三極管飽和問題總結(jié)：

　　1.在實際工作中，常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件。根據(jù)Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶體管進(jìn)入了初始飽和狀態(tài)，實際上應(yīng)該取該值的數(shù)倍以上，才能達(dá)到真正的飽和;倍數(shù)越大，飽和程度就越深。

　　2.集電極電阻 越大越容易飽和;

　　3.飽和區(qū)的現(xiàn)象就是：二個PN結(jié)均正偏，IC不受IB之控制

　　問題：基極電流達(dá)到多少時三極管飽和？

　　解答：這個值應(yīng)該是不固定的，它和集電極負(fù)載、β值有關(guān)，估算是這樣的：假定負(fù)載電阻是1K，VCC是5V，飽和時電阻通過電流最大也就是5mA，用除以該管子的β值（假定β=100）5/100=0.05mA=50μA，那么基極電流大于50μA就可以飽和。

　　對于9013、9012而言，飽和時Vce小于0.6V，Vbe小于1.2V。下面是9013的特性表：

　　問題：如何判斷飽和？

　　判斷飽和時應(yīng)該求出基級最大飽和電流IBS，然后再根據(jù)實際的電路求出當(dāng)前的基級電流，如果當(dāng)前的基級電流大于基級最大飽和電流，則可判斷電路此時處于飽和狀態(tài)。

　　飽和的條件：1.集電極和電源之間有電阻存在 且越大就越容易管子飽和;2.基集電流比較大以使集電極的電阻把集電極的電源拉得很低，從而出現(xiàn)b較c電壓高的情況。

　　影響飽和的因素：1.集電極電阻 越大越容易飽和;2.管子的放大倍數(shù) 放大倍數(shù)越大越容易飽和;3.基集電流的大小;

　　飽和后的現(xiàn)象：1.基極的電壓大于集電極的電壓;2.集電極的電壓為0.3左右，基極為0.7左右（假設(shè)e極接地）

　　談?wù)擄柡筒荒懿惶嶝?fù)載電阻。假定晶體管集-射極電路的負(fù)載電阻（包括集電極與射極電路中的總電阻）為R，則集-射極電壓Vce=VCC-Ib*hFE*R，隨著Ib的增大，Vce減小，當(dāng)Vce《0.6V時，B-C結(jié)即進(jìn)入正偏，Ice已經(jīng)很難繼續(xù)增大，就可以認(rèn)為已經(jīng)進(jìn)入飽和狀態(tài)了。當(dāng)然Ib如果繼續(xù)增大，會使Vce再減小一些，例如降至0.3V甚至更低，就是深度飽和了。以上是對NPN型硅管而言。

　　另外一個應(yīng)該注意的問題就是：在Ic增大的時候，hFE會減小，所以我們應(yīng)該讓三極管進(jìn)入深度飽和Ib》》Ic（max）/hFE，Ic（max）是指在假定e、c極短路的情況下的Ic極限，當(dāng)然這是以犧牲關(guān)斷速度為代價的。

　　注意：飽和時Vb》Vc，但Vb》Vc不一定飽和。一般判斷飽和的直接依據(jù)還是放大倍數(shù)，有的管子Vb》Vc時還能保持相當(dāng)高的放大倍數(shù)。例如：有的管子將Ic/Ib《10定義為飽和，Ic/Ib《1應(yīng)該屬于深飽和了。

　　從晶體管特性曲線看飽和問題：我前面說過：談?wù)擄柡筒荒懿惶嶝?fù)載電阻。現(xiàn)在再作詳細(xì)一點的解釋。

　　以某晶體管的輸出特性曲線為例。由于原來的Vce僅畫到2.0V為止，為了說明方便，我向右延伸到了4.0V。

　　如果電源電壓為V，負(fù)載電阻為R，那么Vce與Ic受以下關(guān)系式的約束：Ic = （V-Vce）/R

　　在晶體管的輸出特性曲線圖上，上述關(guān)系式是一條斜線，斜率是 -1/R，X軸上的截距是電源電壓V，Y軸上的截距是V/R（也就是前面NE5532第2帖說的“Ic（max）是指在假定e、c極短路的情況下的Ic極限”）。這條斜線稱為“靜態(tài)負(fù)載線”（以下簡稱負(fù)載線）。各個基極電流Ib值的曲線與負(fù)載線的交點就是該晶體管在不同基極電流下的工作點。見下圖：

　　圖中假定電源電壓為4V，綠色的斜線是負(fù)載電阻為80歐姆的負(fù)載線，V/R=50MA，圖中標(biāo)出了Ib分別等于0.1、0.2、0.3、0.4、0.6、1.0mA的工作點A、B、C、D、E、F。據(jù)此在右側(cè)作出了Ic與Ib的關(guān)系曲線。根據(jù)這個曲線，就比較清楚地看出“飽和”的含義了。曲線的綠色段是線性放大區(qū)，Ic隨Ib的增大幾乎成線性地快速上升，可以看出β值約為200。蘭色段開始變彎曲，斜率逐漸變小。紅色段就幾乎變成水平了，這就是“飽和”。實際上，飽和是一個漸變的過程，蘭色段也可以認(rèn)為是初始進(jìn)入飽和的區(qū)段。在實際工作中，常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件。在圖中就是假想綠色段繼續(xù)向上延伸，與Ic=50MA的水平線相交，交點對應(yīng)的Ib值就是臨界飽和的Ib值。圖中可見該值約為0.25mA。

　　由圖可見，根據(jù)Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶體管進(jìn)入了初始飽和狀態(tài)，實際上應(yīng)該取該值的數(shù)倍以上，才能達(dá)到真正的飽和;倍數(shù)越大，飽和程度就越深。

　　圖中還畫出了負(fù)載電阻為200歐姆時的負(fù)載線。可以看出，對應(yīng)于Ib=0.1mA，負(fù)載電阻為80歐姆時，晶體管是處于線性放大區(qū)，而負(fù)載電阻200歐姆時，已經(jīng)接近進(jìn)入飽和區(qū)了。負(fù)載電阻由大到小變化，負(fù)載線以Vce=4.0為圓心呈扇狀向上展開。負(fù)載電阻越小，進(jìn)入飽和狀態(tài)所需要的Ib值就越大，飽和狀態(tài)下的C-E壓降也越大。在負(fù)載電阻特別小的電路，例如高頻諧振放大器，集電極負(fù)載是電感線圈，直流電阻接近0，負(fù)載線幾乎成90度向上伸展（如圖中的紅色負(fù)載線）。這樣的電路中，晶體管直到燒毀了也進(jìn)入不了飽和狀態(tài)。以上所說的“負(fù)載線”，都是指直流靜態(tài)負(fù)載線;“飽和”都是指直流靜態(tài)飽和。