IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為一種高效能的功率半導(dǎo)體元件，在能源轉(zhuǎn)換和控制領(lǐng)域的作用日益凸顯。01作為能量轉(zhuǎn)換與管理的核心，IGBT結(jié)合了MOSFET的輸入阻抗高和GTR的低飽和壓降的特點(diǎn)，其獨(dú)特
2024-03-12 15:34:18
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型號(hào)和規(guī)格，以確保其穩(wěn)定、高效地工作。IGBT的選型涉及到多個(gè)參數(shù)的考慮，下面將詳細(xì)介紹這些參數(shù)。 額定電壓（Vce）：這是指IGBT能夠承受的最大電壓。根據(jù)應(yīng)用需求，選擇的IGBT型號(hào)的額定電壓應(yīng)大于應(yīng)用中最高電壓。 額定電流（Ic）：這是指IGBT能夠承受的最大連續(xù)電流。根據(jù)應(yīng)用需求，選擇的
2024-03-12 15:31:12253 Vishay近期發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊，其改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均運(yùn)用Vishay領(lǐng)先
2024-03-08 11:45:51266 IGBT應(yīng)用于變頻器逆變電路中，存在這么一種情況，IGBT先短路再開通，請(qǐng)問這是一種什么樣的過程？按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起來，然后啟動(dòng)變頻器，此時(shí)這種過程就可以稱之為先短路再
2024-02-29 23:08:07
，在第二個(gè)尖峰達(dá)到最大點(diǎn)之后CE電壓快速下降至母線電壓的一半，因?yàn)槭巧舷聵虻?b class="flag-6" style="color: red">IGBT各分擔(dān)一半電壓。請(qǐng)問CE的電壓波形為什么會(huì)有兩個(gè)尖峰，是由什么造成的，是驅(qū)動(dòng)電壓的原因還是什么，如果是驅(qū)動(dòng)電壓關(guān)斷時(shí)的原因，那么是關(guān)斷時(shí)的密勒效應(yīng)影響的嗎？
2024-02-25 11:31:12
常見的逆變電路的元件主要分為分立器件的IGBT和集成的IGBT模塊，這些又分為不同電壓等級(jí)和電流大小，那么IGBT的開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間是否相同，如果不相同，哪個(gè)時(shí)間更長(zhǎng)一些？并且，在設(shè)計(jì)IGBT
2024-02-25 11:06:01
IGBT IPM結(jié)合了IGBT的高效能和高電流承載能力以及IPM的智能化控制與保護(hù)特性，其優(yōu)點(diǎn)可以總結(jié)如下： 集成度高： IGBT IPM將多個(gè)IGBT器件與驅(qū)動(dòng)、保護(hù)等電路集成在一個(gè)模塊中，減少
2024-02-23 10:50:10202 在高壓600V，額定電流10A的壓縮機(jī)電機(jī)控制中，IGBT經(jīng)常燒壞，主要有哪些原因?qū)е滤鼡p壞。
2024-02-22 17:58:38
IGBT模塊或者單管應(yīng)用于變頻器的制造，在做變頻器的短路實(shí)驗(yàn)時(shí)，在IGBT開通時(shí)刻做出短路動(dòng)作，IGBT的CE電壓會(huì)從零逐漸升高到最大之然后回到母線電壓的一半后達(dá)到穩(wěn)定。
但是在具體波形時(shí)，IGBT
2024-02-21 20:12:42
什么是IGBT的退飽和？為什么IGBT會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象？ IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)。它在高電壓和高電流應(yīng)用中具有低開啟電阻、低導(dǎo)通壓降和高開關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)
2024-02-19 14:33:28472 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件，因其高效率和快速開關(guān)特性而受到青睞。
2024-02-06 11:14:40303 AD9610TH/883B： 級(jí)高性能模數(shù)轉(zhuǎn)換器，引領(lǐng)新一代信號(hào)處理潮流在高速、高精度的信號(hào)處理領(lǐng)域，一款卓越的模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）是不可或缺的。深圳市華灃恒霖電子科技有限公司為您隆重推薦 級(jí)別
2024-01-19 18:43:22
AD9610TH/883B：高性能模數(shù)轉(zhuǎn)換器，引領(lǐng)新一代信號(hào)處理潮流在高速、高精度的信號(hào)處理領(lǐng)域，一款卓越的模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）是不可或缺的。深圳市華灃恒霖電子科技有限公司為您隆重推薦級(jí)別
2024-01-19 14:55:58
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種繼MOSFET和BJT之后的新型功率半導(dǎo)體器件，它的特點(diǎn)是結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低通壓損耗
2024-01-18 17:31:231080 1月17日，商湯科技與上海AI實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合香港中文大學(xué)和復(fù)旦大學(xué)正式發(fā)布新一代大語(yǔ)言模型書?·浦語(yǔ)2.0（InternLM2）。
2024-01-17 15:03:57329 
，IGBT具有低導(dǎo)通壓降。由于IGBT的阻尼結(jié)構(gòu)，在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，其通道中的電阻非常小。這意味著在高壓應(yīng)用中，IGBT能夠減少能量損耗，使整個(gè)系統(tǒng)更加高效。此外，較低的導(dǎo)通壓降也減少了熱量的產(chǎn)生，降低了冷卻系統(tǒng)的要求，從而降低了系統(tǒng)的成本。 其次，IGBT具有快
2024-01-04 16:35:47787 處理器共同推出米爾MYC-YD9360核心板及開發(fā)板，賦能新一代車載智能、電力智能、工業(yè)控制、新能源、機(jī)器智能等行業(yè)發(fā)展，滿足多屏的顯示需求。
2023-12-22 18:07:58
，但許多應(yīng)用仍適合繼續(xù)使用IGBT， 在技術(shù)的不斷發(fā)展和升級(jí)下，IGBT可實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗和更高的功率密度。 ? 全新第7代1 200V IGBT 安森美(onsemi) 推出的超高能效明星IGBT，具備業(yè)界領(lǐng)先的性能水平，能最大程度降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，助力客戶的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。一起來看看
2023-12-20 18:15:02189 
蘇州國(guó)芯科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“公司”）研發(fā)的新一代汽車電子MCU產(chǎn)品“CCFC3007PT”于近日在公司內(nèi)部測(cè)試中獲得成功。
公司成功研發(fā)的汽車電子MCU新產(chǎn)品CCFC3007PT是基于公司
2023-12-20 16:56:53
功耗，走紅了全球。
今天給大家分享的是 TI 新一代明星CPU——AM62x，它相比上一代AM335x在工藝、外設(shè)、性能等多方面都有很大提升。
這里結(jié)合米爾電子的“MYC-YM62X核心板及開發(fā)板”給
2023-12-15 18:59:50
IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動(dòng)器中的對(duì)比測(cè)試
2023-12-14 11:31:08232 
中，通過采用IGBT進(jìn)行精準(zhǔn)的電流和電壓控制，實(shí)現(xiàn)了電能的高效轉(zhuǎn)換，節(jié)能并提升設(shè)備續(xù)航和充電速度，最終為我們的生活帶來了許多便利和舒適。
2023-11-29 15:44:28226 
昨天新一代國(guó)產(chǎn)CPU龍芯3A6000正式發(fā)布。 按照官方的說法，其總體性能與英特爾2020年上市的第10代酷睿四核處理器相當(dāng)。
發(fā)布會(huì)上，龍芯中科公布了3A6000和Intel-i3 10100
2023-11-29 10:44:17
以“引領(lǐng)創(chuàng)新”為錨，尚水智能重磅發(fā)布新一代循環(huán)式高效制漿系統(tǒng)、連續(xù)式高效制漿系統(tǒng)和高速微凹版雙面同時(shí)涂布系統(tǒng)三大新品，以及微納米材料處理工藝及生產(chǎn)系列整體解決方案。
2023-11-28 10:30:05605 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281260 什么是igbt短路測(cè)試？igbt短路測(cè)試平臺(tái)? IGBT短路測(cè)試是針對(duì)晶體管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）進(jìn)行的一種測(cè)試方法。IGBT是一種高壓高功率
2023-11-09 09:18:291042 10月24日，京東方在重慶發(fā)布2K超高清柔性O(shè)LED屏幕X1。該產(chǎn)品在超高分辨率、超高亮度、超窄邊框等方面實(shí)現(xiàn)全新突破，即將應(yīng)用于OPPO一加旗艦系列新品。
2023-10-27 18:25:591302 ，電子信息制造業(yè)規(guī)模以上企業(yè)營(yíng)業(yè)收入突破24萬(wàn)億元。為貫徹落實(shí)《方案》精神，深圳新一代產(chǎn)業(yè)園積極組織了園區(qū)企業(yè)-華秋，開展了電子電路主題展，并邀請(qǐng)黨內(nèi)群眾學(xué)習(xí)。本次主題展也得到了相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)的認(rèn)可和肯定
2023-10-27 11:15:03
，電子信息制造業(yè)規(guī)模以上企業(yè)營(yíng)業(yè)收入突破24萬(wàn)億元。為貫徹落實(shí)《方案》精神，深圳新一代產(chǎn)業(yè)園積極組織了園區(qū)企業(yè)-華秋，開展了電子電路主題展，并邀請(qǐng)黨內(nèi)群眾學(xué)習(xí)。本次主題展也得到了相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)的認(rèn)可和肯定
2023-10-27 11:12:41
各位大佬，請(qǐng)教一下 IGBT 模塊的絕緣耐壓如何測(cè)試？
2023-10-23 10:19:00
超寬頻段(UWB)天線
Abracon的超寬頻段(UWB)天線設(shè)計(jì)面向新一代連接，并只在工作模式期間，以較低功耗提供更快更可靠的通信。
Abracon超寬頻芯片天線支持500、2000和4000
2023-10-23 10:00:11
igbt可以反向?qū)▎幔咳绾慰刂?b class="flag-6" style="color: red">igbt的通斷？ IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 隔離柵雙極晶體管的縮寫，是一種功率半導(dǎo)體器件。IGBT 可以用
2023-10-19 17:08:051887 igbt怎樣導(dǎo)通和關(guān)斷？igbt的導(dǎo)通和關(guān)斷條件 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種晶體管，可以用作開關(guān)。IGBT由P型注入?yún)^(qū)、N型襯底
2023-10-19 17:08:028155 IGBT模塊具有良好的開關(guān)性能、高速度和高效率等特點(diǎn)。IGBT模塊廣泛應(yīng)用于工業(yè)、通信、軍事、醫(yī)療等各個(gè)領(lǐng)域，成為高功率控制領(lǐng)域的主流技術(shù)之一。 IGBT模塊的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗是其效率的兩個(gè)重要指標(biāo)。在傳導(dǎo)損耗方面，IGBT模塊具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，即
2023-10-19 17:01:221313 安裝的位置:
圖-7：逆變器
新一代的特斯拉MODEL 3 IGBT功率器件如下圖所示：
圖-8：新一代的特斯拉MODEL 3 IGBT功率器件
二、IGBT基礎(chǔ)知識(shí)
1946年1月，遠(yuǎn)在太平洋彼岸
2023-10-16 11:00:14
在4月26日召開的第十三屆中國(guó)衛(wèi)星導(dǎo)航年會(huì)（CSNC2022）上，深圳華大北斗科技股份有限公司研發(fā)的第四代北斗芯片正式發(fā)布。
這是一款擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的國(guó)產(chǎn)基帶和射頻一體化SoC芯片，作為
2023-09-21 09:52:00
近日，亞成微召開高效電源新品發(fā)布會(huì)，發(fā)布了新一代包絡(luò)跟蹤(ET)芯片RM6100、RM61o2F1A1S，以及兩款A(yù)PT BUCK電源芯片、一款BUCK BOOST電源芯片。
2023-09-19 11:03:42691 
IGBT是一種半導(dǎo)體器件，以其高效率和快速切換速度而聞名。除了在焊接領(lǐng)域廣泛應(yīng)用外，IGBT還被廣泛用于家用電器、高科技音響、電動(dòng)汽車以及其他節(jié)能汽車等領(lǐng)域。盡管焊接供應(yīng)單元通常相對(duì)簡(jiǎn)單，但IGBT
2023-09-11 15:35:482944 
工程應(yīng)用產(chǎn)學(xué)研融合發(fā)展。 交流會(huì)期間，西南某院在論文【模塊化緊湊型高壓電源系統(tǒng)的研制】中提出：為研究高比壓、高參數(shù)的聚變等離子體物理，我國(guó)建成了新一代“人造太陽(yáng)”裝置中國(guó)環(huán)流三號(hào)裝置。要提高中性束注入
2023-09-07 10:39:35
米勒電容對(duì)IGBT關(guān)斷時(shí)間的影響? IGBT，即絕緣柵雙極性晶體管，是一種高效、高穩(wěn)定性的半導(dǎo)體器件。它是一種功率開關(guān)元件，能夠控制大電流和高電壓的開關(guān)。IGBT的關(guān)斷時(shí)間是非常重要的一個(gè)參數(shù)
2023-09-05 17:29:421283 STM32U599平衡圖顯性能與功耗的新一代產(chǎn)品，內(nèi)容包含： STM32U5x9 的高性能與高階圖形加速器 、STM32U5的矢量圖形 、STM32U5x9 的低功耗設(shè)計(jì) 、LPBAM - sensor hub等。
2023-09-05 07:21:11
IGBT逆變電路詳解 IGBT逆變電路是一種高壓、高功率驅(qū)動(dòng)電路，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、航空、船舶等領(lǐng)域。本文將為您詳細(xì)介紹IGBT逆變電路的原理、結(jié)構(gòu)、應(yīng)用以及注意事項(xiàng)等內(nèi)容。 一、IGBT逆變電
2023-08-29 10:25:543320 型號(hào)：1、IKW40N120H3:Infineon的IKW40N120H3是一款高壓IGBT，適用于高效能和高可靠性的應(yīng)用。它具有1200V的電壓額定值和40A的電流額定值，能夠提供低導(dǎo)通
2023-08-25 16:58:531477 
igbt功率管怎么檢測(cè)好壞？ 簡(jiǎn)介： 隨著電力電子技術(shù)越來越先進(jìn)和高效，IGBT已成為工業(yè)應(yīng)用的熱門選擇。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種三端半導(dǎo)體器件，支持高電壓和高電流應(yīng)用，同時(shí)提供快速開關(guān)
2023-08-25 15:03:352090 igbt的優(yōu)缺點(diǎn)介紹 IGBT的優(yōu)缺點(diǎn)介紹 IGBT是一種晶體管，是MOSFET和BJT集成而成的開關(guān)，具有高速開關(guān)能力和較低的導(dǎo)通電阻，用于高效率的功率調(diào)節(jié)。IGBT具有一些優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)，下面將詳細(xì)
2023-08-25 15:03:293999 摘要: 針對(duì)傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)超結(jié) IGBT 器件在大電流應(yīng)用時(shí)的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)較弱，削弱了 IGBT 器
件低飽和導(dǎo)通壓降優(yōu)點(diǎn)的問題，設(shè)計(jì)了 p 柱浮空的超結(jié) IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:00
0 根據(jù)IGBT的產(chǎn)品分類來看，按照其封裝形式的不同，可分為IGBT分立器件、IPM模塊和IGBT模塊。
2023-07-22 16:09:301501 
IGBT是繼MOSFET之后，新一代的開關(guān)器件，主要用于高壓和高電流的開關(guān)控制。IGBT的全稱是Isolated Gate Bipolar Transistor，是由晶體管和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)相結(jié)合
2023-07-20 16:39:514479 ? 7 月 15 日，為全球年輕先鋒打造的科技豪華 SUV——高合 HiPhi Y 正式發(fā)布。秉承高合 TECHLUXE 科技豪華理念，HiPhi Y 融合豪華空間與極致性能，將配備禾賽科技超高
2023-07-17 14:54:18477 使用高效、可靠的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)，事實(shí)上，許多此類應(yīng)用仍然適合繼續(xù)使用 IGBT。在本文中，我們介紹 IGBT 器件的結(jié)構(gòu)和運(yùn)行，并列舉多種不同 IGBT 應(yīng)用的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，然后探討這種多用途可靠技術(shù)的新興拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。 IGBT 器件結(jié)構(gòu) 簡(jiǎn)而言之，IGBT 是由 4 個(gè)交替層 (P-
2023-07-03 20:15:011224 為滿足日益增長(zhǎng)的5G寬帶連接需求，提升FWA部署的經(jīng)濟(jì)效益和技術(shù)可行性，廣和通在MWCS 2023期間發(fā)布了基于新一代5G模組FG190&FG180的5G FWA整體解決方案，為FWA等移動(dòng)終端提供了靈活、便捷、高效、可靠的聯(lián)網(wǎng)方案，促進(jìn)FWA快速迭代。
2023-07-03 15:54:39390 為滿足日益增長(zhǎng)的5G寬帶連接需求，提升FWA部署的經(jīng)濟(jì)效益和技術(shù)可行性，廣和通在MWCS2023期間發(fā)布了基于新一代5G模組FG190&FG180的5GFWA整體解決方案，為FWA等移動(dòng)終端
2023-07-03 15:53:28405 
為滿足日益增長(zhǎng)的5G寬帶連接需求，提升FWA部署的經(jīng)濟(jì)效益和技術(shù)可行性， 廣和通在MWCS 2023期間發(fā)布了基于新一代5G模組FG190FG180的5G FWA整體解決方案，為FWA等移動(dòng)終端提供
2023-06-29 11:55:03326 也為國(guó)產(chǎn)IGBT的發(fā)展提供了良機(jī)。 上海陸芯電子科技有限公司于6月16日舉辦了“2023陸芯新品發(fā)布&功率半導(dǎo)體行業(yè)分享會(huì)”，邀請(qǐng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈同仁共同討論新一代功率半導(dǎo)體的技術(shù)革命和創(chuàng)新發(fā)展。隨著IGBT市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大以及國(guó)產(chǎn)IGBT企業(yè)技術(shù)上取得突
2023-06-19 15:35:08360 本文提出了一種超高效率、高功率密度的功率因數(shù)設(shè)計(jì)校正(PFC)和非對(duì)稱半橋(AHB)反激變換器140w PD3.1適配器應(yīng)用程序。在升壓PFC設(shè)計(jì)中，采用了GaNSense功率ic，以實(shí)現(xiàn)更高的頻率
2023-06-16 08:06:45
絕緣柵雙極晶體管 （IGBT, InsulatedGate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，在較新的器件中以結(jié)合高效和快速開關(guān)而聞名。IGBT通過
2023-06-14 20:15:012111 
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個(gè)芯片之間通過鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)如圖1-1所示。
2023-05-30 08:59:52555 
IGBT模塊損耗包含IGBT損耗和Diode損耗兩部分
2023-05-26 11:21:231245 
的需要，IGBT背面退火越來越多應(yīng)用激光退火技術(shù)。01IGBT火技術(shù)在垂直方向上，IGBT結(jié)構(gòu)經(jīng)歷了穿通型(pouchthrough，PT)，非穿通型(nonpouc
2023-05-16 10:45:11897 
在垂直方向上，IGBT結(jié)構(gòu)經(jīng)歷了穿通型（pouch through，PT），非穿通型（non pouch through，NPT）和電場(chǎng)截止型（field stop，F(xiàn)S），使器件的整體性能不斷提高。
2023-05-06 17:44:241223 
針對(duì)光伏+ 儲(chǔ)能（發(fā)電）以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)（用電）兩個(gè)維度展開，給大家重點(diǎn)介紹英飛凌新一代IGBT7產(chǎn)品特點(diǎn)以及如何利用新的IGBT7產(chǎn)品設(shè)計(jì)出高效率，高可靠性，高性價(jià)比的逆變器系統(tǒng)
2023-04-19 15:26:59298 
中圖儀器SJ5100超高精度光柵測(cè)長(zhǎng)機(jī) 軸承測(cè)量型高精度光柵測(cè)量系統(tǒng)，分辨力達(dá)到0.01μm，測(cè)量精度高。采用進(jìn)口超高精度光柵測(cè)量系統(tǒng)、超高精密研磨直線導(dǎo)軌、高精度溫度補(bǔ)償系統(tǒng)、雙向高精度恒測(cè)力
2023-04-19 10:17:13
經(jīng)歷了7代技術(shù)及工藝的升級(jí)，從平面穿通型（PT）到微溝槽場(chǎng)截止型，IGBT從芯片面積、工藝線寬、通態(tài)飽和壓降、關(guān)斷時(shí)間、功率損耗等各項(xiàng)指標(biāo)都進(jìn)行了不斷的優(yōu)化，斷態(tài)電
2023-04-14 16:32:041241 
自 20 世紀(jì) 80 年代發(fā)展至今，IGBT 芯片經(jīng)歷了 7 代技術(shù)及工藝的升級(jí)，從平面穿通型（PT）到微溝槽場(chǎng)截止型，IGBT 從芯片面積、工藝線寬、通態(tài)飽和壓降、關(guān)斷時(shí)間、功率損耗等各項(xiàng)指標(biāo)
2023-04-12 12:02:051874 IGBT模塊作為汽車電驅(qū)系統(tǒng)最常昂貴的開關(guān)元件。IGBT同時(shí)具有功率MOSFET導(dǎo)通功率小及開關(guān)速度快的性能，以及雙極型晶體管飽和壓降低（導(dǎo)通電阻小）高電壓和大電流處理能力的半導(dǎo)體元件
2023-03-23 16:01:54
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