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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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如何通過柵極驅動技術實現SiC性能的最大化

SiC和其他寬禁帶器件的基本優勢源于它們的帶隙，價帶頂部和導帶底部之間的能量差。電子從低能價帶移動到高能導帶使材料導電。

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2021-05-13 標簽：SiC 碳化硅 2643 0

碳化硅外延設備技術研究

與傳統半導體材料硅、鍺相比，第三代半導體材料碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率高、高溫穩定性好以及...

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碳化硅(SiC)是化合物半導體材料之一，具有獨特的材料性能。例如，它具有高電擊穿強度(硅的十倍)和導熱性(硅的三倍)。這些特性吸引了研究人員和工程師的更...

2022-11-17 標簽：SiC 電源逆變器碳化硅 2620 0

碳化硅（SiC）技術取代舊的硅FET和IGBT

所有類型的電動汽車（EV）的高功率、高電壓要求，包括電動公交車和其他電子交通電源系統，需要更高的碳化硅（SiC）技術來取代舊的硅FET和IGBT。安全高...

2023-05-06 標簽：電動汽車 IGBT SiC 2609 0

汽車碳化硅技術成熟嗎汽車碳化硅的優缺點

SiC是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一，技術也已經趨于成熟，令其成為實現新能源汽車最佳性能的理想選擇。SiC對電動汽車的作用非常大，簡而...

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隔離比較器在電機驅動系統中的應用

功率半導體供應商不斷在導通損耗和開關速度上實現突破，推出更高的電流等級、更小的封裝尺寸以及更短的短路耐受時間的半導體器件。并且隨著寬禁帶半導體器件成本降...

2022-10-14 標簽：比較器電機電機驅動 2571 0

不同功率的充電樁設計方案總結

電動汽車充電樁作為電動汽車的能量補給裝置，充電時間和壽命是關系到其性能的最關鍵因素。這就對充電樁的充電效率提出了要求。本文針對兩電平15KW SIC充電...

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為什么在新一代雙向OBC設計中選擇SiC而非Si？

硅 (Si) 基功率器件由于其技術的成熟性和相對容易的可獲性，長期占據著電力電子行業的主導地位。然而，碳化硅 (SiC) 器件因其先天的巨大優勢能夠很好...

2023-05-20 標簽：電源太陽能逆變器 2542 0

SiC設計分享（三）：onsemi同等功率的SiC與SiMOST進行比較

本文作為系列文章的第三篇，會從SiC MOS寄生電容損耗與傳統Si MOS作比較，給出分析和計算過程，供設計工程師在選擇功率開關器件時參考！

2022-07-06 標簽：MOSFET MOS SiC 2539 0

碳化硅在新能源車中的主要應用

新能源汽車的加速性能與動力系統輸出的最大功率和最大扭矩密切相關，碳化硅（SiC）技術允許驅動電機在低轉速時承受更大輸入功率，且不怕電流過大導致的熱效應和...

2023-06-27 標簽：新能源汽車驅動器 SiC 2525 0

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SiC、GaN MOSFET等寬帶隙器件的進步，給電力電子領域帶來了一場革命。這些器件具有快速開關、高電荷密度和高效設計的優點。它們在高功率應用中非常有...

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3300V SiC MOSFET柵氧可靠性研究

摘要：碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能，表現出巨大的應用前景，其中金屬-氧化物-場效應晶體管 MOSFET是最重要的器件。3300 V SiC...

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碳化硅（SiC）材料被認為已經徹底改變了電力電子行業。其寬帶隙、高溫穩定性和高導熱性等特性將為SiC基功率器件帶來一系列優勢。近年來，隨著新能源汽車企業...

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氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優勢

設計出色功效的電子應用時，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術的器件。與電子開關使用的傳統硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術具有...

2023-10-12 標簽：SiC 氮化鎵電子開關 2475 1

SiC MOSFET短路失效的兩種典型現象

短路引起的 SiC MOSFET 電學參數的退化受到了電、熱、機械等多種應力的作用，其退化機理需要從外延結構、芯片封裝以及器件可靠性等多方面進行論證分析。

2024-04-17 標簽：MOSFET 變頻器電機驅動 2472 0

新能源電機絕緣系統關鍵參數-PDIV（一）

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電子設備越來越多地接入電網，這增加了電網的失真幾率，也使配電網絡容易產生問題。為緩解這些問題，電源設計需要先進的功率因數校正 (PFC) 電路來滿足嚴格...

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碳化硅單晶襯底的常用檢測技術

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2022-07-29 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 2437 0

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