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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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富昌電子SiC設(shè)計(jì)分享（三）：SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對(duì)比

富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個(gè)性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域...

2022-07-07 標(biāo)簽：新能源汽車 SiC 寄生電容 2697 0

安森美SiC有助于變革性地優(yōu)化UPS設(shè)計(jì)

隨著云計(jì)算、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、5G應(yīng)用和大型設(shè)備的不斷發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)不間斷電源 (UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展，設(shè)計(jì)人員面...

2022-07-05 標(biāo)簽：UPS 安森美 SiC 957 0

安森美的VE-TracTM SiC系列為電動(dòng)車主驅(qū)逆變提供高能效、高功率密度和成本優(yōu)勢(shì)

雙碳目標(biāo)正加速推進(jìn)汽車向電動(dòng)化發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新助力汽車從燃油車過渡到電動(dòng)車，新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)因獨(dú)特優(yōu)勢(shì)將改變電動(dòng)車的未來(lái)，如在關(guān)鍵...

2022-06-28 標(biāo)簽：電動(dòng)車安森美 SiC 943 0

利用數(shù)值模擬軟件構(gòu)建了兩種6英寸SiC單晶生長(zhǎng)模型

碳化硅( SiC) 材料具有禁帶寬度大、飽和電子速度高、臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、熱導(dǎo)率高等特性，其品質(zhì)因子優(yōu)異，在高溫、高頻、大功率及抗輻射領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。

2022-06-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料 SiC GaN 1087 0

SiC MOSFET中Crosstalk波形錯(cuò)誤的原因

在圖1的半橋電路中，動(dòng)作管為下管S1，施加在上管S2的為關(guān)斷驅(qū)動(dòng)信號(hào)，其體二極管處于續(xù)流狀態(tài)。當(dāng)S1進(jìn)行開通時(shí)，其端電壓VDS1下降，則S2開始承受反向...

2022-06-23 標(biāo)簽：MOSFET SiC 串?dāng)_ 1470 0

器件市場(chǎng)復(fù)合年增長(zhǎng)率的增長(zhǎng)情況

隨著這些公司將 SiC 發(fā)展為價(jià)值數(shù)十億美元的業(yè)務(wù)，未來(lái)幾年的競(jìng)爭(zhēng)也可以在供應(yīng)鏈整合中確定。主要參與者選擇了 IDM 商業(yè)模式，碳化硅領(lǐng)域的多次并購(gòu) (...

2022-06-18 標(biāo)簽：SiC 器件 250 0

富昌電子SiC設(shè)計(jì)分享（二）：碳化硅器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)之寄生導(dǎo)通問題探討

作者：富昌電子星空 ??校稿：富昌電子蕭峰 ? 富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個(gè)性化的解決方...

2022-06-16 標(biāo)簽：富昌電子 SiC 驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 10.9萬(wàn) 0

SiC功率元器件在醫(yī)療領(lǐng)域的應(yīng)用

與傳統(tǒng)的硅器件相比，碳化硅(SiC)器件由于擁有低導(dǎo)通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能，已經(jīng)成為下一代低損耗半導(dǎo)體可行的候選器件。并且SiC讓設(shè)計(jì)...

2022-06-15 標(biāo)簽：SiC 羅姆功率元器件 1839 0

2.95億晉升第一大股東！揚(yáng)杰科技收購(gòu)楚微半導(dǎo)體40%股權(quán)，布局SiC業(yè)務(wù)

在業(yè)內(nèi)頻傳并購(gòu)消息時(shí)，揚(yáng)杰科技發(fā)布公告稱，將以公開摘牌方式收購(gòu)楚微半導(dǎo)體40%的股權(quán)，成交價(jià)格為2.95億元。交易完成后，揚(yáng)杰科技將成為楚微半導(dǎo)體的第一...

2022-06-12 標(biāo)簽：功率器件 SiC IDM 3122 0

UnitedSiC第四代技術(shù)提供TO247-4L封裝

UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴(kuò)充了其1200V產(chǎn)品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。

2022-06-06 標(biāo)簽：充電器軟開關(guān)SiC 4542 0

從另一個(gè)維度深入探討充電樁設(shè)計(jì)

PFC控制軟件的總體架構(gòu)如圖2所示。該設(shè)計(jì)的核心是Xilinx的Zynq 7000 SoC，它包含ARM內(nèi)核和FPGA內(nèi)核。Zynq 7000安裝在通用...

2022-06-02 標(biāo)簽：PFC SiC 控制算法 2527 0

第三代半導(dǎo)體制造材料碳化硅性能優(yōu)勢(shì)突出

半導(dǎo)體材料市場(chǎng)空間廣闊，制造材料銷售額占比不斷提高。全球半導(dǎo)體材料銷售額規(guī)模不斷上升，2015 年至 2019 年復(fù)合增長(zhǎng)率為 4.8%；中國(guó)大陸半導(dǎo)體...

2022-06-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1.2萬(wàn) 0

如何優(yōu)化不同SiC功率組件到其最終系統(tǒng)的集成

第二項(xiàng)關(guān)鍵測(cè)試是短路耐受時(shí)間（SCWT），或者說(shuō)軌到軌短路條件下設(shè)備發(fā)生故障前的極長(zhǎng)耐受時(shí)間。測(cè)試結(jié)果應(yīng)接近功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中使用的IGBT，其中大多數(shù)擁有...

2022-05-25 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 789 0

汽車級(jí)IGBT/SiC模塊驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品簡(jiǎn)介

就在德國(guó)紐倫堡PCIM Europe展會(huì)的最后一天，Power Integrations(PI)在線上舉辦新品溝通會(huì)，PI資深技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理Jason Y...

2022-05-17 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 PI IGBT 4209 0

揭秘走在國(guó)產(chǎn)替代前列的刻蝕設(shè)備

各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID日前宣布：公司已與華中科技大學(xué)電氣與電子工程學(xué)院達(dá)成深度戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將攜手研發(fā)針對(duì)碳化硅（SiC...

2022-05-12 標(biāo)簽：芯片 SiC 刻蝕設(shè)備 479 0

光隔離探頭在第三代半導(dǎo)體雙脈沖測(cè)試的應(yīng)用

日前，基于SiC和GaN的第三代半導(dǎo)體技術(shù)蓬勃發(fā)展，其對(duì)應(yīng)的分立器件性能測(cè)試需求也隨之而來(lái)。其較高的dv/dt與di/dt給性能測(cè)試帶了不少困難。泰克的...

2022-05-12 標(biāo)簽：IGBT SiC 脈沖測(cè)試 1948 0

PI推出汽車級(jí)IGBT/SiC模塊驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品系列SCALE EV

Power Integrations今日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM?EV系列門極驅(qū)動(dòng)板。新款驅(qū)動(dòng)器同樣適...

2022-05-10 標(biāo)簽：PI IGBT SiC 4535 0

缺陷與SiC功率器件間的可行性之間關(guān)系

　　這一發(fā)現(xiàn)是一項(xiàng)突破，因?yàn)樗兄趯?duì)最初看起來(lái)工作正常但在生產(chǎn)過程中幾乎無(wú)法發(fā)現(xiàn)的缺陷進(jìn)行分類。該研究論文不僅解釋了為什么這些器件具有異常的柵極傳導(dǎo)，...

2022-05-10 標(biāo)簽：ST SiC 1088 0

采用MOSFET和驅(qū)動(dòng)器提高智能電源方案的能效和可靠性

　　盡管SiC 基MOSFET的成本仍高于硅基MOSFET，但成本卻下降了，電感和電容器的相關(guān)節(jié)省（其值低于硅設(shè)計(jì)）意味著SiC基電源方案的物料單（Bo...

2022-05-09 標(biāo)簽：電容器 MOSFET SiC 1079 0

通過WBG器件助于實(shí)現(xiàn)能效更高的太陽(yáng)能發(fā)電方案

　　如果考慮到無(wú)源元器件的節(jié)省，盡管SiC器件的成本較高，但基于WBG的電源方案的總成本現(xiàn)在相當(dāng)于或略低于Si基方案。

2022-05-09 標(biāo)簽：MOSFET 安森美半導(dǎo)體 SiC 1329 0

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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手機(jī)快充

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A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽(yáng)能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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USB-PD

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納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
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