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兆易創新一季營收歷史新高達5.42億 MCU可維持60%年復合增長率

電子工程師? 2018年04月30日 17:49 ? 次閱讀

我們看到了一季度財務業績低于預期的情況(營收,經營性業績強勁),也看到了一些有趣的地方,但仍然給予樂觀的預期。在于公司基本面堅挺以及合肥項目的高度可期。誠然,國內fab廠建設具有微妙的中國特色,又有些許坎坷,但基于密切的產業鏈跟蹤和研究我們認為合肥長鑫可以做到。40年前日本做到了,30年前韓國做到了,我們大陸也可以做到。另文末附長鑫存儲技術有限公司董事長王寧國在【國家集成電路重大專項走向安徽】演講。

兆易創新一季報點評與506項目進度匯報:匯兌影響較大,后續看NOR結構改善與SLC NAND起量,合肥項目進展順利。

公司公告:

一季報營收5.42億元,同比增長19.71%,歸母凈利潤0.89億元,同比增長28.55%,扣非后歸母凈利潤0.84億,同比增長30.19%。公司Q1毛利率38.24%,同比提高8.48個百分點,環比降低2.34個百分點。

我們的觀點:

(1)由于非經因素影響歸母凈利潤略低于預期,但是經營業績強勁,營收環比提升。

從營收來看公司創了一季度歷史新高,達5.42億元,環比也提升5.63%??紤]一季度淡季因素影響略超預期。主要原因在于SLC NAND起量(一季度營收超過1000萬美金)和NOR產能釋放(去年同期產能嚴重不足,庫存幾乎全部清光)。我們認為隨著SLC產能進一步釋放與NOR庫存釋放,未來逐季度營收會繼續走高。

我們首先看到公司一季度管理費用率和財務費用率分別為12.06%和4.62%,同比分別明顯提升3.75個百分點與4.21個百分點,二者合計降低公司業績預計0.39億,而財務費用率的提升主要因為美元匯率在2018Q1繼續走弱,管理費用率提升因為非經性特殊事項與研發、股權激勵兩項費用增多所引起。因此我們認為這0.39億屬于非經營性虧損,加回后公司經營性歸母凈利潤1.28億,同比增長84.20%,經營性業績強勁且符合預期。

公司毛利率18Q1 38.24%,環比下降2.34個百分點,我們認為主要是因為NOR價格一季度疲軟和匯率因素的影響。雖然公司收入和成本都以美元結算,但是由于NOR生產封測周期長達4個月(僅放置周期即有半個月以上),因此出現了收入端和成本端的匯率時間敞口不匹配的問題。我們測算匯率因素影響毛利率2.3個百分點(旺宏18Q1因為美元貶值毛利率下滑1個百分點)。除了匯率因素影響外,NOR低容量18Q1價格下滑也是一個原因,16M及以下產品價格跌回了去年一季度的水平,而公司目前中低容量市場產品有一定占比(尤其是旺宏等臺系在放棄這部分市場),預計這部分影響公司毛利率1個百分點略高的毛利率水平。

(2)各業務趨勢向好,未來幾季逐季走高。

2.1 NOR:價格一季度低容量(16M及以下)下滑,Q2仍然有一定壓力但綜合考慮毛利率預計穩定。

由于GIGA 8M和4M兩款COST-DOWN產品推出以及某廠去年底去庫存影響,NOR 16M以下出現了明顯下滑,而32M及以上價格維持。因此正如上文所提及對毛利率產生一定壓力。而我們對后續價格的判斷是Q2可能仍有一定壓力但是Q3/Q4逐季走高,且預計對公司盈利能力影響非常有限。

首先短期來看由于NOR擴產周期主要集中在17Q4/18Q1,而18Q1是季節性淡季因素影響,帶來公司庫存位于歷史高位,因此二季度預計是去庫存周期,可能影響供需格局而對中低容量進一步承壓,但隨著去庫存周期結束以及需求逐季走高,美系退出和臺系轉產因素影響預計Q3開始回暖。且目前產業鏈跟蹤來看Q2降幅有限,且對公司盈利能力影響預計非常有限,主要原因在于臺系龍頭廠商降價意愿較低且NOR產能預計有所縮減、公司代工費降低、16/32M COST-DOWN產品推出三方面因素影響。

首先昨日是旺宏一季度法說會,我們第一時間發布深度跟蹤報告。旺宏領導強調公司預計18Q2 NOR價格維持,而18Q3中高容量預計小幅提升。綜合考慮公司產品結構我們認為該預期積極,且這背后體現的意味我們認為是公司價格策略相對堅挺,龍頭廠商如果采用不降價策略對行業價格穩定有積極影響。

其次公司產品結構和客戶結構持續改善,成本端持續下滑。(1)公司中大容量(64+128+256)預計今年合計占收入60%(主要受益于公司市占率提升,產品升級,PC BIOS應用升級等因素影響),另一方面公司客戶結構改善,華為等大客戶預計將會順利導入,大客戶對公司當然不意味著高盈利,但是大客戶意味著吃產能,對于穩定價格和毛利率很有幫助,預計華為一家對兆易創新NOR的需求達數千片;(2)公司成本端下滑。18Q1代工費下滑預計15%,這一部分對成本的緩解預計二季度才能體現,另一方面是公司16/32M兩款中容量COST-DOWN產品在18Q3將順利推出,考慮到8M/4M兩款產品公司die-size縮小30%,因此預計兩款主力產品的推出將極大降低公司成本。

因此綜合考慮全局,我們認為NOR的情況是產能倍增,產品結構改善、客戶結構改善,成本降低,價格Q2有壓力但是對公司盈利能力影響非常有限,預計毛利率維持或走高。

另外對于NOR周期和成長之爭,我們認為隨著公司256M產品順利推出(以及512M產品通過疊加2顆256M形式賣出),公司將進一步搶占臺系廠商市場(公司一季度在***營收同比大增,而臺系廠商一季度在大陸營收驟降),考慮到公司市占率僅剛過10%,該項業務仍有極大的提升空間(值得一提的是,公司2016年以前一直處于NOR下降周期,但是營收,凈利潤保持著穩健成長)。

2.2 SLC NAND:上半年接近2000片產能,北京產線3000片產能TRY RUN READY。

公司目前SLC以38nm 1Gb為主(2Gb是疊加兩塊1Gb),應用領域包括通訊PON、工業和汽車等高可靠應用領域。由于行業景氣度整體偏高(1Gb價格基本翻了一倍,臺系將一部分NOR產能轉向SLC),預計該部分毛利率將維持40%以上。目前上海中芯國際產能接近2000片,北京中芯國際產線TRY RUN,有3000片產能,Q2底公司正式導入量產。年底SMIC總產能預計上萬片,而兆易創新預計占比超過70%,因此預計2D NAND公司產能年底近7000片,而去年全年平均我們預計公司NOR產能7000片/月,綜合考慮SLC業務毛利率我們認為將顯著提升公司盈利能力。

2.3 MCU:一直以來維持高速成長與高毛利率,未來將會繼續持續。

由于公司產品和ST實現PIN 2 PIN,除了低功耗產品全覆蓋(因此去年共享單車業務公司沒有吃到,但是去年由于共享單車造成了MCU的缺貨),帶來了較好的比價優勢。MCU業務一直維持著較高的增長和毛利率水平,2017年實現收入3億,毛利率47.77%皆創歷史新高。預計2018年該項業務仍然維持60%以上的復合增長和較高的毛利率水平,一季度出貨超過去年三季度水平,全年營收預計8000萬美金+。

從未來市場空間角度公司MCU業務發展空間廣闊,市占率趕超空間極大。公司MCU年年有爆品,前年扭扭車、去年指紋識別、掃地機器人,今年無線充電。而基于cortex 的MCU公司市占率2017年僅為6%,與ST 48%和 NXP 28%差距較大,考慮到150億的MCU大陸市場,公司仍有極強的成長空間,預計2018年及以后公司該項業務超預期概率大。

資料來源:IHS

2.4 EMMC/EMCP:戰略布局部門,資產減值預計將轉回。

該項業務是公司重要戰略布局,因為公司一方面通過合肥長鑫掌握DRAM,另一方面自產 2D NAND,因此未來具備極強的EMMC/EMCP布局能力。2017年該業務貢獻公司較大營收成長。但是因為目前公司NAND產品仍在1Gb,因此仍需采購海外廠商NAND搭配DRAM售出,但是NAND去年的缺貨帶來了DRAM的資產減值損失,根據公司公告2017年因此計提資產減值損失3307萬元。

我們認為考慮到DRAM持續缺貨的緊張態勢(今年大概率仍然缺),該部分業務幾乎確定性轉回,而公司一季度未充分體現,因此帶來未來潛在業績增量空間。另外隨著公司24nm 自產NAND推出,容量提升至36Gb,以及合肥長鑫明年底產能上萬片,公司該項業務營收占比將大幅度提升,戰略意義凸顯。

(3)合肥506項目進展順利,百億級別利潤體量。

根據公開資料,合肥項目總投資1500億,三期打滿50萬片/月產能,一期對應12.5萬片/月產能。目前進入量產準備階段,一切順利,預期7月份設備跑通,第一顆國內自主可控19nm 8Gb DDR4今年產出!明年年底預計產能數萬片并順利推出LPDDR4,2020年規劃2廠,同時2021年開始更先進制程研發。506項目是真真正正面對著700億美金且不斷增長的DRAM市場!

按照一期總產能12.5萬片/月,單片4.6萬塊(1000die,單顆9美元,80%良率)來看對應684億收入體量(漲價周期前對應400億+),百億級別利潤體量。

而對于市場普遍關注的10%良率年底是否可以做到一事,我們的態度是肯定。無論是設計團隊還是制程團隊都是優秀且富有經驗的。同時合肥政府上下一心全力支持,朱總常駐合肥保證項目順利推進。

(4)公司是少數同時具有好業績和大格局的標的,繼續推薦。

我們看到了一季度業績略低于預期的情況(營收,經營性業績強勁),也看到了一些微妙有趣的地方,但仍然給予樂觀的預期。在于公司基本面仍然堅挺以及合肥項目的高度可期。誠然,國內fab廠建設具有有趣的中國特色,又有些許坎坷,但基于密切的產業鏈跟蹤和研究我們認為合肥長鑫可以做到。40年前日本做到了,30年前韓國做到了,我們大陸也可以做到。

對于公司業績,我們暫不改變仍然給予10億預期(經營性業績8億+,思立微和資產減值損失轉會1億+),基于以下三點判斷:(1)公司大客戶導入將極大拉動NOR出貨,帶來營收穩健成長,出貨/庫存比例18Q2開始迅速拉升。(2)SLC NAND Q3規模放量。(3)公司毛利率基本維持。

附錄長鑫睿力集成電路演講

演講人:王寧國(長鑫存儲技術有限公司董事長;睿力集成電路有限公司首席執行官)

1. ? ?重要時間節點

2016年5月6日 項目啟動

2017年3月 開始一廠建設

2018年1月 一廠廠房建設完成

2018年1月 開始設備安裝

2018年底 8Gb DDR4工程樣品(編者注:即10%研發良率通過)

2020年 開始規劃二廠建設

2. ? ?2018專利計劃

截至2017年底,已申請專利354件,2018年計劃申請專利1155件:其中計劃申請元件專利126件、設計專利144件、成像專利224件。計劃至2018年底,申請專利數量總計達到1509件。

3. ? ?睿力自主開發關鍵技術項目

元件:自主開發元件模組規格

設計:設計新的修補線路(E-Fuse),產生自有專利

光罩:自主開發光學鄰近效應修整(OPC, optical proximity correction)

制造:豐富工作經驗的工程師做制程最佳化以快速提升良率,自主開發最有效率的IT系統(大數據分析)

測試:自主開發測試程式(low cost RDBI wafer flow)

4. ? ?全球DRAM黃金追趕期

行業寡占格局:DRAM市場被三星、海力士、美光三家公司壟斷進入寡占市場時代;寡占市場中行業享有類似寡頭的產品售價和毛利水平;近期DRAM廠商良好的盈利表現證明了這個趨勢

應用多元化:DRAM已經由僅限于個人電腦(PC)一個殺手應用擴展到移動終端、服務器、高性能顯卡等多個大型應用領域;多應用市場顯著降低了市場需求波動或萎縮的風險;新市場轉換階段有利于新的行業力量切入。

技術演進接近極限:20納米節點以后技術演進速度放緩;演進收益快速降低;領先廠商的優勢明顯減弱。

5. ? ?總結

(1)經過多年發展,中國集成電路產業已經建立較完整技術體系,產業鏈培育和布局基本完成,如何實現“替代-創新-引領”的轉變是下階段創新工作的主要任務;

(2)在創新發展上,需要“奇正相合”的戰略,一方面要在已有路徑上追趕,在市場上進行正面競爭;同時要尋求新的路徑和戰場,實現創新和引領。

(3)設計/代工和IDM模式要協同而非競爭,關鍵是如何發揮中國市場潛力,提供產品解決方案,進而改變全球集成電路產業格局。

(4)盡快彌補產業鏈短板(裝備、材料、軟件工具),是擺脫受制于人,實現長遠、可持續的自主創新發展的關鍵。這方面無論是政府還是企業都不能短視,不可僥幸,需要視野、格局、勇氣和擔當。

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馬來西亞正齊集團CEO胡光榮表示,非常榮幸能夠在杭州蕭山建設第三代半導體模塊封裝工廠,這是我們集團響....
發表于 2023-10-22 15:11? 403次閱讀
總投資10個億!簽約!年產六萬顆,正齊半導體落地

智融科技“移動電源SOC集成快充協議芯片”榮獲廣...

經過前期的遴選,廣東省工業和信息化廳發布了《2022年廣東省級制造業單項冠軍企業(產品)名單》,珠海....
發表于 2023-10-22 14:18? 291次閱讀
智融科技“移動電源SOC集成快充協議芯片”榮獲廣...

一文了解分子束外延(MBE)技術

HVPE主要是利用生長過程中的化學反應,如歧化反應、化學還原反應以及熱分解反應等實現外延晶體薄膜的制....
發表于 2023-10-22 10:41? 118次閱讀
一文了解分子束外延(MBE)技術

近年來國內PLC技術的進展和市場發展展望

當上世紀80年代PLC進入我國的時候,PLC編程語言的國際標準IEC 61131-3(那時被命名為I....
發表于 2023-10-22 09:30? 301次閱讀
近年來國內PLC技術的進展和市場發展展望

基于單片機的電感電容測量裝置設計

2023電賽C題要求做一個電感電容測量裝置,原本使用FPGA可以很好解決,但是賽題限制必須使用TI的....
發表于 2023-10-21 17:15? 147次閱讀
基于單片機的電感電容測量裝置設計

三極管的工作狀態

全稱應為半導體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放....
發表于 2023-10-21 11:21? 85次閱讀
三極管的工作狀態

二極管的種類

二極管是用半導體材料(硅、鍺等)制成的一種電子器件 在PN結上加上封裝和引線。它具有單向導電性能, ....
發表于 2023-10-21 11:19? 73次閱讀
二極管的種類

PN結的形成和單向導電性詳解

半導體硅和鍺的最外層有四個電子,為處于穩定狀態,每個原子的價電子都要和相鄰原子的價電子配對,形成共價....
發表于 2023-10-21 11:15? 71次閱讀
PN結的形成和單向導電性詳解

全球半導體格局悄然生變

過去幾十年來,半導體制造由中國大陸、韓國和中國臺灣三個地區主導,2021年這三個地區共計占全球市場的....
發表于 2023-10-21 08:11? 174次閱讀
全球半導體格局悄然生變

笙泉MCU在儲能電源中的作用(3): 戶外儲能逆變器

笙泉MCU在儲能電源中的作用(3): 戶外儲能逆變器 儲能電源結構儲能電源拆解后可以分為三塊功能板:前面板、BM...
發表于 2023-07-31 15:18? 126次閱讀
笙泉MCU在儲能電源中的作用(3): 戶外儲能逆變器

USB口或TYPE-C有負載插入時怎么樣能出來一個高低電平通知MCU?

各位高手,請教一個問題。就USB口或TYPE-C有負載插入時怎么樣能出來一個高低電平通知MCU,有什么電路實現。...
發表于 2023-07-31 14:20? 2039次閱讀
USB口或TYPE-C有負載插入時怎么樣能出來一個高低電平通知MCU?

求助,NUC029LAN這塊芯片可以超頻嗎?

最近想用NUC029LAN這塊MCU,但是主頻只有50M,有點低了,不知是否可以像ST那樣進行超頻,如果可以,能超多...
發表于 2023-06-28 08:49? 1898次閱讀
求助,NUC029LAN這塊芯片可以超頻嗎?

如何讀寫MCU FALSH?

我要直接讀寫新唐MCU FALSH,我現在用的MCU是Part number: M453VG6AE 各位朋友,有相關的代碼可以參...
發表于 2023-06-28 07:30? 1263次閱讀
如何讀寫MCU FALSH?

CW32L083不同主頻功耗測試

本文主要介紹CWL083VCT6芯片在不同主頻下的功耗測試方法和測試結果。 1.HSIOSC時鐘 HSIOSC 時鐘由內...
發表于 2023-06-27 16:17? 389次閱讀
CW32L083不同主頻功耗測試

新唐8位單片機MS51FB9AE替換N76E003AT20有什么注意事項?

MS51FB9AE目前是一個很新、高性價比的51 MCU芯片N76E003AT20 也是熱門的單片機,但升級版的MS51FB9A...
發表于 2023-06-27 13:50? 1092次閱讀
新唐8位單片機MS51FB9AE替換N76E003AT20有什么注意事項?

請問MCU硬件延時和軟件延時有什么區別?

在嵌入式項目中,軟件開發基本上都會使用到延時,那么,該用軟件延時還是硬件延時?它們又有什么區別呢?...
發表于 2023-06-27 11:33? 1261次閱讀
請問MCU硬件延時和軟件延時有什么區別?

GD32VF103V-EVAL開發板debug問題求助

使用GD32VF103V-EVAL開發板debug時報了下面錯誤,哪位大哥能指點一下,不勝感激! ...
發表于 2023-06-27 10:06? 379次閱讀
GD32VF103V-EVAL開發板debug問題求助

MCU是不是可以任意IO都可以更新HEX?

請問理論上,MCU是不是可以任意IO都可以更新HEX? ...
發表于 2023-06-27 07:48? 299次閱讀
MCU是不是可以任意IO都可以更新HEX?

求分享新唐M4內核單片機的SWD燒錄協議

現成的都不滿足需求,以前一直都是自己寫上位機燒錄軟件,要根據MCU唯一ID對HEX文件處理后再燒錄,每個芯片都...
發表于 2023-06-27 06:42? 36次閱讀
求分享新唐M4內核單片機的SWD燒錄協議
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