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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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寬禁帶材料測(cè)試

寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見(jiàn)。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來(lái)越多，SiC、GaN等被廣泛應(yīng)...

2022-08-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1144 0

6.4.2.2 n型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往...

2022-01-25 標(biāo)簽：SiC 1141 0

SiC功率模塊中微米級(jí)Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進(jìn)展

功率密度的提高及器件小型化等因素使熱量的及時(shí)導(dǎo)出成為保證功率器件性能及可靠性的關(guān)鍵。

2023-12-13 標(biāo)簽：功率器件 SBD SiC 1140 0

新能源車企比IGBT更青睞SIC，其優(yōu)勢(shì)何在？

前言新能源汽車依舊火熱，今年上半年國(guó)內(nèi)銷量突破370萬(wàn)輛，比亞迪、特斯拉、豐田、現(xiàn)代、吉利、上海大眾、日產(chǎn)等車企都已經(jīng)在引入SIC器件。為何車企都采用S...

2023-08-17 標(biāo)簽：新能源 IGBT SiC 1140 0

瑤芯微榮獲“國(guó)際先進(jìn)”好評(píng)的高可靠SiC MOSFET產(chǎn)品

瑤芯微此次參評(píng)的專注于“車規(guī)級(jí)低比導(dǎo)通電阻SiC MOSFET”，專家們一致贊賞該產(chǎn)品具有卓越的研究成果，堪稱行業(yè)翹楚。憑借諸多優(yōu)點(diǎn)，經(jīng)過(guò)嚴(yán)謹(jǐn)評(píng)鑒，評(píng)委...

2023-12-25 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 1136 0

16家SiC企業(yè)公布成績(jī)單，上半年誰(shuí)更賺錢？

報(bào)告期內(nèi)，天岳先進(jìn)高品質(zhì)SiC襯底獲得國(guó)際客戶的認(rèn)可。今年5月，天岳先進(jìn)與英飛凌簽訂了合作協(xié)議，8月24日，天岳先進(jìn)與客戶F簽訂了一份碳化硅采購(gòu)協(xié)議，約...

2023-09-08 標(biāo)簽：SiC 碳化硅三安光電 1132 0

安森美全新推出的EliteSiC功率集成模塊，可破解電動(dòng)汽車充電難題

安森美（onsemi）全新推出的EliteSiC功率集成模塊，可為電動(dòng)汽車直流超快速充電樁提供雙向充電功能。

2024-03-21 標(biāo)簽：安森美 SiC 充電樁 1131 0

國(guó)內(nèi)打造SiC大煉鋼廠，2024挑戰(zhàn)全球總供給量一半市占？

國(guó)內(nèi)2023年第三代半導(dǎo)體迎來(lái)歷史性大突破，碳化硅（SiC）長(zhǎng)晶、芯片材料自制領(lǐng)域，受到國(guó)際IDM大廠的肯定，這促使國(guó)內(nèi)廠大幅加碼擴(kuò)產(chǎn)。

2024-02-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 SiC 1130 0

上市大漲超95% 鍇威特正式登陸科創(chuàng)板

蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司于8月18日在科創(chuàng)板正式上市，發(fā)行價(jià)為每股40.83元。股票在開(kāi)盤后大漲超過(guò)95%，截至發(fā)稿時(shí)的實(shí)時(shí)股價(jià)為每股79.65元，...

2023-08-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1126 0

SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究

2023-11-30 標(biāo)簽：IC 功率器件 SiC 1125 0

6.3.7 遷移率限制因素∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.7遷移率限制因素6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.6不同晶...

2022-01-21 標(biāo)簽：SiC 1123 0

英國(guó)研究機(jī)構(gòu)開(kāi)發(fā)一種基于SiC的陶瓷基復(fù)合材料技術(shù)

“基于 SiC 的陶瓷基復(fù)合材料是一種很有前途的材料，適用于包括航空發(fā)動(dòng)機(jī)在內(nèi)的許多極端環(huán)境應(yīng)用，” ATL 的技術(shù)經(jīng)理Ryan Skillett說(shuō)?！?..

2023-05-18 標(biāo)簽：SiC 復(fù)合材料碳化硅 1120 0

SiC高溫退火刻蝕的各向異性實(shí)驗(yàn)報(bào)告

我們研究了高溫退火法對(duì)4h-SiC蝕刻形狀的轉(zhuǎn)變。雖然蝕刻掩模是圓形的，但蝕刻的形狀是六邊形、十二邊形或十八邊形，這取決于蝕刻面積的大小(圖。 1).六...

2022-02-09 標(biāo)簽：實(shí)驗(yàn)SiC 蝕刻 1119 0

明星企業(yè)齊聚PEC電力電子，共討行業(yè)發(fā)展新趨勢(shì)

由愛(ài)戴愛(ài)集團(tuán)主辦，《Bodo’s功率系統(tǒng)》協(xié)辦的PEC中國(guó)國(guó)際電力電子峰會(huì)暨產(chǎn)品展示會(huì)—蘇州站將于10月25日在蘇州會(huì)議中心隆重開(kāi)幕。截止日前，英飛凌科...

2013-10-15 標(biāo)簽：IGBT SiC GaN 1119 0

英飛凌EiceDRIVER?技術(shù)以及應(yīng)對(duì)SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)的挑戰(zhàn)

碳化硅MOSFET導(dǎo)通損耗低，開(kāi)關(guān)速度快，dv/dt高，短路時(shí)間小，對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的選擇、驅(qū)動(dòng)參數(shù)配置及短路響應(yīng)時(shí)間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業(yè)功率事...

2023-12-01 標(biāo)簽：英飛凌 MOSFET 驅(qū)動(dòng) 1118 0

到2025年底,國(guó)產(chǎn)SiC元件將大規(guī)模進(jìn)軍電動(dòng)汽車市場(chǎng)

據(jù)行業(yè)內(nèi)部權(quán)威人士透露，中國(guó)碳化硅（SiC）芯片市場(chǎng)正迎來(lái)一場(chǎng)價(jià)格革命，預(yù)計(jì)未來(lái)兩年內(nèi)其價(jià)格降幅或?qū)⒏哌_(dá)30%。這一積極展望主要得益于本土生產(chǎn)商在電動(dòng)汽...

2024-08-01 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車芯片 SiC 1116 0

碳化硅半導(dǎo)體與行業(yè)的未來(lái)！

雖然SiC在電子應(yīng)用中的使用可以追溯到1900年代初，但它作為半導(dǎo)體材料的使用直到1990年代才開(kāi)始真正獲得關(guān)注。正是在這一點(diǎn)上，它首次用于肖特基二極管...

2023-02-06 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 MOSFET 半導(dǎo)體 1113 0

古石188W多口桌面充電器選用森國(guó)科SiC二極管應(yīng)用案例

經(jīng)專業(yè)拆解機(jī)構(gòu)——充電頭網(wǎng)的拆解報(bào)告顯示：古石一款188W多口氮化鎵桌面充電器的PFC升壓電感采用了森國(guó)科第五代TMPS碳化硅二極管：型號(hào)為KS0806...

2023-11-27 標(biāo)簽：二極管充電器控制器 1111 0

羅姆試制出漏電流減少95%的SiC制MOSFET

姆與大阪大學(xué)研究生院工學(xué)研究科助教細(xì)井卓治、京都大學(xué)研究生院工學(xué)研究科教授木本恒暢及東電電子合作試制出了新的SiC制MOSFET。特點(diǎn)是將透過(guò)柵極絕緣膜...

2012-12-17 標(biāo)簽：MOSFET SiC 羅姆 1110 0

英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)

英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開(kāi)啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFE...

2024-04-20 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車英飛凌 MOSFET 1108 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
WPC

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手機(jī)快充

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手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
A4WP

A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
電池系統(tǒng)

電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
MAX660

MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

USB PD

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太陽(yáng)能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

浪涌抑制器

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USB-PD

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納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
PWM信號(hào)

PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
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