什么是晶體管圖示儀

　　晶體管特性圖示儀是一種能對(duì)晶體管的特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)試的儀器。熒光屏的刻度可以直接觀測(cè)半導(dǎo)體管的共集電極，共基板和共發(fā)射極的輸入特性，輸出特征，轉(zhuǎn)換特征，β參數(shù)以及α參數(shù)等，并可根據(jù)需要，測(cè)量半導(dǎo)體管的其他各項(xiàng)極限特性與擊穿特性參數(shù)。

　　晶體管圖示儀的組成

　　晶體管圖示儀是由集電極掃描電壓發(fā)生器、基極階梯信號(hào)發(fā)生器、問步脈沖發(fā)生器、X放大器和Y放大器、示波器及控制電路、電源電路等部分組成，是測(cè)量晶體管特性參數(shù)的儀器；基本組成請(qǐng)看下圖：

　　晶體管圖示儀主要技術(shù)指標(biāo)

　　1、Y軸偏轉(zhuǎn)系數(shù)

　　集電極電流范圍：10μA/DIV，分15檔，誤差不超過±3％

　　二極管反向漏電流：

　　-2μA/DIV~5μA/DIV，誤差不超過±5％

　　-1μA/DIV誤差不超過±7％

　　-0.5μA/DIV誤差不超過±10％

　　-0.2μA/DIV誤差不超過±20％

　　外接輸入：0.1μA/DIV誤差不超過±3％

　　2、X軸偏轉(zhuǎn)系數(shù)

　　極電極電壓范圍：0.1~500V/DIV分12檔，誤差不超過±3％

　　基極電壓范圍：0.1~5V/DIV分6檔，誤差不超過±3％

　　外接輸入：0.05V/DIV誤差不超過±3％

　　階梯電壓范圍：0.05~1v/級(jí)分5檔，誤差不超過±5％

　　串聯(lián)電阻：10Ω，10KΩ，0.1MΩ分三檔，誤差不超過±10％

　　3、其它

　　校正信號(hào)：0.5Vp-p，誤差不超過±2％）（頻率為市電頻率）

　　01Vp-p，誤差不超過±2％）（頻率為市電頻率）

　　電源電壓：（220±10％）V

　　電源頻率：（50±5％）Hz

　　視在功率：非測(cè)試狀態(tài)約50W，滿功率測(cè)試狀態(tài)約80W.

　　晶體管圖示儀使用方法

　　“電壓（v）/度”旋鈕開關(guān)

　　此旋鈕開關(guān)是一個(gè)具有4種偏轉(zhuǎn)作用共17擋的旋鈕開關(guān)，用來選擇圖示儀x軸所代表的變量及其倍率。在測(cè)試小功率晶體管的輸出特性曲線時(shí)，該旋鈕置VCE的有關(guān)擋。測(cè)量輸入特性曲線時(shí)，該旋鈕置VBE的有關(guān)擋。

　　“電流/度”旋鈕開關(guān)

　　此旋鈕開關(guān)是一個(gè)具有4種偏轉(zhuǎn)作用共22擋的旋鈕開關(guān)，用來選擇圖示儀Y軸所代表的變量及其倍率。在測(cè)試小功率晶體管的輸出特性曲線時(shí)，該旋鈕置Ic的有關(guān)擋。測(cè)量輸入特性時(shí)，該旋鈕置“基極電流或基極源電壓”擋（儀器面板上畫有階梯波形的一擋）。

　　“峰值電壓范圍”開關(guān)和“峰值電壓%”旋鈕

　　“峰值電壓范圍’’是5個(gè)擋位的按鍵開關(guān)?！胺逯惦妷?”是連續(xù)可調(diào)的旋鈕。它們的共同作用是用來控制“集電極掃描電壓”的大小。不管“峰值電壓范圍”置于哪一擋，都必須在開始時(shí)將“峰值電壓%”置于0位，然后逐漸小心地增大到一定值。否則容易損壞被測(cè)管。一個(gè)管子測(cè)試完畢后，“峰值電壓%”旋鈕應(yīng)回調(diào)至零。

　　“功耗限制電阻”旋鈕

　　“功耗限制電阻”相當(dāng)于晶體管放大器中的集電極電阻，它串聯(lián)在被測(cè)晶體管的集電極與集電極掃描電壓源之間，用來調(diào)節(jié)流過晶體管的電流，從而限制被測(cè)管的功耗。測(cè)試功率管時(shí)，一般選該電阻值為1kΩ。

　　“基極階梯信號(hào)”旋鈕

　　此旋鈕給基極加上周期性變化的電流信號(hào)。每?jī)杉?jí)階梯信號(hào)之間的差值大小由“階梯選擇毫安/級(jí)”來選擇。為方便起見，一般選10μA。每個(gè)周期中階梯信號(hào)的階梯數(shù)由“級(jí)族”來選擇，階梯信號(hào)每簇的級(jí)數(shù)，實(shí)際上就是在圖示儀上所能顯示的輸出特性曲線的根數(shù)。階梯信號(hào)每一級(jí)的毫安值的大小，就反映了圖示儀上所顯示的輸出特性曲線的疏密程度。

　　“零電壓”、“零電流”開關(guān)

　　此開關(guān)是對(duì)被測(cè)晶體管基極狀態(tài)進(jìn)行設(shè)置的開關(guān)。當(dāng)測(cè)量管子的擊穿電壓和穿透電流時(shí)，都需要使被測(cè)管的基極處于開路狀態(tài)。這時(shí)可以將該開關(guān)設(shè)置在“零電流”擋（只有開路時(shí)，才能保證電流為零）。當(dāng)測(cè)量晶體管的擊穿電流時(shí)，需要使被測(cè)管的基、射極短路，這時(shí)可以通過將該開關(guān)設(shè)置在“零電壓”擋來實(shí)現(xiàn)。