電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:58:12
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:53:030 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:24:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 10:16:450 DDR5內(nèi)存相對于DDR4有更高的內(nèi)部時鐘速度和數(shù)據(jù)傳輸速率，從而提供更高的帶寬。DDR5的傳輸速率可以達到6400MT/s以上，比DDR4的最高傳輸速率提高了一倍以上。
2024-03-12 11:23:34
118 DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大？怎么選擇更好？ DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術，它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點。下面將詳細比較這兩種內(nèi)存技術，以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052849 DDR5已經(jīng)開始商用，但是有的產(chǎn)品還才開始使用DDR4。本文分享一些DDR4的測試內(nèi)容。DDR4 和前代的 DDR3 相比， 它的速度大幅提升，最高可以達到 3200Mb/s,這樣高速的信號，對信號完整性的要求就更加嚴格，JESD79‐4 規(guī)范也對 DDR4 信號的測量提出了一些要求。
2024-01-08 09:18:24463 
時鐘頻率：可通過倍頻技術升級的核心頻率。時鐘頻率可以理解為IO Buffer的實際工作頻率，DDR2中時鐘頻率為核心頻率的2倍，DDR3 DDR4中時鐘頻率為核心頻率的4倍。
2023-12-25 18:18:471188 
的引腳介紹
DDR內(nèi)存條的引腳數(shù)，取決于內(nèi)存條的類型和規(guī)格。以下是一些常見的 DDR內(nèi)存條類型和它們的引腳數(shù) ：
DDR1內(nèi)存條，184引腳（92針對每側）
DDR2內(nèi)存條，240引腳（120針對每側
2023-12-25 14:02:58
的引腳介紹
DDR內(nèi)存條的引腳數(shù)，取決于內(nèi)存條的類型和規(guī)格。以下是一些常見的 DDR內(nèi)存條類型和它們的引腳數(shù) ：
DDR1內(nèi)存條，184引腳（92針對每側）
DDR2內(nèi)存條，240引腳（120針對每側
2023-12-25 13:58:55
大家如果做過DDR的設計可能會發(fā)現(xiàn)在進行多片DDR連線時，通常在信號的末端會放置很多的電阻(如下圖所示)，那么這些電阻都是起什么作用的呢？
2023-12-18 15:58:26299 
法人方面解釋說：“標準型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國企業(yè)主導，因此，中臺灣企業(yè)在半導體制造方面無法與之抗衡。”在ddr3 ddr3的情況下，臺灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強勢。ddr3的價格也隨之上漲，給臺灣半導體企業(yè)帶來了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計算機的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計算機內(nèi)存的標準。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對兩者有了更多的關注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003885 DDR3是2007年推出的，預計2022年DDR3的市場份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:56516 
DDR存儲器發(fā)展的主要方向一言以蔽之，是更高速率，更低電壓，更密的存儲密度，從而實現(xiàn)更好的性能。
2023-10-01 14:03:00488 
摘要：本文將對DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術進行詳細的比較，分析它們的技術特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內(nèi)存技術，為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101088 我們在買DDR內(nèi)存條的時候，經(jīng)常會看到這樣的標簽DDR3-1066、DDR3-2400等，這些名稱都有什么含義嗎？請看下表。
2023-09-26 11:35:331922 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有最大1Gb DDR2 SDRAM的SAMA5D2 SIP MPU.pdf》資料免費下載
2023-09-25 10:11:120 。
這里編寫了一個簡單的測速DDR3訪問速度的工程，當按下KEY2，F(xiàn)PGA會將等同于一張4K分辨率大小的數(shù)據(jù)寫入DDR3中，同時開始計時，當完成寫入后停止計時，并通過Debugger的波形抓取結束時
2023-09-21 23:37:30
相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設計為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡，這樣的設計可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441478 
三星公司計劃在下半年再次削減DRAM制程的產(chǎn)能，而今年以來這一減產(chǎn)主要針對DDR4。業(yè)界普遍預期，三星的目標是在今年年底之前將庫存水平降至合理水平。這一減產(chǎn)舉措可能會導致DDR4市場價格上漲，而目前
2023-09-15 17:42:08996 以MT41J128M型號為舉例：128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個8bit的DDR3，每個bank的大小為16Mbit，一共有8個bank。
2023-09-15 15:30:09629 
DDR3帶寬計算之前，先弄清楚以下內(nèi)存指標。
2023-09-15 14:49:462497 
一看到DDR,聯(lián)想到的就是高速，一涉及到高速板有些人就比較茫然。高速板主要考慮兩個問題點,當然其它3W，2H是基本點。
2023-09-15 11:42:37757 
內(nèi)置校準: DDR3和DDR4控制器通常具有內(nèi)置的校準機制，如ODT (On-Die Termination)、ZQ校準和DLL (Delay Locked Loop)。這些機制可以自動調整驅動和接收電路的特性，以優(yōu)化信號完整性和時序。
2023-09-11 09:14:34420 本文介紹一個FPGA開源項目：DDR3讀寫。該工程基于MIG控制器IP核對FPGA DDR3實現(xiàn)讀寫操作。
2023-09-01 16:23:19741 
本文開源一個FPGA項目：基于AXI總線的DDR3讀寫。之前的一篇文章介紹了DDR3簡單用戶接口的讀寫方式：《DDR3讀寫測試》，如果在某些項目中，我們需要把DDR掛載到AXI總線上，那就要通過MIG IP核提供的AXI接口來讀寫DDR。
2023-09-01 16:20:371887 
MCU200T的DDR3在官方給的如下圖兩份文件中都沒有詳細的介紹。
在introduction文件中只有簡略的如下圖的一句話的介紹
在schematic文件中也沒有明確表明每個接口的具體信息
2023-08-17 07:37:34
在配置DDR200T的DDR3時，一些關鍵參數(shù)的選擇在手冊中并沒有給出，以及.ucf引腳約束文件也沒有提供，請問這些信息應該從哪里得到？
2023-08-16 07:02:57
復制Vivado工程路徑vivado_prj\at7.srcs\sources_1\ip\mig_7series_0下的mig_7series_0文件夾。粘貼到仿真路徑testbench\tb_ddr3_cache（新建用于DDR3仿真的文件夾）下。
2023-08-12 11:08:27735 PL341內(nèi)存控制器是一款高性能、面積優(yōu)化的DDR2 SDRAM內(nèi)存控制器，兼容高級微控制器總線架構(AMBA)AXI協(xié)議。
有關AXI協(xié)議的詳細說明，請參閱AMBA AXI協(xié)議規(guī)范。
本節(jié)總結了周期模型的功能與硬件的功能，以及周期模型的性能和準確性。
2023-08-12 06:01:49
PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術，它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512792 xilinx平臺DDR3設計教程之設計篇_中文版教程3
2023-08-05 18:39:58
CoreLink DDR2動態(tài)存儲器控制器(DMC-341)技術參考手冊
2023-08-02 15:28:28
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2023-07-24 09:50:470 DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器”。DDR是一種技術，中國大陸工程師習慣用DDR稱呼用了DDR技術的SDRAM，而在中國臺灣以及歐美，工程師習慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:103362 
DDR3的速度較高，如果控制芯片封裝較大，則不同pin腳對應的時延差異較大，必須進行pin delay時序補償。
2023-07-04 09:25:38312 
這里介紹兩種方式改善帶有ECC的奇數(shù)負載的DDR2信號質量。一種不需要改變拓撲結構，另一種需要對拓撲結構進行調整。
2023-06-15 17:39:34474 
視頻圖形顯示系統(tǒng)理想的架構選擇。視頻處理和圖形生成需要存儲海量數(shù)據(jù)，F(xiàn)PGA內(nèi)部的存儲資源無法滿足存儲需求，因此需要配置外部存儲器。 ??? 與DDR2 SDRAM相比，DDR3 SDRAM帶寬更好高、傳輸速率更快且更省電，能夠滿足吞吐量大、功耗低的需求，因此
2023-06-08 03:35:011024 我正在嘗試基于 LS1028ARDB 評估板開發(fā)定制板。
在我擁有的定制板中，我們已將 DDR4 替換為 DDR3。
我已經(jīng)看到 DDR3 正在使用自定義 RCW + PBI 工作。所以現(xiàn)在我想要
2023-06-01 09:03:54
）DDR3 IP 文件：6_IP_setup_packet\\\\DDR3\\\\ipsxb_hmic_s_v1_4
（2）IP 安裝步驟：1_Demo_document\\\\工具使用篇
2023-05-31 17:45:39
我正在使用帶有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 連接到 T1040 處理器 DDR 控制器。
我嘗試了這個序列，但未能成功生成 DDR 地址奇偶校驗錯誤：
步驟1：
ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03
、時序和可編程參數(shù)。DFI 適用于所有 DRAM 協(xié)議，包括 DDR4、DDR3、DDR2、DDR、LPDDR4、LPDDR3、LPDDR2 和 LPDDR。
2023-05-26 15:27:314566 
以下步驟完成：
（1）DDR3 IP 文件：6_IP_setup_packet\\\\DDR3\\\\ipsxb_hmic_s_v1_4
（2）IP 安裝步驟：1_Demo_document
2023-05-19 14:28:45
你好 ：
專家，我們想使用S32R45和DDR3，你能幫我在哪里找到示例項目或用例嗎？
2023-05-17 08:13:46
內(nèi)存是數(shù)據(jù)中心、服務器以及個人計算機等技術發(fā)展的重要組成。目前內(nèi)存的發(fā)展是由DDR技術路線引導，TE Connectivity(以下簡稱“TE”)經(jīng)歷了DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的迭代
2023-05-06 17:33:421392 
在 i.MX6 SOLO 中有沒有辦法讀取芯片 DDR3 的大小？
2023-05-06 07:04:11
IC CONV DDR DDR2 DDR3
2023-04-06 19:44:54
IC MUX/DEMUX DDR3 1:2 42WQFN
2023-04-06 11:36:35
DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場，直接學習DDR3 SDRAM感覺有點跳躍；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對比。
2023-04-04 17:08:472867 
IP CORE DDR2 SDRAM XO2
2023-03-30 12:02:09
SITE LICENSE IP CORE DDR3 ECP3
2023-03-30 12:02:09
SITE LICENSE DDR2 SDRAM ECP3
2023-03-30 12:01:46
SITE LICENSE DDR2 SDRAM ECP2
2023-03-30 12:01:46
SITE LICENSE DDR2 SDRAM ECP2M
2023-03-30 12:01:46
SITE LICENSE DDR3 SDRAM ECP3
2023-03-30 12:01:46
IP CORE DDR2 SDRAM XO2
2023-03-30 12:01:19
IP CORE DDR3 PHY ECP3 USER CONF
2023-03-30 12:01:19
IP CORE DDR2 SDRAM CTLR ECP2M
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IP CORE DDR2 SDRAM CTLR ECP3
2023-03-30 12:01:16
IP CORE DDR2 SDRAM CTLR ECP2
2023-03-30 12:01:16
IP CORE DDR2 SDRAM CTLR SC/SCM
2023-03-30 12:01:16
IP CORE DDR3 SDRAM CTLR ECP3
2023-03-30 12:01:16
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