去耦電容在集成電路電源和地之間的有兩個作用：一方面是本集成電路的蓄能電容，另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲。數字電路中典型的去耦電容值是0.1μF.這個電容的分布電感的典型值是5μH.0.1μF的去耦電容有5μH的分布電感，它的并行共振頻率大約在7MHz左右，也就是說，對于10MHz以下的噪聲有較好的去耦效果，對40MHz以上的噪聲幾乎不起作用.1μF、10μF的電容，并行共振頻率在20MHz以上，去除高頻噪聲的效果要好一些。每10片左右集成電路要加一片充放電電容，或1個蓄能電容，可選10μF左右。最好不用電解電容，電解電容是兩層薄膜卷起來的，這種卷起來的結構在高頻時表現為電感。要使用鉭電容或聚碳酸酯電容。去耦電容的選用并不嚴格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF.

分布電容是指由非形態電容形成的一種分布參數。一般是指在印制板或其他形態的電路形式，在線與線之間、印制板的上下層之間形成的電容。這種電容的容量很小，但可能對電路形成一定的影響。在對印制板進行設計時一定要充分考慮這種影響，尤其是在工作頻率很高的時候。也成為寄生電容，制造時一定會產生，只是大小的問題。布高速PCB時，過孔可以減少板層電容，但會增加電感。

分布電感是指在頻率提高時，因導體自感而造成的阻抗增加。

耦合電容，又稱電場耦合或靜電耦合，是由于分布電容的存在而產生的一種耦合方式。耦合電容器是使得強電和弱電兩個系統通過電容器耦合并隔離，提供高頻信號通路，阻止低頻電流進入弱電系統，保證人身安全。帶有電壓抽取裝置的耦合電容器除以上作用外，還可抽取工頻電壓供保護及重合閘使用，起到電壓互感器的作用。

耦合電容的容量大小應如何選擇呢？？？

本質：耦合電容與下一級的輸入電阻構成了RC高通濾波器，為了保成輸入信號下限頻率能通過這一“RC高通濾波器”，RC高通濾波器的下限頻率不能高于輸入信號的頻率。

相當于選擇適當的電容來設計一個高通濾波器，以保證輸入信號通不衰減通過，所以電容C可用公式計算出來，下面會給出公式。

我們來看下面一個實驗，電路圖如下所示，輸入信號為頻率為1Hz，大小為10mv.可見此輸入信號有兩個特點，頻率很低，幅度又很小。

按照常識，電容容量越大，信號的頻率就可以越低，現在的輸入信號頻率為1Hz，那么耦合電容的容量越大越好嗎？？？請看下面的實驗。

實驗結果：

1.輸入信號頻率為1Hz，幅度10mV，負載電阻300K，耦合電容先0.4uF測得輸入輸出波形如下圖所示，黃色為輸入，綠色為輸出。

可見輸入信號經過耦合電容后，幅度被嚴重衰減，由此可知耦合電容選擇過小。耦合電容選擇0.1uF-0.5uF期間，輸入信號衰減比較嚴重。

結論：如果電路要求信號耦合之后不能衰減，那么耦合電容就不能小于0.5uF

2.輸入信號頻率為1Hz，幅度10mV，負載電阻300K，耦合電容大于等于0.5uF

輸出波形如下圖所示，可見只要電容大于0.5uF，信號耦合之后就不會有幅度衰減。那么是不是選擇越大越好呢？？？請看實驗3

3.輸入信號頻率為1Hz，幅度10mV，負載電阻300K，耦合電容為100uF

幅度不出現衰減，但電路反應變得非常緩慢，輸入信號后等待10多秒才有輸出信號。剛輸入信號的前段時間，電路竟然不工作了，這是為什么呢？？？主要是因為電容太大充電時間過長，至使輸出信號出現延遲，特別是輸入信號幅度很小的時個就要特別注意這個問題，否則電路會變得非常緩慢。

總結：

把耦合電容加到電路中之后，耦合電容與負載電阻構成了RC高通濾波器，所以我們可根據公式來計算出耦合電容的大小即：f=1/2πRC式中π=3.14

R為負載電阻（耦合下一級電路的輸入電阻）須估算下一級的輸入電阻f為信號的頻率

C就是我們要計算的耦合電容大小

如上面實驗：負載電阻R=300K頻率為1Hz由f=1/2πRC

可計算出C=0.5uf

所以C不能低于0.5uf，可選1uf.

主要是根據高通濾波器的下限頻率來確定C的容量的。所以選擇耦合電容時要估算出下一級的輸入電阻。

提示

1.耦合電容容量太小時，低頻信號通過耦合電容時就會有嚴重的衰減，甚至不能通過。以所制做電路時最好使用信號發生器在耦合電容輸入端注入信號，用視波器來觀察信號是否被嚴重衰減。注意頻率和幅度要與實際電路大致相同。

2.耦合電容容量太大時，電路出現延遲。電路上電后要等待幾十秒才有反應，特別是信號幅度很小的時候。

最佳選擇：耦合電容容量應選擇能保證輸入信號經過耦合電容后不出現衰減的最小值容量值。