獲得100%的轉(zhuǎn)換效率，但是，一個(gè)高質(zhì)量的電源效率可以達(dá)到非常高的水平，效率接近95%。絕大多數(shù)電源IC的工作效率可以在特定的工作條件下測(cè)得，數(shù)據(jù)資料
2023-04-21 09:05:53638 在器件設(shè)計(jì)選擇過(guò)程中需要對(duì) MOSFET 的工作過(guò)程損耗進(jìn)行先期計(jì)算（所謂先期計(jì)算是指在沒(méi)能夠測(cè)試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路的計(jì)算值和預(yù)計(jì)波形，套用公式進(jìn)行理論上的近似計(jì)算）。
2023-06-10 09:25:01992 電源的體積進(jìn)一步縮小。要在有限的體積及溫升范圍內(nèi)正常工作，這就對(duì)系統(tǒng)的效率提出了更高的要求。影響系統(tǒng)效率的主要損耗有功率管導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗、續(xù)流損耗、變壓器銅損和磁損、二極管整流損耗、驅(qū)動(dòng)、采樣及控制電路損耗等。下面針對(duì)每一種損耗簡(jiǎn)單說(shuō)下自己的理解和分析。
2023-06-23 09:47:00609 
開關(guān)電源的內(nèi)部損耗大致包括 開關(guān)電源是現(xiàn)代電力電子技術(shù)中的一種高效能、壓降小、重量輕的電源。它具有高效、小型、輕量等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用廣泛。但同時(shí)也存在著其內(nèi)部損耗這一問(wèn)題。開關(guān)電源的內(nèi)部損耗主要包括幾個(gè)
2023-08-27 16:13:17742 開關(guān)電源內(nèi)部的各種損耗 開關(guān)電源是一種將輸入電能轉(zhuǎn)換成輸出電能的電氣設(shè)備。在這個(gè)轉(zhuǎn)換過(guò)程中，會(huì)產(chǎn)生各種損耗。本文將詳細(xì)介紹開關(guān)電源內(nèi)部的各種損耗，包括開關(guān)器件損耗、傳導(dǎo)損耗、開關(guān)效率以及降壓
2023-11-30 15:32:53502
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