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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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新能源汽車?yán)锩娴呐潆娤到y(tǒng)和E-Fuse
傳統(tǒng)車的配電系統(tǒng),ECU主要通過保險絲和繼電器完成車載電器的電源控制,包括鑰匙開關(guān)繼電器、燈光繼電器、喇叭繼電器等,還有一些常供電的負(fù)載直接通過保險絲接...
在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅(以下簡稱“SiC”)MOSFET 有明 顯的優(yōu)勢。
2023-05-26 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源SiC 818 0
從電壓電流對IGBT的關(guān)斷過程進(jìn)行分析
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 是雙極型晶體管(BJT) 和場效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的復(fù)合器件,IGBT將BJT的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)引入到VDMOS 的...
碳化硅MOSFET助力新能源汽車實(shí)現(xiàn)更出色的能源效率和應(yīng)用可靠性
碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。
設(shè)計MOSFET功率放大器電路時必須考慮的各種參數(shù)
在這篇文章中,我們將討論設(shè)計MOSFET功率放大器電路時必須考慮的各種參數(shù)。我們還分析了雙極結(jié)型晶體管(BJT)和MOSFET特性之間的差異,并了解了為...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)用于許多不同類型的電源應(yīng)用,包括可再生能源、航空航天、汽車和運(yùn)輸、測試和測量以...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種場效應(yīng)晶體管,這意味著它通過使用電場來控制電流。MOSFET 通常有三個端子:柵極、漏極和源極。漏極和...
與硅相比,寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù),如 Wolfspeed 的碳化硅(SiC)MOSFET 和肖特基勢壘二極管(SBD)可為電源設(shè)計人員帶來諸多優(yōu)勢。更低的傳導(dǎo)...
碳化硅(SiC)已經(jīng)成為一個明確的選擇,因?yàn)樗呀?jīng)成熟并且是第三代。基于 SiC 的 FET 具有許多性能優(yōu)勢,特別是在效率、更高的可靠性、更少的熱管理...
使用MOSFET和IGBT的AC/DC轉(zhuǎn)換器有幾種常見的硅(Si)實(shí)現(xiàn)。硅MOSFET的問題在于,阻斷電壓不可能超過650 V,同時保持芯片尺寸小并獲得...
2023-05-24 標(biāo)簽:電動汽車轉(zhuǎn)換器MOSFET 1608 0
使用Wolfspeed碳化硅MOSFET對常見拓?fù)溥M(jìn)行建模
現(xiàn)在,工程師比以往任何時候都更多地選擇基于碳化硅 (SiC) 的產(chǎn)品,因?yàn)樗鼈儽然诠?(Si) 的組件具有更高的效率、功率密度和更好的整體系統(tǒng)成本效益...
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