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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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PFC拓撲比較：交錯式升壓拓撲與圖騰柱拓撲

電子設備越來越多地接入電網，這增加了電網的失真幾率，也使配電網絡容易產生問題。為緩解這些問題，電源設計需要先進的功率因數校正 (PFC) 電路來滿足嚴格...

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新能源汽車恒流預充固態繼電器解決方案

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2023-11-16 標簽：新能源汽車固態繼電器 SiC 2380 0

碳化硅的閾值電壓穩定性

碳化硅SiC MOSFET的閾值電壓穩定性相對Si材料來講，是比較差的，對應用端的影響也很大。

2023-05-30 標簽：MOSFET 逆變器 SiC 2380 0

SiC MOSFET在電源轉換器設計中的優化方案

作者：英飛凌科技資深高級工程師René Mente 談起電源轉換器的設計，諸如碳化硅（SiC）等寬禁帶（WBG）技術是當今進行器件選擇時的現實考慮。65...

2021-03-25 標簽：MOSFET 電源轉換器 SiC 2371 0

碳化硅單晶襯底的常用檢測技術

碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料，因其寬禁帶寬度、高擊穿電場強度和高熱導率等優異性能，在眾多高端應用領域表現出色，已成為半導體材料技術的重要發展方向...

2024-01-17 標簽：半導體晶體管 SiC 2358 0

SiC MOSFET短路失效的兩種典型現象

短路引起的 SiC MOSFET 電學參數的退化受到了電、熱、機械等多種應力的作用，其退化機理需要從外延結構、芯片封裝以及器件可靠性等多方面進行論證分析。

2024-04-17 標簽：MOSFET 變頻器電機驅動 2342 0

SIC比SI有什么優勢？碳化硅優勢的實際應用

SiC的導熱性大約是Si的三倍，并且將其他特性的所有優點結合在一起。導熱率是指熱量從半導體結傳遞到外部環境的速度。這意味著SiC器件可以在高達200°C...

2023-11-23 標簽：電動汽車逆變器 IGBT 2339 0

新能源電機絕緣系統關鍵參數-PDIV（一）

直奔主題，下圖為典型的雙電極電壓（極性從正極到負極交替變化的電壓）沖擊圖。

2023-07-18 標簽：二極管 MOSFET SiC 2334 0

確保SiC驗證測試準確度，有效測量碳化硅功率電子系統中的信號

在功率電子系統中，差分探頭和參考地電平探頭是兩種常用的電壓測量方法。差分探頭是一種流行的選擇，因為它可以毫無問題地添加到電路的任意節點中。

2021-07-13 標簽：電子系統 SiC 碳化硅 2306 0

碳化硅寬帶隙的重要性

寬帶隙半導體材料（如SiC）與更傳統的半導體材料（如Si）相比具有許多優勢。考慮帶隙隨著溫度升高而縮小的事實：如果我們從寬帶隙開始，那么溫度升高對功能的...

2023-05-24 標簽：半導體 DC-DC SiC 2283 0

意法半導體SiC MOSFET的路線圖

顯然特斯拉用的是意法半導體2018年的第二代SiC MOSFET產品，第四代產品目前還沒有推出。溝槽型是發展方向，但意法半導體要到2025年才開始推出。

2023-03-14 標簽：MOSFET 特斯拉 SiC 2280 0

SiC MOSFET實現高頻大功率變換——固態變壓器應用案例剖析

在傳統的配電網結構中，工頻變壓器是實現電能分配和電壓等級變換的主要電氣設備。工頻變壓器的主要組成部件為鐵芯和繞組，常采用油浸式或者干式，具有可靠性高，效...

2024-05-17 標簽：變壓器 MOSFET SiC 2275 0

面向汽車應用的下一代高壓離散電源產品

電動汽車的激增將功率半導體性能的邊界推向了新的高度。傳統上，硅功率器件已用于控制汽車中的各種功率電子系統，例如用于主逆變器電機，泵，HVAC壓縮機，制動...

2021-05-18 標簽：電動汽車二極管 IGBT 2274 0

在半導體行業中碳化硅有哪些應用呢？

碳化硅（SiC）又叫金剛砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成，其實碳化硅很久以前就被發現了

2023-02-07 標簽：半導體 SiC 碳化硅 2271 0

碳化硅器件封裝技術解析

碳化硅（ SiC ）具有禁帶寬、臨界擊穿場強大、熱導率高、高壓、高溫、高頻等優點。應用于硅基器件的傳統封裝方式寄生電感參數較大，難以匹配 SiC 器件...

2023-12-27 標簽：電力系統封裝技術 SiC 2256 0

基于SiC MOSFET的儲能變流器功率單元設計方法

摘要：隨著儲能變流器向大容量、模塊化發展，碳化硅（SiC）器件由于其低損耗、耐高溫的特性，逐漸成為研究熱點。然而SiC器件過高的開關速度使其對電路中雜散...

2024-02-22 標簽：MOSFET 變換器 SiC 2255 0

溝槽結構SiC MOSFET幾種常見的類型

SiC MOSFET溝槽結構將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復雜，單元一致性比平面結構差。但是，溝槽結構可以增加單元密度，沒有JFET效應，寄生...

2023-02-16 標簽：電阻 JFET SiC 2211 0

如何在使用SiC MOSFET時最大限度地降低EMI和開關損耗

碳化硅（SiC） MOSFET 的快速開關速度、高額定電壓和低導通 RDS（on）使其對電源設計人員極具吸引力，這些設計人員不斷尋找提高效率和功率密...

2022-11-23 標簽：MOSFET emi SiC 2210 0

AMB通用技術問題—翹曲及其解決方案

AMB陶瓷覆銅基板是一個復合結構：銅箔/焊料/陶瓷/焊料/銅箔，不同材料之間的CTE、楊氏模量、導熱性能也存在差異。

2023-07-08 標簽：散熱器 IGBT SiC 2191 0

高效氮化鎵電源設計方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設計中實現高效率

氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數校正 (PFC)，...

2023-08-01 標簽：電源整流器德州儀器 2189 0

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