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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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車規(guī)級(jí)SiC供應(yīng)商桑德斯與世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺(tái)達(dá)成協(xié)議

桑德斯微電子器件(南京)有限公司與世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺(tái)達(dá)成協(xié)議,授權(quán)世強(qiáng)代理旗下碳化硅(SiC)、二級(jí)管等產(chǎn)品代理。

2022-02-24 標(biāo)簽:晶圓SiC碳化硅 1621 0

SiC功率技術(shù)現(xiàn)狀和大規(guī)模商業(yè)化的障礙

硅 (Si) 功率器件由于其低成本的批量生產(chǎn)、出色的起始材料質(zhì)量、易于制造和經(jīng)過驗(yàn)證的可靠性而在電力電子領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。盡管硅功率器件不斷改進(jìn),但它們...

2022-02-24 標(biāo)簽:元器件SiCGaN 2166 0

OBC企業(yè)要如何采用碳化硅器件

國(guó)產(chǎn)碳化硅上車首先是技術(shù)過硬,目前,多家國(guó)產(chǎn)企業(yè)的SiC MOSFET技術(shù)實(shí)力已經(jīng)是實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先。以愛仕特為例,據(jù)李潤(rùn)華介紹,愛仕特自主設(shè)計(jì)的第三代6英寸S...

2022-02-24 標(biāo)簽:封裝SiC碳化硅 1982 0

意法半導(dǎo)體推出新雙通道電流隔離柵極驅(qū)動(dòng)器

意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間,簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。

2022-02-17 標(biāo)簽:開關(guān)電路半導(dǎo)體SiC 2172 0

從工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用看各家不同的IGBT驅(qū)動(dòng)水準(zhǔn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))驅(qū)動(dòng)這個(gè)話題一直是我們重點(diǎn)關(guān)注的領(lǐng)域,在眾多驅(qū)動(dòng)中,IGBT的驅(qū)動(dòng)肯定是極具話題性的一類。IGBT驅(qū)動(dòng)可以說直接決定了IG...

2022-02-16 標(biāo)簽:IGBT功率器件SiC 2628 0

意法半導(dǎo)體雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化并簡(jiǎn)化SiC和IGBT開關(guān)電路

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2022-02-15 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體IGBTSiC 1388 0

SiC高溫退火刻蝕的各向異性實(shí)驗(yàn)報(bào)告

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我們研究了高溫退火法對(duì)4h-SiC蝕刻形狀的轉(zhuǎn)變。雖然蝕刻掩模是圓形的,但蝕刻的形狀是六邊形、十二邊形或十八邊形,這取決于蝕刻面積的大小(圖。 1).六...

2022-02-09 標(biāo)簽:實(shí)驗(yàn)SiC蝕刻 1119 0

安森美提供哪些車規(guī)級(jí)SiC產(chǎn)品

為了使汽車行得更遠(yuǎn),更安全和智能,以提升駕乘體驗(yàn),安森美一直在創(chuàng)新之路前行,以先進(jìn)的碳化硅(SiC)、超級(jí)結(jié)MOSFET、模塊封裝技術(shù)等智能電源技術(shù)推動(dòng)...

2022-01-27 標(biāo)簽:電氣逆變器SiC 2022 0

環(huán)旭電子預(yù)計(jì)在2022量產(chǎn)電動(dòng)車用逆變器使用的IGBT與SiC電源模塊

搭配電動(dòng)車市場(chǎng)的快速成長(zhǎng),近年環(huán)旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開始布局切入功率半導(dǎo)體國(guó)際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測(cè)試,近期獲得相當(dāng)多...

2022-01-10 標(biāo)簽:電動(dòng)車逆變器IGBT 881 0

國(guó)內(nèi)首條!基本半導(dǎo)體汽車級(jí)碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線正式通線

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12月30日,基本半導(dǎo)體位于無錫市新吳區(qū)的汽車級(jí)碳化硅功率模塊制造基地正式通線運(yùn)行,首批碳化硅模塊產(chǎn)品成功下線。這是目前國(guó)內(nèi)第一條汽車級(jí)碳化硅功率模塊專...

2021-12-31 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率模塊 3124 0

第16屆“中國(guó)芯”-寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)成功舉辦

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大會(huì)同期舉辦了面向?qū)捊麕О雽?dǎo)體領(lǐng)域的“寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)”。峰會(huì)以“創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用,推動(dòng)后摩爾時(shí)代發(fā)展”為主題,邀請(qǐng)了英諾賽科科技有限公司、蘇...

2021-12-23 標(biāo)簽:中國(guó)芯SiC氮化鎵 2318 0

國(guó)內(nèi)SiC MOSFET再添猛將!車規(guī)功率器件應(yīng)用落地

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠)碳化硅具有低導(dǎo)通電阻、高轉(zhuǎn)換效率的特性,與硅基材料相比碳化硅在高頻、高壓、高溫等應(yīng)用場(chǎng)景更具優(yōu)勢(shì)。碳化硅的電氣特性可滿足新能...

2021-12-23 標(biāo)簽:SiC華潤(rùn)微電子派恩杰 8176 0

電動(dòng)汽車市場(chǎng)對(duì)SiC器件的需求與日俱增

因?yàn)槠漕I(lǐng)先的性能優(yōu)勢(shì),電動(dòng)汽車市場(chǎng)對(duì) SiC 器件的需求與日俱增。

2021-12-22 標(biāo)簽:晶圓逆變器SiC 1900 0

Qorvo收購碳化硅功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC

Qorvo 已收購了總部位于新澤西州普林斯頓的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體制造商 United Silicon Carbide (UnitedSiC)...

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自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后,全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。

2021-12-08 標(biāo)簽:新能源汽車功率器件SiC 1849 0

SiC和GaN功率器件能夠在電子界唱主角有什么原因

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如今,越來越多的汽車制造商涉足電動(dòng)汽車 (EV) 開發(fā),但是電動(dòng)汽車的駕程過短卻始終是個(gè)問題。盡管采用空氣動(dòng)力學(xué)設(shè)計(jì)、更輕質(zhì)的材料、更高效的功耗等方法確...

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國(guó)內(nèi)家電市場(chǎng)年需電機(jī)超10億臺(tái) BLDC電機(jī)滲透率有望持續(xù)提升

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/程文智)隨著高能效電機(jī)在汽車、農(nóng)業(yè)、空調(diào)和洗衣機(jī)等領(lǐng)域的廣泛使用,全球的電機(jī)市場(chǎng)得到了很大的增長(zhǎng)。據(jù)MarketsandMarke...

2021-11-21 標(biāo)簽:SiCGaN寬禁帶半導(dǎo)體 2676 0

SK海力士入股泰科天潤(rùn) SiC晶圓成各大廠必爭(zhēng)之地

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)近日,有消息稱SK海力士無錫投資公司參與了SiC晶圓廠泰科天潤(rùn)的D輪融資,成功入股泰科天潤(rùn)。SK集團(tuán)本身具備SiC晶圓廠,...

2021-11-15 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車晶圓SiC 2195 0

SiC需求爆發(fā) 賽道正式開啟國(guó)內(nèi)企業(yè)迅速就位

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠)功率器件從硅基向碳化硅的轉(zhuǎn)型,成為了半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域快速發(fā)展的一個(gè)縮影,對(duì)整個(gè)電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重大的影響。 碳化硅功...

2021-11-13 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 1795 0

WBG材料讓設(shè)計(jì)人員選擇適合設(shè)計(jì)目標(biāo)的方案

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2021-11-11 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC 1765 0

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    TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡,經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話,主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)(步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng))主要產(chǎn)品包括芯片,模塊和系統(tǒng)。
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