什么是晶體管圖示儀

　　晶體管特性圖示儀是一種能對晶體管的特性參數進行測試的儀器。熒光屏的刻度可以直接觀測半導體管的共集電極，共基板和共發射極的輸入特性，輸出特征，轉換特征，β參數以及α參數等，并可根據需要，測量半導體管的其他各項極限特性與擊穿特性參數。

　　晶體管圖示儀的組成

　　晶體管圖示儀是由集電極掃描電壓發生器、基極階梯信號發生器、問步脈沖發生器、X放大器和Y放大器、示波器及控制電路、電源電路等部分組成，是測量晶體管特性參數的儀器；基本組成請看下圖：

　　晶體管圖示儀主要技術指標

　　1、Y軸偏轉系數

　　集電極電流范圍：10μA/DIV，分15檔，誤差不超過±3％

　　二極管反向漏電流：

　　-2μA/DIV~5μA/DIV，誤差不超過±5％

　　-1μA/DIV誤差不超過±7％

　　-0.5μA/DIV誤差不超過±10％

　　-0.2μA/DIV誤差不超過±20％

　　外接輸入：0.1μA/DIV誤差不超過±3％

　　2、X軸偏轉系數

　　極電極電壓范圍：0.1~500V/DIV分12檔，誤差不超過±3％

　　基極電壓范圍：0.1~5V/DIV分6檔，誤差不超過±3％

　　外接輸入：0.05V/DIV誤差不超過±3％

　　階梯電壓范圍：0.05~1v/級分5檔，誤差不超過±5％

　　串聯電阻：10Ω，10KΩ，0.1MΩ分三檔，誤差不超過±10％

　　3、其它

　　校正信號：0.5Vp-p，誤差不超過±2％）（頻率為市電頻率）

　　01Vp-p，誤差不超過±2％）（頻率為市電頻率）

　　電源電壓：（220±10％）V

　　電源頻率：（50±5％）Hz

　　視在功率：非測試狀態約50W，滿功率測試狀態約80W.

　　晶體管圖示儀使用方法

　　“電壓（v）/度”旋鈕開關

　　此旋鈕開關是一個具有4種偏轉作用共17擋的旋鈕開關，用來選擇圖示儀x軸所代表的變量及其倍率。在測試小功率晶體管的輸出特性曲線時，該旋鈕置VCE的有關擋。測量輸入特性曲線時，該旋鈕置VBE的有關擋。

　　“電流/度”旋鈕開關

　　此旋鈕開關是一個具有4種偏轉作用共22擋的旋鈕開關，用來選擇圖示儀Y軸所代表的變量及其倍率。在測試小功率晶體管的輸出特性曲線時，該旋鈕置Ic的有關擋。測量輸入特性時，該旋鈕置“基極電流或基極源電壓”擋（儀器面板上畫有階梯波形的一擋）。

　　“峰值電壓范圍”開關和“峰值電壓%”旋鈕

　　“峰值電壓范圍’’是5個擋位的按鍵開關。“峰值電壓%”是連續可調的旋鈕。它們的共同作用是用來控制“集電極掃描電壓”的大小。不管“峰值電壓范圍”置于哪一擋，都必須在開始時將“峰值電壓%”置于0位，然后逐漸小心地增大到一定值。否則容易損壞被測管。一個管子測試完畢后，“峰值電壓%”旋鈕應回調至零。

　　“功耗限制電阻”旋鈕

　　“功耗限制電阻”相當于晶體管放大器中的集電極電阻，它串聯在被測晶體管的集電極與集電極掃描電壓源之間，用來調節流過晶體管的電流，從而限制被測管的功耗。測試功率管時，一般選該電阻值為1kΩ。

　　“基極階梯信號”旋鈕

　　此旋鈕給基極加上周期性變化的電流信號。每兩級階梯信號之間的差值大小由“階梯選擇毫安/級”來選擇。為方便起見，一般選10μA。每個周期中階梯信號的階梯數由“級族”來選擇，階梯信號每簇的級數，實際上就是在圖示儀上所能顯示的輸出特性曲線的根數。階梯信號每一級的毫安值的大小，就反映了圖示儀上所顯示的輸出特性曲線的疏密程度。

　　“零電壓”、“零電流”開關

　　此開關是對被測晶體管基極狀態進行設置的開關。當測量管子的擊穿電壓和穿透電流時，都需要使被測管的基極處于開路狀態。這時可以將該開關設置在“零電流”擋（只有開路時，才能保證電流為零）。當測量晶體管的擊穿電流時，需要使被測管的基、射極短路，這時可以通過將該開關設置在“零電壓”擋來實現。

　　晶體管特性圖示儀使用方法

　　下面以JT-1型圖示儀為例介紹晶體管特性圖示儀的使用方法及注意事項，其面板如圖8-11所示。

　　（1）晶體管特性圖示儀的使用方法

　　①使用前須預熱5min。

　　②調整好各開關的初始位置。注意圖示儀的兩個極性開關的選擇。測試NPN型管子時，開關應放在正的位置；測試PNP型管子時，開關則應放在負的位置。

　　③使用標尺的顏色選擇，一般觀測時用紅色標尺，攝影時用黃色標尺。調節輝度與輔助聚焦旋鈕，使光點清晰。

　　④將集電極掃描的全部旋鈕調到需要的范圍，根據被測管子的最大工作電壓，通常是將峰值電壓范圍旋鈕置于0～20V或0～200V擋位上，將峰值電壓旋鈕旋轉到零，將功耗限制電阻置于較大的擋上（如1kΩ以上）。測試時，根據變化再做相應的大小調整，直至獲得理想的特性曲線為止。

　　⑤將X軸作用部分的伏/度，Y軸作用部分的毫安一伏/度與倍率調到需讀測的范圍。通常倍率開關先置于×1處，在測試微電流時，倍率置于×0.1處。

　　⑥使用時要校正X軸和Y軸的靈敏度。按下X軸或Y軸校正開關，屏幕上的光電位移10格就算校正完畢。

　　⑦將基極階梯信號部分的極性、串聯電阻、階梯選擇（毫安/級或伏/級）調到被測管需讀測的范圍，階梯作用視需要選擇，通常置于重復，級/秒一般選200為宜。

　　圖8-11JT-1型圖示儀的面板指示

　　（2）使用圖示儀時的注意事項

　　①開始測試前，應初步了解被測晶體管的型號，交、直流參數，以及引腳的排列。

　　②在測試中應正確設置階梯選擇、功耗限制電阻和峰值電壓范圍開關的初始位置，以及極性開關的位置。若位置不當則會造成被測管損壞。

　　③測試中應注意被測管是否過熱，是否超過被測管的性能和極限參數。

　　④測試結束后，應將峰值電壓范圍置于0～20V擋；將峰值電壓旋鈕至零處；將功耗限制電阻置于比較大的位置1kΩ以上；將基極階梯信號的階梯選擇開關置于小于0.01毫安/級處；斷開電源開關，以防下次使用儀器時因不慎而損壞被測管。

　　晶體管圖示儀使用注意事項

　　1.使用前的檢查

　　①檢查儀器T作電壓，并確保保險絲是否是指定型號。

　　②檢查儀器的“峰值電壓范圍”是否置于低電壓檔，“峰值電壓調節”是否旋至零位，“電壓一電流級”是否置于階梯電流低檔，“階梯信號”開關是否置于關檔，“功耗限制電阻”是否置于中髙擋。

　　2.使用中的注意事項

　　①峰值電壓范圍由低電壓檔向髙電壓檔轉換時，應先將峰值電壓逆時針旋轉至零，待換擋后，再慢慢調髙。

　　②注意階梯信號選擇、功耗限制電阻、峰值電壓范圍旋鈕的使用，以免損壞被測

　　③測試大功率晶體管和極限參數、過載參數時，應采用單簇階梯信號，以防過載損壞被測器件。

　　④測試MOS型場效應管時，不要使柵極懸空，以免感應電壓過髙引起被測管擊穿。

　　3.使用儀器三要和五不要原則，大家跟著一來來記起來~

　　三要原則：

　　1）使用完儀器后，要將儀器復位

　　2）要避免過熱，過冷的溫度，水分和灰塵

　　3）儀器要注意通風，避免潮濕等環境

　　五不要原則

　　1）不要把其它物體放在儀器上

　　2）不要將其他器件插入通風孔

　　3）不要讓儀器受到撞擊

　　4）不要用連接線拖拉儀器

　　5）不要將儀器長期倒置