功率器件是指用于控制和調(diào)節(jié)電能的器件,其主要功能是將電能轉(zhuǎn)換為其他形式的能量,如電機(jī)的驅(qū)動(dòng)、電源的變換等。功率器件一般分為三類:晶閘管、功率二極管和場效應(yīng)管。晶閘管主要用于大功率開關(guān)控制,功率二極管
2024-03-20 14:43:16105 IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
2024-03-18 16:30:39261 和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:43103 英飛凌為基于CYW43012的設(shè)計(jì)降低功率峰值提供了哪些指導(dǎo)。
開機(jī)和喚醒時(shí)似乎出現(xiàn)浪涌功率峰值。
基于 CYW43012 的模塊似乎需要大約 600ma-700mA 的峰值電流消耗。
是否有偏移或序列函數(shù)的選項(xiàng),這些函數(shù)需要較大的浪涌才能將峰值電流限制在 500mA 以內(nèi)?
2024-02-29 07:34:38
元件完成電路的升降壓嗎?尤其是在同步整流中,前級輸入有LCL濾波裝置,LCL僅僅起到一個(gè)濾波的作用嗎,對整流的升降壓有沒有起到作用,低壓三相380同步整流輸出電壓范圍510-710V左右。
此時(shí)的功率器件是采用MOSFET還是IGBT什么的?
2024-01-17 16:26:41
/導(dǎo)讀/英飛凌作為全球功率半導(dǎo)體市場絕對的領(lǐng)軍者,對全球“減碳”事業(yè)的探索也一直走在前列。2023年4月,英飛凌還將工業(yè)功率控制事業(yè)部正式更名為零碳工業(yè)功率(GIP
2024-01-10 08:13:51152 英飛凌,全球半導(dǎo)體技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,于2023年12月23日榮獲了年度國際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng),其獲獎(jiǎng)產(chǎn)品為160V MOTIX?三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC。這一榮譽(yù)充分體現(xiàn)了英飛凌在寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)和創(chuàng)新方面的杰出貢獻(xiàn)。
2024-01-03 15:32:19319 逆變電路中的功率開關(guān)器件是實(shí)現(xiàn)直流電轉(zhuǎn)換為交流電的關(guān)鍵元件,其主要作用是在控制信號(hào)的作用下,將直流電源輸出的電能轉(zhuǎn)換為交流電能。在逆變電路中,功率開關(guān)器件的性能直接影響到整個(gè)逆變器的效率、可靠性
2023-12-30 17:02:00702 英飛凌是全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,12月23日,英飛凌160VMOTIX三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC獲得年度國際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)。本次評獎(jiǎng)活動(dòng)由世紀(jì)電源網(wǎng)舉辦,旨在通過客觀、真實(shí)、公開的評選方式,評選
2023-12-30 08:14:04173 %的年度營收。根據(jù)Omdia9月公布的最新數(shù)據(jù),英飛凌功率半導(dǎo)體器件繼續(xù)穩(wěn)居全球第一,占據(jù)超20%的市場份額。今天,小編帶著大家一起來盤點(diǎn)下2023年英飛凌在零碳道
2023-12-29 08:14:04152 碳化硅功率器件的實(shí)用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有許多優(yōu)勢,主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:材料特性、功率密度、溫度特性和開關(guān)速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰(zhàn)
2023-12-21 11:27:09285 是一種重要的關(guān)鍵技術(shù),被廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換和能量控制系統(tǒng)中。 首先,我們來了解一下什么是IGBT模塊。IGBT模塊是一種功率半導(dǎo)體器件,是繼MOSFET和BJT之后的第三代功率開關(guān)器件。它具有低導(dǎo)通壓降、高開關(guān)速度和高耐受電壓的特點(diǎn),適用于高
2023-12-07 16:45:21469 功率半導(dǎo)體器件,以前也被稱為電力電子器件,簡單來說,就是進(jìn)行功率處理的,具有處理高電壓,大電流能力的半導(dǎo)體器件。典型的功率處理,包括變頻、變壓、變流、功率管理等等。早期的功率半導(dǎo)體器件:大功率二極管
2023-12-03 16:33:191134 碳化硅MOSFET導(dǎo)通損耗低,開關(guān)速度快,dv/dt高,短路時(shí)間小,對驅(qū)動(dòng)電壓的選擇、驅(qū)動(dòng)參數(shù)配置及短路響應(yīng)時(shí)間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部產(chǎn)品工程師鄭姿清女士,在2023IPAC
2023-12-01 08:14:10212 高壓功率器件的開關(guān)技術(shù)簡單的包括硬開關(guān)技術(shù)和軟開關(guān)技術(shù)
2023-11-24 16:09:22534 深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)SA2601矽塔科技600V單相半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片SOP8,原裝現(xiàn)貨 半橋柵極動(dòng)心片.半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片是一種用于驅(qū)動(dòng)半橋功率器件(例如電力 MOSFET、IGBT等
2023-11-07 17:06:58
美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 -通孔式小型封裝有助于減小表貼面積和電機(jī)電路板尺寸- ? 中國上海, 2023 年 10 月 26 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出兩款600V小型智能功率器件
2023-10-27 16:18:50791 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation?("Toshiba")推出了兩款600V小型智能功率器件(IPD)產(chǎn)品,適用于空調(diào)、空氣凈化
2023-10-27 11:13:00301 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出兩款600V小型智能功率器件(IPD)—“TPD4163K”和“TPD4164K”,可用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
2023-10-27 11:05:54657 1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:500 基于峰岹的FU6813主控芯片和智能功率模塊SPE10S60F-A(600V/10A)的波輪洗衣機(jī)控制方案,F(xiàn)U6813是一款集成電機(jī)控制引擎(ME)和8051內(nèi)核的高性能電機(jī)驅(qū)動(dòng)專用芯片,內(nèi)置高
2023-09-20 17:03:22
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET,根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn),使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明,
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(下稱“Toshiba”)推出了兩款適用于直流無刷電動(dòng)機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域的600V小型智能功率元件(IPD
2023-08-25 11:20:34496 氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開關(guān)速度,使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用,如電源轉(zhuǎn)換、無線通信、雷達(dá)和太陽能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能,氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統(tǒng)效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:151942 器件描述:漏源電壓(Vdss):600V 連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時(shí)):4A(Tc) 柵源極閾值電壓:4.5V @ 50uA 漏源導(dǎo)通電阻:2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散
2023-08-21 10:49:56
酷睿?SoC-600是ARM嵌入式調(diào)試和跟蹤組件家族的成員。
CoreSight?SoC-600提供的部分功能包括:
·可用于調(diào)試和跟蹤ARM SoC的組件。
這些SoC可以是簡單的單處理器設(shè)計(jì),也
2023-08-17 07:45:56
報(bào)告中介紹,隨著功率半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域逐漸擴(kuò)大,當(dāng)應(yīng)用在計(jì)算機(jī)和航空電子等領(lǐng)域中時(shí),低導(dǎo)通壓降能夠縮小整機(jī)的冷卻系統(tǒng),從而降低整機(jī)尺寸和成本,所以用戶對器件的導(dǎo)通電阻提出了更高的要求。
2023-08-09 16:21:36326 碳化硅功率器件主要應(yīng)用于新能源車的電驅(qū)電控系統(tǒng),相較于傳統(tǒng)硅基 功率半導(dǎo)體器件,碳化硅功率器件在耐壓等級、開關(guān)損耗和耐高溫性方面具備許多明顯的優(yōu)勢,有助于實(shí)現(xiàn)新能源車電力電子驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)輕量化、高 效化。
2023-08-02 10:49:59363 功率半導(dǎo)體,又稱電力電子器件或功率電子器件,是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件之一。能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制,在電路中主要起著功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開關(guān)、線路保護(hù)、逆變(直流轉(zhuǎn)交流)和整流(交流轉(zhuǎn)直流)等作用。
2023-07-27 16:17:151630 供應(yīng)ID5S609SEC-R1 600V高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片可代換IR2304,提供id5s609芯片資料關(guān)鍵參數(shù) ,廣泛應(yīng)用于中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)、半橋功率逆變器
2023-07-20 14:20:134 供應(yīng)ID5S609SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)芯片可替代ir2304,提供ID5S609SEC-R1 關(guān)鍵參數(shù) ,廣泛應(yīng)用于中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率MOSFET
2023-07-20 14:19:19
供應(yīng)ID7U603SEC-R1 600V半橋MOS柵極驅(qū)動(dòng)IC,提供ID7U603規(guī)格書關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-20 14:11:044 供應(yīng)ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動(dòng)芯片可代換IR2104,提供ID7U603SEC-R1關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-20 14:10:05
CR08AS-12A 數(shù)據(jù)表 (600V - 0.8A - Thyristor / Low Power Use )
2023-07-14 09:39:210 RJH60D5BDPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 37A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-14 09:37:470 RJH60M5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 37A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-14 09:26:090 RJH60M7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-13 20:19:160 RJH60M6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 40A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-13 20:17:310 RJS6005TDPP-EJ 數(shù)據(jù)表 (600V - 15A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-07-13 18:54:020 RJS6004TDPP-EJ 數(shù)據(jù)表 (600V - 10A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-07-13 18:53:520 RJK6011DJE 數(shù)據(jù)表 (600V - 0.1A - MOS FET / High Speed Power Switching )
2023-07-13 18:52:500 RJK6011DJA 數(shù)據(jù)表 (600V - 0.1A - MOS FET / High Speed Power Switching)
2023-07-13 18:52:300 RJS6004WDPK 數(shù)據(jù)表 (600V - 20A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-07-13 18:51:450 RJS6005WDPK 數(shù)據(jù)表 (600V - 30A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode )
2023-07-13 18:49:070 RJH60T04DPQ-A1 數(shù)據(jù)表 (600V - 30A - IGBT / Application:Current resonance circuit)
2023-07-12 20:22:020 RJP60V0DPM-80 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 20:21:430 RJP60V0DPM 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 20:21:320 BCR16PM-12LC 數(shù)據(jù)表 (600V - 16A - Triac / Medium Power Use)
2023-07-12 18:54:190 BCR12PM-12LC 數(shù)據(jù)表 (600V - 12A - Triac / Medium Power Use)
2023-07-12 18:54:010 BCR8PM-12LE 數(shù)據(jù)表 (600V - 8A - Triac / Medium Power Use)
2023-07-12 18:53:310 BCR2PM-12RE 數(shù)據(jù)表 (600V - 2A -Triac / Low Power Use)
2023-07-12 18:53:140 了 “R60xxVNx系列” (含7款機(jī)型)。 此外,高速開關(guān)型600V耐壓Super Junction MOSFET產(chǎn)品陣容中也新增了導(dǎo)通電阻更低的 “R60xxYNx系列” (含2款機(jī)型
2023-07-12 12:10:08437 RJH60A83RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 10A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:450 RJH60A81RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:310 RJH60A01RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:170 RJU60C6SDPQ-A0 數(shù)據(jù)表(600V - 25A - Single Diode Fast Recovery Diode)
2023-07-11 20:15:110 的MOSFET系統(tǒng)快一個(gè)數(shù)量級)。假設(shè)典型的600V高壓軌,這會(huì)導(dǎo)致(600V/5ns)= 120kV/μs的開關(guān)瞬態(tài)。
2023-06-28 14:33:33275 1 Buck 變換器的功率器件設(shè)計(jì)公式 (1):Buck 變換器的電路圖: (2):Buck 變換器的主要穩(wěn)態(tài)規(guī)格: (3):功率器件的穩(wěn)態(tài)應(yīng)力: -- 有源開關(guān) S: -- 無源開關(guān) D: 上述
2023-06-26 10:06:01434 線。該器件采用超級結(jié)結(jié)構(gòu),耐壓600V,適用于數(shù)據(jù)中心、開關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品,于今日開始批量出貨。 ? ? 通過對柵極設(shè)計(jì)和工藝進(jìn)行優(yōu)化,與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比,600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的
2023-06-13 16:38:50712 BCR16PM-12LC 數(shù)據(jù)表 (600V - 16A - Triac / Medium Power Use)
2023-05-15 20:01:170 BCR12PM-12LC 數(shù)據(jù)表 (600V - 12A - Triac / Medium Power Use)
2023-05-15 20:01:010 BCR8PM-12LE 數(shù)據(jù)表 (600V - 8A - Triac / Medium Power Use)
2023-05-15 20:00:230 BCR2PM-12RE 數(shù)據(jù)表 (600V - 2A -Triac / Low Power Use)
2023-05-15 20:00:080 RJH60A83RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 10A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:590 RJH60A81RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:390 RJH60A01RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:270 RJU60C6SDPQ-A0 數(shù)據(jù)表(600V - 25A - Single Diode Fast Recovery Diode)
2023-05-15 19:04:130 功率器件可以在各種非正常工況下保護(hù)自己并報(bào)錯(cuò)會(huì)大大提高功率器件自身的可靠性和整個(gè)系統(tǒng)的安全性。以下圖中英飛凌的智能高邊經(jīng)典產(chǎn)品PROFET系列為例,它集成了診斷和保護(hù)功能(Protect)的功率器件
2023-05-02 15:44:00927 GaN基功率開關(guān)器件能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率,得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣(2DEG)。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關(guān)的核心器件增強(qiáng)型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結(jié)構(gòu)。
2023-04-29 16:50:00793 IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
2023-04-06 11:45:301042 開關(guān)電源功率是由開關(guān)管的最大電流決定嗎?例如5v1a的電源,開關(guān)管選多大的電流,這個(gè)電流是如何算出來的?謝謝
2023-04-04 16:56:04
iso功率器件可用于接受消隱信號(hào),并利用它們來控制開關(guān)噪聲對高精度測量的負(fù)面影響,從而提高測量精度。
2023-04-04 11:06:59707 供應(yīng)ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 ,提供SGT60N60FD1P7 600v 60a規(guī)格書參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-04-04 10:39:344 供應(yīng)電機(jī)常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A,提供SGTP50V60FD2PU關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 17:24:105 供應(yīng)50a 600v igbt 驅(qū)動(dòng)電路SGTP50V60FD2PF,提供SGTP50V60FD2PF關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 17:15:592 供應(yīng)SGT30T60SD3PU伺服電機(jī)控制igbt 600V、30A規(guī)格參數(shù),提供SGT30T60SD3PU關(guān)鍵參數(shù) ,可應(yīng)用于光伏,變頻器,UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
2023-04-03 17:09:042 供應(yīng)全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7,提供SGT20T60SDM1P7關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:02:491 供應(yīng)SGT20T60SD1F 20A、600V igbt單管開關(guān)逆變器,提供SGT20T60SD1F關(guān)鍵參數(shù) ,是士蘭微IGBT代理商,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微 電子申請。>>
2023-04-03 15:40:25
供應(yīng)5a、600v耐壓igbt SGTP5T60SD1DFS可代換AOD5B65M1 ,提供SGTP5T60SD1DFS規(guī)格書參數(shù) ,可應(yīng)用于光伏,變頻器,UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
2023-04-03 14:48:131 CR08AS-12A 數(shù)據(jù)表 (600V - 0.8A - Thyristor / Low Power Use )
2023-03-31 19:28:150 RJH60D5BDPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 37A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-31 19:26:480 RJH60M5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 37A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:15:310 RJH60M7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:11:000 RJH60M6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 40A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:09:070 RJS6005TDPP-EJ 數(shù)據(jù)表 (600V - 15A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-03-30 19:24:000 RJS6004TDPP-EJ 數(shù)據(jù)表 (600V - 10A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-03-30 19:23:430 RJK6011DJE 數(shù)據(jù)表 (600V - 0.1A - MOS FET / High Speed Power Switching )
2023-03-30 19:22:410 RJK6011DJA 數(shù)據(jù)表 (600V - 0.1A - MOS FET / High Speed Power Switching)
2023-03-30 19:22:280 RJS6004WDPK 數(shù)據(jù)表 (600V - 20A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-03-30 19:21:350 RJS6005WDPK 數(shù)據(jù)表 (600V - 30A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode )
2023-03-30 19:18:180 RJH60T04DPQ-A1 數(shù)據(jù)表 (600V - 30A - IGBT / Application:Current resonance circuit)
2023-03-30 18:47:000 RJP60V0DPM-80 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:470 RJP60V0DPM 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:340 NUT/SCREWDRIVERSETW/HANDLE2PC
2023-03-29 21:00:14
逆變器、全橋驅(qū)動(dòng)逆變器等領(lǐng)域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點(diǎn)■浮動(dòng)工作電壓可達(dá)600V■拉灌電流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的輸入邏輯電平■dV/dt抗干擾能力±5
2023-03-29 09:24:35930
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