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標簽 > nmos
NMOS意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路,由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路,由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補MOS電路,即CMOS電路。
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場效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡稱FET)在電路中調(diào)節(jié)電流的方式主要通過控制其柵極(Gate)電壓來實現(xiàn)。以下將詳細闡述場效...
2024-07-23 標簽:電流場效應(yīng)管NMOS 1557 0
N-MOS電路是一種基本的邏輯門電路,它在數(shù)字電子電路中起著重要的作用。在本文中,我們將詳盡、詳實、細致地探討N-MOS電路的基本原理、特性以及邏輯表達...
2023-12-07 標簽:電路NMOS場效應(yīng)晶體管 1555 0
低功耗架構(gòu)設(shè)計需要前后端拉通規(guī)劃,前端設(shè)計有PMU功耗管理單元,比如A模塊電壓常開,B模塊電壓可關(guān)斷,那么請思考,當B模塊關(guān)斷電壓后,B模塊輸出到A模塊...
為什么PMOS作為高側(cè)開關(guān)更容易實現(xiàn)
高側(cè)開關(guān)就是負載是接地的,開關(guān)相對于負載處于高電位,如下圖所示。如果將開關(guān)和負載的位置互換,就是低側(cè)開關(guān)。
MOS管防反接防過壓電路圖 MOS管防反接防過壓電路設(shè)計方案
Vin正常輸入電壓時,穩(wěn)壓管沒有反向擊穿,R3,R4電流基本為0。(個人理解:首先對于D1這個穩(wěn)壓管的鉗位電壓一定是稍微大于電源正常的工作電壓的,看做是...
設(shè)計具有 NMOS 和驅(qū)動IC 的防反保護電路時,NMOS 需放置在高邊,驅(qū)動IC也從高邊取電,這里將產(chǎn)生一個大于輸入電壓 (VIN) 的內(nèi)部電壓,給 ...
基于0.18μm CMOS工藝的高響應(yīng)度太赫茲探測器線陣
探測器陣列由3個太赫茲像素線性排列,每個像素由帶交叉耦合電容的源極差分驅(qū)動自混頻功率探測電路、高增益片上環(huán)形差分天線和集成電壓放大器組成。各像素單元的輸...
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