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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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三菱電機株式會社是一家成立于1921年的通用電子制造商，致力于“半導體于器件”業務領域發展。三菱根據國際資本市場協會 (ICMA)實施的“綠色債券原則2...
截至2023年，1200V碳化硅器件累計出貨超過了2400萬顆，得到了新能源汽車、消費電子以及工業市場的客戶好評。其中SiC MOSFET營收迅速提升，...
結合全球功率半導體市場數據推算，2022年SiC功率半導體的滲透率為4.85%，2023年滲透率為6.53%，2028年預計將達到18.58%左右。
2023年業內有多家企業陸續推出8英寸碳化硅襯底，成為市場熱點，呈現出加速替代6英寸襯底的勢頭。我們認為，碳化硅行業的下半場就是8英寸的時代，誰的8英寸...
為了滿足不斷增長的碳化硅器件需求，我們正在落實一項多供應商戰略，從而在全球范圍內保障對于 150mm 和 200mm 碳化硅晶圓的高品質、長期供應優質貨源
從行業趨勢看，SiC上車是大勢所趨。盡管特斯拉曾在2023年3月的投資者大會上表示，將減少75%的SiC用量，一度引發SiC未來發展前景不明的猜測，但后...
1月19日，熾芯微電子科技（蘇州）有限公司（以下簡稱“熾芯微電”）在恒泰智造·蘇州納米城Ⅴ區開業。
碳化硅具有禁帶寬度大、熱導率高、電子飽和漂移速率大、臨界擊穿電場高、介電常數低及化學穩定性好等諸多優點，是具有廣闊發展潛力的第三代新型半導體材料。
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）氮化鎵功率器件的大規模應用，是從2018年開始的。自手機快充功能在市場上迅速普及，經過數年的發展，氮化鎵HEMT器件早已被...
Wolfspeed 的問題源于其另一家工廠的生產混亂，該工廠是最大的碳化硅晶圓制造商之一。晶圓是其芯片的基礎，供應不足正在抑制莫霍克谷芯片工廠的生產。
第二代半導體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表。第三代半導體材料主 要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、硒化鋅（ZnSe）等，因其禁...
1月15日，日本索尼銀行官網公布關于投資三菱電機株式會社發行綠色債券的公告稱，已經投資了該債券，希望通過提高SiC功率半導體的產能，實現脫碳社會。
共讀好書 碳化硅是第三代半導體產業發展的重要基礎材料，碳化硅功率器件以其優異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統的高效率、小型化和輕...
安建半導體推出具有完全自主知識產權的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過獨特設計確保產品的卓越性能和可靠性，在國內領先的碳化硅晶圓代工廠流片...
考察中，雙方就博藍特第三代半導體碳化硅襯底項目落地延陵鎮進行了深度洽談，博藍特計劃在延陵鎮投資10億元建設年產25萬片的6-8英寸碳化硅襯底，該項目建成...
港科大陳敬教授團隊成功研制一種融合GaN和SiC二者優點的實驗晶體管
在硅占據主導地位數十年后，兩種較新的材料——碳化硅和氮化鎵——已經開始占領價值數十億美元的市場。例如，碳化硅現在是電動汽車逆變器和充電器的首選半導體。如...
推動SiCMOSFET國產化，華秋獲“芯塔電子”優秀媒體合作伙伴獎
隨著新能源市場的爆發，電動汽車，光伏、儲能等下游應用驅動下，碳化硅功率器件迎來了新一輪增長期。特別是電動汽車上SiCMOSFET的大規模應用后，在近幾年...
半導體行業的發展需要養精蓄銳，但新的發展機遇來臨時也要銳意進取。新能源產業的發展應用、新技術的創新推動以及第三代半導體SiC持續滲透，將給半導體行業帶來...
第三代半導體碳化硅（SiC）行業研究報告：市場空間、未來展望、產業鏈深度梳理
近年來，隨著5G、新能源等高頻、大功率射頻及電力電子需求的快速增長，硅基半導體器件的物理極限瓶頸逐漸凸顯，如何在提升功率的同時限制體積、發熱和成本的快速...
近日，英飛凌與SiC晶圓供應商韓國SK Siltron公司的子公司SK Siltron CSS正式簽署了一項協議。
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