在電子電路設(shè)計(jì)中,開(kāi)始通常假設(shè)元器件在室溫下工作。單片微波集成電路設(shè)計(jì),尤其是,當(dāng)直流電流流過(guò)體積日益縮小的器件時(shí)導(dǎo)致熱量成兩倍,三倍甚至四倍高于室溫,就違反了元器件在室溫下工作的假設(shè)。此種情況下
2019-07-04 06:47:35
功率器、微帶電路元件的構(gòu)成、微帶固體控制電路、微帶混頻器、微帶倍頻器、微帶參量放大器、微波晶體管放大器、微帶參量及微帶電路的測(cè)量、分析微帶參量的一些數(shù)學(xué)方法。
2019-02-14 11:32:14
微波集成電路設(shè)計(jì)Smith圓圖與阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)李芹,王志功東南大學(xué)射頻與光電集成電路研究所
2009-08-24 01:39:22
1、集成電路前段設(shè)計(jì)流程,寫(xiě)出相關(guān)的工具數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)主要分為前端設(shè)計(jì)和后端設(shè)計(jì)兩部分,前端以架構(gòu)設(shè)計(jì)為起點(diǎn),得到綜合后的網(wǎng)表為終點(diǎn)。后端以得到綜合后的網(wǎng)表為起點(diǎn),以生成交付Foundry進(jìn)行流片
2021-07-23 10:15:40
隨著集成電路制造技術(shù)的進(jìn)步,人們已經(jīng)能制造出電路結(jié)構(gòu)相當(dāng)復(fù)雜、集成度很高、功能各異的集成電路。但是這些高集成度,多功能的集成塊僅是通過(guò)數(shù)目有限的引腳完成和外部電路的連接,這就給判定集成電路的好壞帶來(lái)不少困難。
2019-08-21 08:19:10
。集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)是一種方法學(xué),主要解決將某種功能用硅器件實(shí)現(xiàn)時(shí),與硅器件特性 相關(guān)的電學(xué)、電磁學(xué)、幾何學(xué)、光學(xué)等方面的問(wèn)題。集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)的表現(xiàn)形態(tài)可以是一 套設(shè)計(jì)規(guī)則、設(shè)計(jì)流程、IP 以及電子設(shè)計(jì)自
2018-05-04 10:20:43
來(lái)源 電子發(fā)燒友網(wǎng)集成電路設(shè)計(jì)的流程一般先要進(jìn)行軟硬件劃分,將設(shè)計(jì)基本分為兩部分:芯片硬件設(shè)計(jì)和軟件協(xié)同設(shè)計(jì)。芯片硬件設(shè)計(jì)包括:1.功能設(shè)計(jì)階段。設(shè)計(jì)人員產(chǎn)品的應(yīng)用場(chǎng)合,設(shè)定一些諸如功能、操作速度
2016-06-29 11:27:02
什么是集成電路設(shè)計(jì)?集成電路設(shè)計(jì)可以大致分為哪幾類(lèi)?其設(shè)計(jì)流程是如何進(jìn)行的?
2021-06-22 07:37:26
MESFET集成電路應(yīng)用-概述MESFET 集成電路應(yīng)用——概述l 第九講的剩余問(wèn)題高頻模型和性能加工技術(shù)l 單片微波集成電路基本概念微波傳輸帶設(shè)計(jì):分立元件例子臺(tái)面蝕刻;離子注入l 數(shù)字邏輯電路
2009-08-20 18:57:55
讀者使用。 基于砷化鎵(GaAs)技術(shù)的微波單片集成電路(MMlC)具有體積小、性能優(yōu)越的主要特點(diǎn),其應(yīng)用越來(lái)越廣泛。MMIC應(yīng)用的電子系統(tǒng)有:衛(wèi)星通信、相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)、電子戰(zhàn)、以及其他軍事系統(tǒng),同時(shí)
2018-01-24 17:52:01
的考慮、微電子器件基礎(chǔ)、模擬電路基本模塊、負(fù)反饋理論、電路設(shè)計(jì)和保護(hù)電路設(shè)計(jì)等多方面內(nèi)容,以直觀的方式,充分考慮了整體系統(tǒng)目標(biāo)、集成電路開(kāi)發(fā)流程和電路的可靠性,而且各章節(jié)獨(dú)立性較強(qiáng),可以滿(mǎn)足不同讀者的需求
2017-10-27 18:25:56
微波集成電路技術(shù)是無(wú)線系統(tǒng)小型化的關(guān)鍵技術(shù).在毫米波集成電路中,高性能且設(shè)計(jì)緊湊的功率放大器芯片電路是市場(chǎng)迫切需求的產(chǎn)品.
2019-09-11 11:52:04
CMOS模擬集成電路該如何去設(shè)計(jì)?這里有一份CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)手冊(cè)請(qǐng)查收。
2021-06-22 06:27:16
迅速發(fā)展的射頻集成電路為從事各類(lèi)無(wú)線通信的工程技術(shù)人員提供了廣闊的前景。但同時(shí), 射頻電路的設(shè)計(jì)要求設(shè)計(jì)者具有一定的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)和工程設(shè)計(jì)能力。本文總結(jié)的一些經(jīng)驗(yàn)可以幫助射頻集成電路開(kāi)發(fā)者縮短開(kāi)發(fā)周期, 避免走不必要的彎路, 節(jié)省人力物力。
2019-08-30 07:49:43
根據(jù)電壓控制增益電路理論及放大器設(shè)計(jì)原理,設(shè)計(jì)制作了一種基于GaAs工藝的可變?cè)鲆婀β史糯笃?b class="flag-6" style="color: red">單片微波集成電路( MMIC)。采用電路仿真ADS軟件進(jìn)行了原理圖及版圖仿真,研究了增益控制電路在放大器中的位置對(duì)性能的影響。
2021-04-06 08:32:23
` 本帖最后由 gk320830 于 2015-3-4 20:25 編輯
數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)流程設(shè)計(jì)輸入:以電路圖或HDL語(yǔ)言的形式形成電路文件;輸入的文件經(jīng)過(guò)編譯后,可以形成對(duì)電路邏輯模型的標(biāo)準(zhǔn)
2011-11-22 15:57:06
模擬集成電路設(shè)計(jì)精粹 Willy著 570頁(yè) (文件太大壓縮成一個(gè)壓縮包無(wú)法上傳)
2018-09-19 14:45:18
CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì),一共5個(gè)部分
2016-05-15 09:30:43
環(huán)境而將3維電磁仿真功能集成到電路設(shè)計(jì)軟件中的功能。Analyst允許您通過(guò)一次鼠標(biāo)點(diǎn)擊實(shí)現(xiàn)從電路概念到全3維電磁驗(yàn)證的整個(gè)過(guò)程。設(shè)計(jì)效率優(yōu)先在設(shè)計(jì)單片微波集成電路、高密度射頻電路板和多功能射頻模塊
2019-06-27 07:23:13
薄膜電阻應(yīng)用于光通訊、 射頻微波毫米波通訊,如放大、耦合、衰減、濾波等模塊電路。電阻網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用于微波集成電路中,能夠縮小電路板空間,降低元器件成本。薄膜衰減器應(yīng)用于光通訊、微波集成電路模塊,其
2023-03-28 14:19:17
請(qǐng)問(wèn)哪位大佬整理過(guò)模擬射頻
集成電路設(shè)計(jì)的一些基本入門(mén)詞以及專(zhuān)業(yè)解釋?zhuān)?/div>
2021-06-22 07:11:27
求助誰(shuí)有何樂(lè)年《模擬集成電路設(shè)計(jì)與仿真 》的習(xí)題答案?
2021-06-22 06:19:30
AI是如何設(shè)計(jì)微波集成電路的AI能學(xué)會(huì)設(shè)計(jì)集成電路,靠的是一個(gè)“基于聚類(lèi)和異步的優(yōu)勢(shì)行動(dòng)者評(píng)論家算法模型”。文章介紹道,該模型包含兩部分——聚類(lèi)算法和強(qiáng)化學(xué)習(xí)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型。其中,聚類(lèi)算法用來(lái)對(duì)網(wǎng)格化
2019-08-16 07:00:00
cmos射頻集成電路設(shè)計(jì)這本被譽(yù)為射頻集成電路設(shè)計(jì)指南的書(shū)全面深入地介紹了設(shè)計(jì)千兆赫(GHz)CMOS射頻集
2008-09-16 15:43:18312 Wolfspeed 的 CMPA0530002S 是一種基于封裝的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。MMIC 功率放大器在輸入端匹配 50 歐姆
2022-05-17 11:12:58
Cree 的 CMPA0060002F1-AMP 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT) 基于單片微波集成電路 (MMIC)。 GaN具有優(yōu)越的與硅或砷化鎵相比的特性,包括更高
2022-05-17 12:09:15
Wolfspeed 的 CMPA2560025 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子漂移
2022-06-28 10:41:06
Wolfspeed 的 CMPA2560025 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子漂移
2022-06-28 10:46:15
Wolfspeed 的 CMPA2560025 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子漂移
2022-06-28 10:48:03
Wolfspeed 的 CMPA2735015 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。與硅或砷化鎵相比,GaN 具有優(yōu)越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子
2022-06-28 11:22:27
Wolfspeed 的 CMPA2735015 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。與硅或砷化鎵相比,GaN 具有優(yōu)越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子
2022-06-28 11:28:20
Wolfspeed 的 CMPA2735030 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。與硅或砷化鎵相比,GaN 具有優(yōu)越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子
2022-06-28 14:09:52
Wolfspeed 的 CMPA2735030 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。與硅或砷化鎵相比,GaN 具有優(yōu)越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子
2022-06-28 14:12:41
Wolfspeed 的 CMPA2735075 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子漂移
2022-06-28 14:26:31
Wolfspeed 的 CMPA2735075 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子漂移
2022-06-28 14:28:23
Wolfspeed 的 CMPA2735075 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子漂移
2022-06-28 14:30:19
Wolfspeed 的 CMPA2738060 是基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能;包括更高的擊穿電壓
2022-06-29 09:19:52
Wolfspeed 的 CMPA2738060 是基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能;包括更高的擊穿電壓
2022-06-29 09:21:43
Cree 的 CMPA3135060S 是氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT) 基于單片微波集成電路 (MMIC)。 GaN具有優(yōu)越的與硅或砷化鎵相比的特性,包括更高的擊穿率電壓,更高
2022-06-29 09:43:43
Cree 的 CMPA5259080S 是氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT) 基于單片微波集成電路 (MMIC)。 GaN具有優(yōu)越的與硅或砷化鎵相比的特性,包括更高的擊穿率電壓,更高
2022-07-01 10:20:20
Wolfspeed 的 CMP5585030 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子漂移
2022-07-01 10:30:08
Wolfspeed 的 CMP5585030 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子漂移
2022-07-01 10:32:18
Wolfspeed 的 CMP5585030 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子漂移
2022-07-01 10:33:55
Wolfspeed 的 CMPA801B025 是一種基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能;包括更高的擊穿
2022-07-01 11:19:07
Wolfspeed 的 CMPA801B025 是一種基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能;包括更高的擊穿
2022-07-01 11:20:43
Wolfspeed 的 CMPA801B025 是一種基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能;包括更高的擊穿
2022-07-01 11:22:25
Wolfspeed 的 CMPA801B025 是一種基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能;包括更高的擊穿
2022-07-01 11:23:59
MADS-002545-1307 系列超越硅肖特基交叉四極管采用獲得專(zhuān)利的異石微波集成電路 (HMIC?) 工藝制造。HMIC? 電路由硅基座組成,這些基座形成二極管或嵌入玻璃電介質(zhì)中的通孔導(dǎo)體
2022-09-02 09:22:44
CMPA801B030F1氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC) Wolfspeed 的 CMPA801B030 系列 X 波段 MMIC 放大器在 7.9
2022-11-21 18:08:58
微波集成電路(MMIC)是什么意思
單片微波集成電路(MMIC), 有時(shí)也稱(chēng)射頻集成電路(RFIC),它是隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展,特別是離
2010-03-05 10:46:1410923 基于單片微波集成電路的極低噪聲可編程分頻器HMC862LP3E 和HMC905LP3E,非常適用于100MHz~15GHz 的測(cè)試儀器,實(shí)驗(yàn)室系統(tǒng)及各種軍事應(yīng)用的信號(hào)生成模塊。
HMC862LP3E 和HMC90
2010-08-26 08:40:051322 集成電路設(shè)計(jì)流程 集成電路設(shè)計(jì)方法 數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)流程 模擬集成電路設(shè)計(jì)流程 混合信號(hào)集成電路設(shè)計(jì)流程 SoC芯片設(shè)計(jì)流程
2011-03-31 17:09:12380 本內(nèi)容詳細(xì)介紹了集成電路設(shè)計(jì)方法概論
2011-05-23 16:40:51125 集成電路設(shè)計(jì)導(dǎo)論內(nèi)容有數(shù)位電路分析與設(shè)計(jì),集成電路設(shè)計(jì)導(dǎo)論,類(lèi)比電路分析與設(shè)計(jì)等。
2011-08-28 12:06:420 集成電路設(shè)計(jì)的流程一般先要進(jìn)行軟硬件劃分,將設(shè)計(jì)基本分為兩部分:芯片硬件設(shè)計(jì)和軟件協(xié)同設(shè)計(jì)。
2011-10-28 09:48:3723405 MESFET 集成電路應(yīng)用概述 l 第九講的剩余問(wèn)題 高頻模型和性能 加工技術(shù) l 單片微波集成電路 基本概念 微波傳輸帶設(shè)計(jì):分立元件 例子 臺(tái)面蝕刻;離子注入 l 數(shù)字邏輯電路 使用耗盡型
2011-10-28 17:00:1720 毫米波單片微波集成電路(MMIC)在軍事和航天系統(tǒng)中已經(jīng)使用很多年了,并且,在過(guò)去的十年中,人們已經(jīng)開(kāi)發(fā)了其商業(yè)化應(yīng)用 - 例如,在通訊和車(chē)用雷達(dá)中的應(yīng)用。集成電路技術(shù)(I
2011-12-29 15:35:2685 第一章 微波集成電路傳輸線 第二章 微波集成電路的主要元件 第三章 微波集成電路的貼氧體器件 第四章 微波集成電路的濾波器 第五章 阻抗變換器、耦合器和功率分配器 第六章 微波
2013-09-12 17:31:57399 CMOS射頻集成電路設(shè)計(jì)介紹。
2016-03-24 17:15:113 微波爐定時(shí)器集成電路的設(shè)計(jì),有興趣的同學(xué)可以下載學(xué)習(xí)
2016-05-03 16:36:470 集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ),有需要的朋友下來(lái)看看。
2016-07-20 16:40:290 中國(guó)集成電路大全-微波集成電路
2017-03-01 21:57:050 當(dāng)前,微波單片集成電路已經(jīng)在各類(lèi)高技術(shù)裝備中得到了廣泛的應(yīng)用,例如電子戰(zhàn)系統(tǒng)、戰(zhàn)術(shù)導(dǎo)彈、通信系統(tǒng)等。電路系統(tǒng)作為相控陣?yán)走_(dá)的基礎(chǔ),電路組件的各個(gè)指標(biāo)均會(huì)對(duì)雷達(dá)技術(shù)的發(fā)展造成影響,性能指標(biāo)也影響著雷達(dá)
2018-01-26 14:37:268 鰭式場(chǎng)效晶體管集成電路設(shè)計(jì)與測(cè)試 鰭式場(chǎng)效晶體管的出現(xiàn)對(duì) 集成電路 物 理設(shè)計(jì)及可測(cè)性設(shè)計(jì)流程具有重大影響。鰭式場(chǎng)效晶體管的引進(jìn)意味著在集成電路設(shè)計(jì)制程中互補(bǔ)金屬氧化物( CMOS )晶體管必須被建模成三維(3D)的器件,這就包含了各種復(fù)雜性和不確定性。
2018-05-25 09:26:005102 在雄安新區(qū)布局建設(shè)國(guó)家實(shí)驗(yàn)室、國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、工程研究中心等一批集成電路領(lǐng)域國(guó)家級(jí)創(chuàng)新平臺(tái),努力打造全球集成電路創(chuàng)新高地。石家莊重點(diǎn)發(fā)展微波集成電路設(shè)計(jì)、射頻集成電路設(shè)計(jì)等,打造全國(guó)領(lǐng)先的專(zhuān)用集成電路設(shè)計(jì)制造基地。
2018-05-25 15:46:464864 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是微波元器件和微波集成電路的學(xué)習(xí)課件免費(fèi)下載主要內(nèi)容包括了:微波無(wú)源元器件,微波有源元器件,微波集成電路簡(jiǎn)介
2018-10-31 08:00:000 創(chuàng)天科技、清華大學(xué)、西安電子科技大學(xué)和杭州電子科技大學(xué)剛剛聯(lián)合發(fā)布的一篇論文,提出了一種新的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)架構(gòu),讓AI在不聲不響間,又掌握了新的技能:設(shè)計(jì)微波集成電路。
2019-01-28 10:43:094819 中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)的狀況分析閔鋼摘要:自“十二五”以來(lái),中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)持續(xù)快速發(fā)展。2017 年中國(guó)集成
2019-03-16 10:36:107607 集成電路設(shè)計(jì),亦可稱(chēng)之為超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì),是指以集成電路、超大規(guī)模集成電路為目標(biāo)的設(shè)計(jì)流程。集成電路設(shè)計(jì)涉及對(duì)電子器件(例如晶體管、電阻器、電容器等)、器件間互連線模型的建立。所有的器件和互連
2019-03-18 14:09:0523003 近年來(lái),無(wú)線通信、汽車(chē)電子和國(guó)防電子的發(fā)展使電子行業(yè)對(duì)高頻系統(tǒng)的需求快速增長(zhǎng)。與單片微波集成電路(MMIC)的持續(xù)發(fā)展相呼應(yīng),混合微波集成電路(HMIC)的新材料和新工藝也有了很大發(fā)展。本書(shū)首先
2019-06-06 08:00:000 芯片設(shè)計(jì)包含很多流程,每個(gè)流程的順利實(shí)現(xiàn)才能保證芯片設(shè)計(jì)的正確性。因此,對(duì)芯片設(shè)計(jì)流程應(yīng)當(dāng)具備一定了解。本文將講解芯片設(shè)計(jì)流程中的數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)、模擬集成電路設(shè)計(jì)和數(shù)模混合集成電路設(shè)計(jì)三種設(shè)計(jì)流程。
2019-08-17 11:26:1615658 AI能學(xué)會(huì)設(shè)計(jì)集成電路,靠的是一個(gè)“基于聚類(lèi)和異步的優(yōu)勢(shì)行動(dòng)者評(píng)論家算法模型”。文章介紹道,該模型包含兩部分——聚類(lèi)算法和強(qiáng)化學(xué)習(xí)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型。其中,聚類(lèi)算法用來(lái)對(duì)網(wǎng)格化的集成電路的設(shè)計(jì)動(dòng)作進(jìn)行劃分
2020-10-20 10:42:001 在電子電路設(shè)計(jì)中,開(kāi)始通常假設(shè)元器件在室溫下工作。單片設(shè)計(jì),尤其是,當(dāng)直流電流流過(guò)體積日益縮小的器件時(shí)導(dǎo)致熱量成兩倍,三倍甚至四倍高于室溫,就違反了元器件在室溫下工作的假設(shè)。此種情況下會(huì)對(duì)設(shè)計(jì)工
2020-09-10 10:46:000 集成電路設(shè)計(jì):該專(zhuān)業(yè)學(xué)生主要學(xué)習(xí)電子信息類(lèi)基本理論和基本知識(shí),重點(diǎn)接受集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)方面的基本訓(xùn)練,具有分析和解決實(shí)際問(wèn)題等方面的基本能力。
2020-07-13 08:56:0924683 芯片設(shè)計(jì)包含很多流程,每個(gè)流程的順利實(shí)現(xiàn)才能保證芯片設(shè)計(jì)的正確性。因此,對(duì)芯片設(shè)計(jì)流程應(yīng)當(dāng)具備一定了解。本文將講解芯片設(shè)計(jì)流程中的數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)、模擬集成電路設(shè)計(jì)和數(shù)模混合集成電路設(shè)計(jì)三種設(shè)計(jì)流程
2020-10-30 17:13:49683 優(yōu)化電子產(chǎn)品, PCBA 和組件的尺寸,重量和功率或 SWaP 是航空航天系統(tǒng)開(kāi)發(fā)的主要方向。對(duì)這一目標(biāo)的追求導(dǎo)致人們?cè)絹?lái)越喜歡和使用光學(xué)電子與分立電路相反的是單片微波集成電路( MMIC
2020-11-06 20:04:052653 集成電路設(shè)計(jì)(Integrated circuit design, IC design),亦可稱(chēng)之為超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)(VLSI design),是指以集成電路、超大規(guī)模集成電路為目標(biāo)的設(shè)計(jì)流程
2021-02-18 16:31:234255 模擬集成電路設(shè)計(jì)說(shuō)明。
2021-03-22 13:54:2848 集成電路設(shè)計(jì)概述說(shuō)明。
2021-04-09 14:10:5637 CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)(第二版)
2021-12-06 09:56:240 模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)(拉扎維)pdf
2021-12-06 10:05:050 中國(guó)最具規(guī)模和影響力的集成電路設(shè)計(jì)業(yè)盛會(huì)——ICCAD 2021中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)年會(huì)隆重召開(kāi)。
2022-01-10 16:26:251532 《模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)》.pdf
2022-01-20 10:02:300 CMOS集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)免費(fèi)下載。
2022-03-03 10:06:120 四款新型多極碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)單片微波集成電路(MMIC)器件。進(jìn)一步擴(kuò)展射頻(RF)解決方案范圍,適用于包括海事、氣象監(jiān)測(cè)和新興的無(wú)人機(jī)系統(tǒng)雷達(dá)等在內(nèi)的脈沖和連續(xù)波 X-波段相控陣應(yīng)用。
2023-02-10 11:14:50496 單片微波集成電路(MMIC),有時(shí)也稱(chēng)射頻集成電路(RFIC),它是隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展,特別是離子摻入控制水平的提高和晶體管自我排列工藝的成熟而出現(xiàn)的一類(lèi)高頻放大器件。在這類(lèi)器件中,作為反饋
2023-05-04 15:28:293372 HMC8192LG——無(wú)源、寬頻、同相/正交(I/Q)、單片微波集成電路(MMIC)混頻器。
既可作為接收器操作的圖像抑制混頻器,也能夠作為單邊帶的混頻器。
2023-05-23 12:51:19527 目前高功率砷化鎵基單片微波集成電路(MMICs)已廣泛應(yīng)用于軍事、無(wú)線和空間通信系統(tǒng)。使用連接晶片正面和背面的襯底通孔,這些MMICs的性能顯著提高。
2023-07-13 15:55:02369 EDA有著“芯片之母”稱(chēng)號(hào),一個(gè)完整的集成電路設(shè)計(jì)和制造流程主要包括工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)、集成電路設(shè)計(jì)和集成電路制造三個(gè)階段,三個(gè)設(shè)計(jì)與制造的主要階段均需要對(duì)應(yīng)的EDA工具作為支撐。
2023-09-28 14:31:23897
評(píng)論
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