單片機(jī)（MicrocontrollerUnit，MCU）是一種集成電路芯片，它包含了中央處理器（CPU）、隨機(jī)存取存儲器（RAM）、MCP2515-I/ST只讀存儲器（ROM）、輸入輸出端口
2024-03-13 14:21:43
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ram在計(jì)算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用來暫時(shí)存儲程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。隨機(jī)存取存儲器（ram）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。
2024-02-19 11:23:31568 
DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
SRAM 中的每個(gè)存儲單元由多個(gè)觸發(fā)器構(gòu)成。每個(gè)觸發(fā)器可以存儲一個(gè)位的數(shù)據(jù)，并在電源供電時(shí)一直保持該狀態(tài)，不需要刷新操作。
2024-02-05 09:31:57946 數(shù)據(jù)和指令，而ROM則用于存儲計(jì)算機(jī)的基本操作系統(tǒng)和啟動程序。本文將探討RAM和ROM的區(qū)別，以及它們與CPU之間的連接方式。 首先，我們來看看RAM和ROM的定義和特點(diǎn)。 RAM是指隨機(jī)存取存儲器。它的特點(diǎn)是可以隨機(jī)讀寫數(shù)據(jù)，而且數(shù)據(jù)在斷電之后會被丟失，所以它被稱為“易失性存儲器”。RAM由晶體管和
2024-01-31 14:14:31478 1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器進(jìn)行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲器。
2024-01-30 08:18:12
：基于靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）的FPGA，其配置可以在每次上電時(shí)重新加載。這類FPGA具有較高的靈活性，但功耗較高。
Flash-based FPGA ：基于閃存的FPGA，其配置可以在斷電后保持。這類
2024-01-26 10:09:17
ROM（Read-Only Memory）是只讀存儲器，而RAM（Random Access Memory）是隨機(jī)存取存儲器。它們在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中扮演著不同的角色和功能。 ROM是一種非易失性存儲器
2024-01-25 10:46:28610 英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，擴(kuò)展其集成嵌入式糾錯(cuò)碼（ECC）的抗輻射異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（RAM）產(chǎn)品線。這款新產(chǎn)品的設(shè)計(jì)初衷是為了滿足航空和其他極端環(huán)境中的高性能計(jì)算需求。
2024-01-24 17:11:39358 鐵電存儲器通常具有更快的隨機(jī)存取時(shí)間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲器相比較為遲鈍。
2024-01-23 18:17:51516 
隨機(jī)訪問存儲器（RAM）分為靜態(tài)RAM（SRAM）和動態(tài)RAM（DRAM）。由于動態(tài)存儲器存儲單元的結(jié)構(gòu)非常簡單，所以它能達(dá)到的集成度遠(yuǎn)高于靜態(tài)存儲器。但是動態(tài)存儲器的存取速度不如靜態(tài)存儲器快。
2024-01-19 15:47:38513 
當(dāng)電源斷開時(shí)，隨機(jī)存取存儲器（RAM）中的數(shù)據(jù)通常會丟失。這是因?yàn)镽AM是一種易失性存儲器，它必須以恒定的電源供應(yīng)來維持存儲的數(shù)據(jù)。在斷電時(shí)，RAM中的電荷會逐漸耗盡，導(dǎo)致其中的數(shù)據(jù)丟失。在這
2024-01-16 16:30:19838 ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
是Volatile RAM（易失性存儲器），又稱為SRAM（Static Random Access Memory，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器）；另一種是Non-volatile RAM（非易失性存儲器），又稱
2024-01-12 17:27:15512 MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲元素。
2024-01-09 14:24:03208 
隨機(jī)存取存儲器 (RAM)的名稱源自 CPU 訪問它的方式，CPU對其進(jìn)行隨機(jī)掃描以獲取適當(dāng)?shù)男畔ⅲ皇亲裱瓏?yán)格的指示。這是為了均衡所有存儲的數(shù)據(jù)位之間的訪問時(shí)間。
2024-01-06 17:51:33158 
東芝不僅是家電巨頭、消費(fèi)電子巨頭，還曾經(jīng)是全球最大的半導(dǎo)體制造商之一。1985年，東芝率先研發(fā)出1M容量動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)。到了次年，東芝1M DRAM月產(chǎn)能超過100萬片，包括東芝在內(nèi)的日本廠商在 DRAM市場的份額則超過80%。
2023-12-21 16:19:48267 
根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，力成為合作項(xiàng)目提供必要的2.5D和3D先進(jìn)封裝服務(wù)，涵蓋Chip on Wafer、凸塊加工以及矽穿孔技術(shù)等多個(gè)環(huán)節(jié)，并優(yōu)先推薦華邦電的矽中介層和其他尖端產(chǎn)品，如動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 （DRAM） 和快閃存儲器 （Flash） 等進(jìn)行配合
2023-12-21 10:29:45151 從存儲芯片的市場表現(xiàn)來看，兩大類別DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）與NAND Flash（閃存存儲器）目前的價(jià)格較今年谷底都出現(xiàn)了上漲。
2023-12-19 15:19:32136 SRAM (Static Random Access Memory)是一種高速、隨機(jī)訪問的存儲器，它以其快速的讀寫操作和不需要刷新的特點(diǎn)而受到廣泛使用。本文將詳細(xì)介紹SRAM的讀寫電路設(shè)計(jì)
2023-12-18 11:22:39496 其中，電阻式隨機(jī)存取存儲器（RRAM）依靠改變電阻水平來存儲數(shù)據(jù)。最近發(fā)表在《Angewandte Chemie》雜志上的一項(xiàng)研究詳細(xì)介紹了清華大學(xué)李原領(lǐng)導(dǎo)的研究小組的工作，他們開創(chuàng)了一種制造超分子憶阻器的方法，而憶阻器是構(gòu)建納米隨機(jī)存取存儲器的關(guān)鍵部件之一。
2023-12-06 16:05:36341 
SRAM是采用CMOS工藝的內(nèi)存。自CMOS發(fā)展早期以來，SRAM一直是開發(fā)和轉(zhuǎn)移到任何新式CMOS工藝制造的技術(shù)驅(qū)動力。
2023-12-06 11:15:31635 在數(shù)字電子設(shè)備中，存儲器是至關(guān)重要的部分。它負(fù)責(zé)存儲和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計(jì)算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲器市場中，有兩種主要的類型：隨機(jī)訪問存儲器 ( RAM ) 和只讀存儲器 ( ROM )。盡管都是存儲器，但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17731 
非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (NVSRAM) 是一種即使斷電也能保留數(shù)據(jù)的存儲器，提供非易失性存儲。
2023-12-05 10:09:56302 DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)是一種高帶寬的存儲器，今天主要講述一下DDR4在Layout過程中的一些細(xì)節(jié)。在DDR的設(shè)計(jì)過程中，DDR的Layout是十分重要的環(huán)節(jié)。
2023-11-29 15:39:101470 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
功能描述：CY7C1470BV25、CY7C1472BV25和CY7C1474BV25是2.5V 2M x 36/4M x 18/1M x 72同步流水線容發(fā)無總線延遲的SRAM(NoBL)邏輯
2023-11-24 16:10:46
低功耗雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡稱為 LPDDR，是DDR SDRAM 的一種，由于廣泛用于移動
2023-11-21 09:37:36257 
在同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SDRAM)的工作模式中，以數(shù)據(jù)讀取速率來分類，有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:25364 
Distributed Memory Generator IP 核采用 LUT RAM 資源創(chuàng)建各種不同的存儲器結(jié)構(gòu)。IP可用來創(chuàng)建只讀存儲器 (ROM)、單端口隨機(jī)存取存儲器 (RAM) 和簡單
2023-11-17 17:00:30687 
20世紀(jì)70 年代到 90年代中期，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣它可以隨時(shí)響應(yīng)控制輸入信號的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27378 ，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲器 ( Flash Memory，簡稱 Flash）就屬于 NVM，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 根據(jù)貿(mào)易部周二公布的數(shù)據(jù)，存儲芯片出口同比增長1%，較9月份下滑了18%。多芯片封裝產(chǎn)品引領(lǐng)了反彈，增長了12.2%，而利潤豐厚的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的銷售額首次收窄至個(gè)位數(shù)。
2023-11-15 17:37:26719 后存儲內(nèi)容會丟失的存儲器稱作易失存儲器（Volatile Memory），存儲內(nèi)容不會丟失的存儲器稱作非易失存儲器（Non-Volatile Memory）。 半導(dǎo)體存儲器分類 1、按功能分為 （1）隨機(jī)存取存儲器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:01731 
SRAM 的數(shù)量是任何人工智能處理解決方案的關(guān)鍵要素，它的數(shù)量在很大程度上取決于您是在談?wù)摂?shù)據(jù)中心還是設(shè)備，或者是訓(xùn)練還是推理。但我想不出有哪些應(yīng)用程序在處理元件旁邊沒有至少大量的 SRAM，用于運(yùn)行人工智能訓(xùn)練或推理。
2023-11-12 10:05:05452 單片機(jī)的存儲器從物理上可劃分為4個(gè)存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
本文將介紹芯片設(shè)計(jì)中動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）的相關(guān)知識，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34816 存儲器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 16Gb低VDDQ移動低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
相同點(diǎn)？
感覺6116數(shù)據(jù)的存取很簡單呀？設(shè)置成“寫入”狀態(tài)，在地址端0001-0101依次輸入數(shù)據(jù)0001，0010，0011，0100，0101后，把存儲器設(shè)置成“讀出”狀態(tài)就可以看到輸出端
2023-10-07 08:39:25
單片機(jī)功能強(qiáng)大，我想它可以完成存儲器6116的數(shù)據(jù)存取功能吧？這或許是認(rèn)識單片機(jī)比較容易的一步？討厭我這個(gè)問題的朋友您就別看了，我真的不是想愚弄您。
2023-10-07 08:16:39
怎么隨機(jī)存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長的鐵電隨機(jī)存儲器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
、隨機(jī)存取存儲器、定時(shí)器以及并行接口等。微處理器執(zhí)行存放在程序存儲器中的各種保護(hù)程序，對由數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)輸入到隨機(jī)存取存儲器中的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析處理，以完成各種繼電器保護(hù)的功能。 3、數(shù)字量輸入/輸出接口 即開關(guān)量輸入/輸出
2023-09-22 16:34:33544 
存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
Processing Unit，CPU）、隨機(jī)存取存儲器（Random Access Memory，RAM）、Flash存儲器以及其他周邊設(shè)備。本文將介紹STM32 MCU的技術(shù)特點(diǎn)和應(yīng)用前景。
2023-09-13 17:18:28963 系統(tǒng)架構(gòu)
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲空間
? 存儲器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應(yīng)閃存加速器（STM32F2新增）
? 啟動模式
? 代碼空間的動態(tài)重映射（STM32F2新增）
? 內(nèi)嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
存儲器是計(jì)算機(jī)中的重要組成部分，用于存儲程序、數(shù)據(jù)和控制信息等。根據(jù)存儲信息的介質(zhì)和訪問方式的不同，存儲器可以分為隨機(jī)存儲器（RAM）、只讀存儲器（ROM）和硬盤存儲器等幾類。本文將介紹存儲器的工作原理、分類及結(jié)構(gòu)。
2023-09-09 16:18:272101 微控制器的處理器類型根據(jù)不同的應(yīng)用而有所不同。可供選擇的范圍從簡單的4位、8位或16位處理器到更復(fù)雜的32位或64位處理器。微控制器還可以使用不同類型的存儲器，包括易失性存儲器，如隨機(jī)存取存儲器
2023-09-07 15:54:332167
-40℃~+85℃
片上只讀存儲器
384KB
片上靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器
512KB
外部閃光
8MB
封裝內(nèi) PSRAM
2MB
無線上網(wǎng)
IEEE 802.11 b/g/n，2.4Ghz 頻段
2023-09-07 10:05:03
我們知道除了只讀存儲器外還有隨機(jī)存取存儲器，這一篇將介紹另一種 存儲類IP核 ——RAM的使用方法。RAM是 隨機(jī)存取存儲器 （Random Access Memory），是一個(gè)易失性存儲器，斷電丟失。RAM工作時(shí)可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定的地址寫入或讀出數(shù)據(jù)。
2023-08-29 16:46:071658 
和“讀寫”段，前者包含代碼和只讀數(shù)據(jù)，后者包含初始化和未初始化或零初始化(ZI)數(shù)據(jù)。
通常，“只讀”段被放在只讀存儲器中，而“讀寫”段在開始執(zhí)行之前從只讀存儲器復(fù)制到隨機(jī)存取存儲器。
2023-08-24 08:23:51
。
SMI將AMBA高級系統(tǒng)總線(ASB)連接到AMBA微控制器的外部存儲器總線。
這允許連接多達(dá)8個(gè)256MB的32位寬靜態(tài)存儲器(SRAM、ROM等)。
并與測試接口控制器(TIC)一起提供
2023-08-21 06:22:01
技術(shù)，每種技術(shù)都具有不同的特性和高級功能。雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (SDRAM) 已成為主系統(tǒng)存儲器最主流的存儲器技術(shù)，因?yàn)樗褂秒娙萜髯鳛?b class="flag-6" style="color: red">存儲元件來實(shí)現(xiàn)高密度和簡單架構(gòu)、低延遲和高性能、無限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20413 
動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。
2023-08-03 12:27:03649 
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的動態(tài)存儲器控制器（DMC）和靜態(tài)存儲器控制器
2023-08-02 14:51:44
動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（RAM）
?片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備中已經(jīng)存在的高速鏈路。
TMC也可以作為系統(tǒng)中的先進(jìn)先出（FIFO）操作。這減少了跟蹤
通過平均跟蹤帶寬得出溢出和跟蹤端口大小
2023-08-02 14:35:05
PrimeCell靜態(tài)存儲器控制器（SMC）是一款符合高級微控制器總線架構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備，由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
SMC是一個(gè)AMBA從模塊，連接到高級高性能
2023-08-02 12:21:46
SC054 ASB靜態(tài)存儲器控制器（SMC）是一款符合高級微控制器總線架構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)外圍設(shè)備，由ARM開發(fā)、測試和許可。SC054 ASB SMC是一個(gè)AMBA從模塊，連接到高級系統(tǒng)總線
2023-08-02 07:39:45
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的靜態(tài)存儲器控制器（SMC）。AHB MC有一個(gè)
2023-08-02 07:14:25
，用于從計(jì)算機(jī)的RAM（隨機(jī)存取存儲器）或其他設(shè)備的內(nèi)存中提取關(guān)鍵信息，以便了解設(shè)備在特定時(shí)間點(diǎn)的狀態(tài)和活動。內(nèi)存取證的主要目的？內(nèi)存取證的主要目的是獲取在計(jì)算機(jī)或設(shè)
2023-08-01 11:21:511056 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器是一種易失性存儲器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲在其中的信息會丟失。這是因?yàn)镈RAM使用電容來存儲數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032204 一個(gè)可隨時(shí)存取數(shù)據(jù)的存儲器，即可讀(取)或?qū)?存)的存儲器，簡稱ram。
2023-07-25 15:28:37641 該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)和嵌入式閃存、一個(gè)提供時(shí)鐘、復(fù)位和電源管理功能的模擬子系統(tǒng)以及模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)子系統(tǒng)組成。本數(shù)據(jù)手冊描述ADuCM4050 MCU的A
2023-07-17 15:08:25
和微控制器單元 (MCU) 子系統(tǒng)。ADuCM300 具有 128 kB 程序閃存/EE、4 kB 數(shù)據(jù)閃存/EE 和 6 kB 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (SRAM)
2023-07-17 13:56:20
隨機(jī)存取存儲器（RAM）用于實(shí)時(shí)存儲CPU正在使用的程序和數(shù)據(jù)。隨機(jī)存取存儲器上的數(shù)據(jù)可以被多次讀取、寫入和擦除。RAM是存儲當(dāng)前使用的數(shù)據(jù)的硬件元素。它是一種易失性存儲器。
2023-07-06 14:22:271948 ，非易失性存儲器在計(jì)算機(jī)關(guān)閉后存儲數(shù)據(jù)仍保留在計(jì)算機(jī)中。易失性存儲器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲狀態(tài)。主要分為兩種類型：靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)。 1963年，F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28873 存儲器是用來進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲的（指令也是一種數(shù)據(jù)），按使用類型可分為只讀存儲器ROM(Read Only Memory)和隨機(jī)訪問存儲器RAM(Random Access Memory)，RAM是其中最為常見的一種形式。
2023-06-27 16:45:30458 
靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM: Static Random Access Memory) 和動態(tài)隨機(jī)存儲器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:181959 
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
隨機(jī)存取存儲器(SRAM)，而系統(tǒng)存儲器(4KB)除可作啟動加載程序(Bootloader)外，也可一次性配置成一
般用戶程序和數(shù)據(jù)區(qū)，達(dá)到64+4KB的最大空間使用。片上還集成1個(gè)OTG控制器(設(shè)備模式支持
2023-06-08 16:10:08
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
隨機(jī)存儲器可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定地址中讀出數(shù)據(jù)，也可以隨時(shí)將數(shù)據(jù)寫入任何一個(gè)指定的存儲單元中
2023-06-05 15:49:47785 
************************************************* *************************************
* 詳細(xì)說明：
* 這個(gè)例子的目的是展示如何保存數(shù)據(jù)在 SRAM 存儲器中通過
2023-06-05 09:47:48
作為一種非易失性存儲器，鐵電存儲器兼具動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優(yōu)點(diǎn)，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場合，鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
16-MBIT（1M X 16）靜態(tài)隨機(jī)存儲器
2023-06-01 09:18:00
無論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲，還是單純地瀏覽數(shù)碼照片，你的電腦都會定期進(jìn)入內(nèi)存獲取指令。沒有隨機(jī)存取存儲器（RAM），今天的計(jì)算機(jī)甚至無法啟動。
2023-05-30 15:19:55313 主存儲器的主要技術(shù)指標(biāo)
* **存儲容量**
存儲器可以容納的二進(jìn)制信息量（尋址空間，由CPU的地址線決定）
* **實(shí)際存儲容量：** 在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中具體配置了多少內(nèi)存。
* **存取速度：** 存取時(shí)間是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時(shí)間，也稱為讀寫周期；
2023-05-26 11:28:10822 
SDRAM是動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，與CPU的時(shí)鐘速度同步。SDRAM也代表SDR SDRAM（單數(shù)據(jù)速率SDRAM）。單數(shù)據(jù)速率意味著SDR SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只能讀/寫一拍數(shù)據(jù)。在傳輸下一個(gè)讀/寫操作之前，需要等待命令完成。SDR 速度從 66 MHz 到 133 MHz 不等。
2023-05-26 10:43:371535 
，并把電容放電，藉此來保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)性。
SRAM：
SRAM利用寄存器來存儲信息，所以一旦掉電，資料就會全部丟失，只要供電，它的資料就會一直存在，不需要動態(tài)刷新，所以叫靜態(tài)隨機(jī)存儲器。
3.產(chǎn)品應(yīng)用
2023-05-19 15:59:37
Flash的容量往往較小。NOR設(shè)備在每次寫操作時(shí)都必須以塊的方式寫入數(shù)據(jù)。并行NOR閃存利用靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)快速訪問芯片的可尋址區(qū)域，實(shí)現(xiàn)了存儲字節(jié)的快速訪問。與NAND Flash相比
2023-05-18 14:13:37
在定義方面它們有本質(zhì)的區(qū)別，硬盤屬于“ 非易失性存儲器”，而內(nèi)存是“隨機(jī)存取存儲器”，屬于“易失性存儲設(shè)備“。
2023-05-17 15:40:191537 如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊
2023-04-27 20:25:40
6 EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴(kuò)SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
RAM ：隨機(jī)存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲器”。
2023-04-25 15:58:205062 
。關(guān)于DMA存儲器到外設(shè)傳輸方式，程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH中，然后通過DMA的方式傳輸?shù)酱诘臄?shù)據(jù)寄存器，然后通過串口把這些數(shù)據(jù)發(fā)送到電腦的上位機(jī)顯示出來。
2023-04-20 16:35:13
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機(jī)存儲器
2023-04-19 17:45:462540 本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
SHARC 系列數(shù)字信號處理器 (DSP) 中的一款產(chǎn)品，采用 ADI 公司的超級哈佛架構(gòu)。這些 32 位/40 位/64 位浮點(diǎn)處理器已針對高性能音頻/浮點(diǎn)應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化，具有大型片內(nèi)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器
2023-04-11 17:36:45479 。隨機(jī)存取存儲器(random access memory，RAM)又稱作\"隨機(jī)存儲器\"。存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關(guān)的存儲器。這種存儲器在斷電時(shí)將
2023-04-10 16:43:04
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時(shí)間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
，并與FRAM兼容。兩種產(chǎn)品都使用標(biāo)準(zhǔn)的SRAM并行地址（A0-16），字節(jié)寬的雙向數(shù)據(jù)引腳（DQ0-7）和控制信號（/E，/W，/G）。每個(gè)模塊都可以由一個(gè)公共的定時(shí)接口支持，并且將用作隨機(jī)存取讀
2023-04-07 16:26:28
設(shè)備基于運(yùn)行頻率高達(dá) 80 MHz 的第 2 版 ColdFire 內(nèi)核，以實(shí)現(xiàn)性能和低功耗。片上存儲器與處理器內(nèi)核緊密耦合，包括 512 KB 閃存和 64 KB 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (SRAM)。片
2023-03-31 08:49:25
(Flash)及32KB隨機(jī)存取存儲器(SRAM)，片上還集成了多達(dá)5個(gè)UART、2個(gè)SPI(可復(fù)用I2S)、2個(gè)I2C、1個(gè)SDIO和1個(gè)CAN接口(2.0B主動)、1個(gè)16位高級定時(shí)器、5個(gè)16位通用
2023-03-30 10:44:55308 ReRAM代表電阻式隨機(jī)存取存儲器，是一種非易失性存儲器，具有如低功耗和快速寫入的特長。該存儲器在所有存儲器產(chǎn)品中的讀取電流都最小，特別適合于助聽器等可穿戴設(shè)備。
2023-03-25 15:49:351054
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