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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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這里會針對下述條件與電路結(jié)構(gòu),使用緩沖電容器與專用柵極驅(qū)動器進(jìn)行特性對比。在電路構(gòu)成中,有上次介紹過的電解電容器和薄膜電容器。在不使用專用柵極驅(qū)動器時,...
首先需要了解的是:接下來要介紹的不是全SiC功率模塊特有的評估事項,而是單個SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計中,該信息...
提升傳統(tǒng)基于IGBT模塊的電力組件性能的SiC模塊
近年來,1200V和1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成為當(dāng)前使用IGBT的電力轉(zhuǎn)換器設(shè)計師的真正替代方案。到目前為止,大多數(shù)SiCMOSFET...
電力半導(dǎo)體的進(jìn)步并不完全取決于節(jié)點尺寸的減小。硅電力開關(guān),如MOSFETs和IGBTs,被設(shè)計用來處理12V到+3.3kV的電壓和數(shù)百安培的電流。這些開...
? 隨著我們尋求更強大、更小型的電源解決方案,碳化硅 (SiC) 等寬禁帶 (WBG) 材料變得越來越流行,特別是在一些具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用領(lǐng)域,如汽車驅(qū)動...
SiC FET在固態(tài)斷路器應(yīng)用中的沖擊電流處理能力
固態(tài)斷路器(SSCB)相比于傳統(tǒng)的電機械斷路器具有多種優(yōu)勢。基于寬帶隙(WBG)器件如碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)的SSCB可以在許多應(yīng)用中擴大其...
使用SiC技術(shù)應(yīng)對能源基礎(chǔ)設(shè)施的挑戰(zhàn)
本文簡要回顧了與經(jīng)典的硅 (Si) 方案相比,SiC技術(shù)是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個實際案例之前,先探討了 Si...
在過去幾年中,半導(dǎo)體行業(yè)出現(xiàn)了新一代高功率開關(guān),并開始商業(yè)化。使用基于碳化硅(SiC)的器件有望顯著降低開關(guān)損耗,并允許比目前使用純硅(Si)器件更高的...
在汽車和可再生能源領(lǐng)域,英飛凌已經(jīng)獲得了重大的設(shè)計勝利,相關(guān)客戶的約10億歐元的預(yù)付款將有望在2024年和2025年的財政年度為其自由現(xiàn)金流做出貢獻(xiàn)。英...
碳化硅功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)勢和現(xiàn)狀
中低壓產(chǎn)品性能可靠性滿足應(yīng)用要求,產(chǎn)品耐壓提升到2000V及以上. 產(chǎn)品發(fā)展到第三代,采用新型柵氧、溝槽結(jié)構(gòu)、集成肖特基二極管等技術(shù).
8英寸SiC晶體生長的難點在于:首先要研制出8英寸籽晶;其次要解決大尺寸帶來的溫場不均勻和氣相原料分布和輸運效率問題。
2023-07-05 標(biāo)簽:SiC碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 391 0
這是電力電子領(lǐng)域令人興奮的時代。在硅占據(jù)主導(dǎo)地位數(shù)十年后,兩種較新的材料——碳化硅和氮化鎵——已經(jīng)開始占領(lǐng)價值數(shù)十億美元的市場。例如,碳化硅現(xiàn)在是電動汽...
氮化鎵(GaN),作為一種具有獨特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,憑借卓越的功率轉(zhuǎn)換效率、超快的開關(guān)速度以及出色的耐高溫性能,在5G通信、新能源汽車、數(shù)據(jù)中...
SiC MOSFET的設(shè)計挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性
碳化硅(SiC)的性能潛力是毋庸置疑的,但設(shè)計者必須掌握一個關(guān)鍵的挑戰(zhàn):確定哪種設(shè)計方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。
通過凹槽切斷柵極下方的2DEG,使得器件在零柵壓下為關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)正柵壓增至大于閾值電壓時,將在柵界面處形成電子積累層以作為器件的導(dǎo)電溝道,器件呈導(dǎo)通狀態(tài)。
汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件,能夠適應(yīng)更高的電壓,擁有更快的開關(guān)速度,并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗,而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC 功率...
功率器件的熱設(shè)計基礎(chǔ)(二)——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低...
利用 SiC 功率器件開關(guān)頻率高、開關(guān)損耗低等優(yōu)點, 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機逆變器模塊, 對軟硬件進(jìn)行設(shè)計。
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