LTE器件市場正在迅速增長，而且，它對射頻前端（RFFE）性能的要求是前所未有的。ABI研究公司預測，在2014年，LTE訂購量將達到3.752億，在2015年，將增加60%，上升到5.889億。該公司的研究簡報“明天的互聯世界：2014和2015年預測中也指出，LTE和其他連接器件功能的增強，將推動“全球一年的4G移動網絡數據流量在2014年增加一倍以上，達到12.4艾字節。越來越多的頻段加上載波聚合的實施，支持數據量增長的需求，但是，與先前各代的移動無線比較，這極大地增大了射頻前端的復雜程度。保守地說，即將出現的射頻前端系統中，射頻前端的可能狀態的數量（參見圖1）將增加5000倍以上。頻段、不同的調制方案、功率放大器模式、天線調諧狀態和下行鏈路載波的數量越來越多，把這些相乘起來，便得到射頻前端復雜程度增大5000倍的結果。由于射頻前端如此復雜，現在，產業界需要真正的可重構射頻前端。

困難重重：一個全球通的用SKU射頻前端包含收發器輸出和天線之間的所有元件。傳統上，它一直是由眾多不同廠商，在迥然不同的技術混合使用的基礎上，獨立設計的一組產品。移動數據的需求推動著頻段的大量增加，以及LTE和載波聚合這些先進的技術，在此之前，這是可以接受的解決方案。今天，市場的要求更多，但是，OEM廠商受到現有射頻前端技術的限制，不能提供一個可以在全球所有地區使用的參考設計──只需要一個全球通用的SKU的設計。

我們來看看蘋果公司最近推出的iPhone 5S，它里面有5個SKU ，以適應不同區域的需要。我們的研究表明，這些器件之間唯一明顯的區別是射頻前端包含的東西。在最近，我們與行業中領先的分析公司一起討論。我們的討論證實了這些研究結果。參加討論的領先公司是Gartner公司，IHS iSuppli公司和Strategy Analytics公司。假如有一項技術可以供蘋果公司使用，推出一種iPhone，它用一個SKU就能滿足全球的需要，試想一下，在設計、驗證、制造以及供應商管理和存貨管理等方面，能省下多少成本。使用現有的CMOS射頻開關和天線調諧器加上GaAs功率放大器（PA ）的混合型射頻前端，不可能提高芯片的集成程度。現在，射頻前端的復雜程度呈指數般地上升，集成是關鍵。一些公司試圖通過開發復雜的多芯片模塊，逐漸地作出改進，來解決這個問題，但是在技術上受到了限制。只有真正的可重構射頻前端能夠做到一個SKU，全球通用，而且，只有整個系統使用CMOS技術，才有可能實現可重構的射頻前端。

CMOS的優點

二十五年來，Peregrine半導體和它的創辦人一直在射頻SOI領域領先，并且有一個愿景，這就是在CMOS的基礎上，做出一個集成射頻前端。CMOS設計的好處包括，有很多CMOS工廠，工藝控制十分嚴格，能夠把各種功能集成在一塊硅片上，其中包括調諧功能和控制功能。Peregrine半導體公司的ltraCMOS ® 10技術平臺在2013年10月問世，它使用130納米的RF-SOI技術，把射頻應用的性能提高了一倍──它的Ron* Coff是有競爭力的解決方案的一半（見圖2 ）。

Peregrine半導體的UltraCMOS®Global 1系統

UltraCMOS10平臺在性能和設計兩方面都有很大提高，Peregrine半導體公司充份發揮它的長處，做出來第一個可重構的射頻前端系統，它能夠做到一個SKU，全球通用。這個射頻前端稱作UltraCMOS Global 1，它可以擴展，通過低損耗的開關和調諧之間的高度隔離，可以很容易做到支持數量更多的頻段，從而解決互操作問題，并以數字控制的方式，適應所有的模式和頻段，最重要的是，功率放大器的性能和GaAs功放相當。

Peregrine半導體的UltraCMOS®Global 1系統（見圖3）包含：• 3路、多模式、多頻段功率放大器• 功放后面的開關• 天線開關• 天線調諧器• 支持包絡跟蹤• 通用的射頻前端MIPI接口

行業中第一個達到GaAs功放性能的CMOS功放

在以前，沒有一家廠商能夠提供性能和GaAs功率放大器相當的CMOS功率放大器，這樣，在LTE領域，CMOS功放不會有競爭。在這個領域，在性能方面的任何下降，都是不可以接受的。UltraCMOS®Global 1系統把Peregrine的成熟的、最好的射頻開關和調諧器與第一個CMOS功率放大器緊密無間地整合在一起，達到GaAs功率放大器的性能。性能達到這個水平的功放，不需要增強包絡跟蹤，也不需增大數字預失真，在比較CMOS功放和GaAs功放的性能時，往往用這種方法。