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電子發燒友網>模擬技術>SiC MOSFET的設計挑戰——如何平衡性能與可靠性

SiC MOSFET的設計挑戰——如何平衡性能與可靠性

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AEC---SiC MOSFET 高溫柵氧可靠性研究

摘要:碳化硅(SiC)由于其優異的電學及熱學特性而成為一種很有發展前途的寬禁帶半導體材料。SiC材料制作的功率MOSFET很適合在大功率領域中使用,高溫柵氧的可靠性是大功率MOSFET中最應注意
2023-04-04 10:12:34663

SiC MOSFET的設計挑戰——如何平衡性能與可靠性

導通電阻,將其作為特定技術的主要基準參數。然而,工程師們必須在主要性能指標(如電阻和開關損耗),與實際應用需考慮的其他因素(如足夠的可靠性)之間找到適當的平衡。優
2023-04-13 15:40:22417

可耐受高溫及振動的高可靠性性能與結構

可耐受高溫及振動的高可靠性性能與結構
2023-08-15 14:32:39239

SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究

SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
2023-11-30 15:56:02345

1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報告

1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報告
2023-12-05 14:34:46211

提升SiC MOS器件性能可靠性的表面優化途徑

SiC MOSFET器件存在可靠性問題,成為產業發展瓶頸。
2023-12-12 09:33:27344

瞻芯電子兩款SiC MOSFET產品通過車規級可靠性認證

Ω規格的IV2Q06060D7Z,均成功通過了嚴苛的車規級可靠性認證。這一認證標志著瞻芯電子的SiC MOSFET產品已經滿足了汽車行業對高可靠性、高性能的嚴格要求,為新能源汽車市場的高效發展注入了新的活力。
2024-03-07 09:43:18222

瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規級可靠性認證

3月8日,瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的車規級可靠性認證(AEC-Q101 Qualified)。
2024-03-11 09:24:38287

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