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TSV 指 Through Silicon Via，硅通孔技術，是通過硅通道垂直穿過組成堆棧的不同芯片或不同層實現不同功能芯片集成的先進封裝技術。TSV 主要通過銅等導電物質的填充完成硅通孔的垂直電氣互連，減小信號延遲，降低電容、電感，實現芯片的低功耗、高速通信，增加帶寬和實現器件集成的小型化需求。...
金絲鍵合技術是微電子領域的封裝技術，一般采用金線，利用熱、壓、超聲共同作用，完成微電子器件中電路內部連接，即芯片和電路或者引線框架之間的互連。本文在深入了解鍵合機理后，選用 25μm 金絲，基于正交試驗方法，研究鍵合壓力、超聲功率、鍵合時間等參數對楔焊鍵合及球焊鍵合后金絲拉力及焊點形貌的影響，根據鍵...
半導體封裝方法，大致可以分為兩種：傳統封裝和晶圓級（Wafer-Level）封裝。傳統封裝首先將晶圓切割成芯片，然后對芯片進行封裝；而晶圓級封裝則是先在晶圓上進行部分或全部封裝，之后再將其切割成單件。...
芯片上的集成，封裝內的集成，PCB板級集成，是電子集成的三個層次。每一個層次的集成，都分為不同的環節。這篇文章，我們從層次-Level和環節-Step兩個方面來剖析現代電子集成技術。...
NPI是New Product Introduction的英文縮寫，意思是“新產品導入”。NPI工藝工程師主要職責是：制工接單；分析可行性；分派任務給零件單位；零件單位設計模具；給模具廠加工；完后試制零件給裝配；裝配后送樣給客戶；OK就量產；NG就對制程進行改良或與客戶商量改變。...
光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？...
基本焊接條件：熱壓超聲波焊接用于金線鍵合，所需的溫度、壓力、超聲波功率及時間視不同機型、不同材料有很大不同，具體根據機型、材料特性科學設定。...
封裝材料大致可分為原材料和輔助材料。原材料是構成封裝本身的一部分，直接影響著產品的質量和可靠性。而輔助材料則不屬于產品的本身構成部分，它們僅在封裝過程中使用，隨后將被移除。...
而增材制造之所以被稱作劃時代的技術，是因為它更像是“搭積木”的過程，用粉末狀的材料為原料，通過逐層打印的方式來構造我們需要的物體。...
納米壓印是微納工藝中最具發展潛力的第三代光刻工藝，是最有希望取代極紫外光的新一代工藝。最近，海力士公司從佳能購買了一套奈米壓印機，進行了大規模生產，并取得了不錯的效果。...
中國5G、云計算、人工智能、工業互聯網等數字科技突飛猛進，為數字經濟廣泛輻射滲透提供了關鍵驅動力量，正在不斷顛覆和重塑著傳統制造模式、生產組織方式和產業形態。...
在芯片制程中，互連、接觸、通孔和填充是常見術語，這四個術語代表了金屬化中不同的連接方式。那么互連、接觸、通孔和填充塞分別代表了什么？有什么作用呢？...
如何對系統和組件進行可靠的封裝是微系統工業面臨的主要挑戰，因為微系統的封裝技術遠沒有微電子封裝技術成熟。微系統封裝在廣義上講有三個主要的任務：裝配、封裝和測試，縮寫為AP&T. AP&T在整個生產成本中占有很大的比例。...
實現Chiplets封裝集成的動機有很多。為了滿足不斷增長的性能需求，芯片面積不斷增加，有些設計甚至會超出掩模版面積的限制，比如具有數百個核心的多核 CPU，或扇出非常大的交換[曹1] 電路（Switch）。...
摩爾定律到底是什么，封裝技術和摩爾定律到底有什么關系？1965年起初，戈登·摩爾表示集成電路上可容納的元器件數量約18個月便會增加一倍，后在1975年將這一定律修改為單位面積芯片上的晶體管數量每兩年能實現翻番。...
在設計過程的早期階段，需要參與系統和封裝的分析，將設計劃分為各種芯片片段，并評估在計算、數據傳輸和制造成本方面的必要權衡。設計和驗證工具（例如SystemVerilog）需要整合封裝設計和規劃知識，以支持協同設計工作流程。...
隨著工藝節點不斷變小，掩模版制造難度日益增加，耗費的資金成本從數十萬到上億，呈指數級增長，同時生產掩模版的時間成本也大幅增加。如果不能在制造掩模版前就保證其設計有足夠高的品質，重新優化設計并再次制造一批掩模版將增加巨大的資金成本和時間成本。...
工業 4.0 工廠幾乎在每個制造過程中都將電子控制和監控與有線或無線連接相結合。在多數情況下，需要將電子模塊安裝到狹小空間內，而這些空間最初并非出于容納設計，因此極其緊湊的電子模塊必不可少。...
均勻性是衡量工藝在晶圓上一致性的一個關鍵指標。比如薄膜沉積工序中薄膜的厚度；刻蝕工序中被刻蝕材料的寬度，角度等等，都可以考慮其均勻性。...
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