完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
文章:4733個(gè) 瀏覽:213947次 帖子:1124個(gè)
國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)4通道、40V、160mΩ智能高側(cè)開(kāi)關(guān)
該芯片均具有負(fù)載開(kāi)路、輸出對(duì)輸入短路、輸出過(guò)流、輸出短路、過(guò)溫等故障診斷輸出功能,具有各通道獨(dú)立的診斷狀態(tài)輸出。
2023-07-18 標(biāo)簽:MOSFET智能高側(cè)開(kāi)關(guān) 1225 1
準(zhǔn)諧振降壓型LED照明驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)電源芯片U6113簡(jiǎn)介
開(kāi)關(guān)電源芯片U6113在同一塊晶元上同時(shí)集成了高壓功率MOSFET和控制器。U6113內(nèi)部高度集成的高精度恒流控制電路和完備的保護(hù)功能使其適用于LED照...
2023-07-17 標(biāo)簽:ledMOSFET開(kāi)關(guān)電源 1028 0
Wolfspeed碳化硅MOSFET滿足高功率應(yīng)用的需要
碳化硅(SiC)技術(shù)帶來(lái)了無(wú)限的新機(jī)會(huì)。只要存在對(duì)高可靠性功率系統(tǒng)的需求,碳化硅 MOSFET 就能在許多行業(yè)中的許多不同應(yīng)用(包括必須在惡劣環(huán)境中工作...
提高功率密度已經(jīng)成為電源變換器的發(fā)展趨勢(shì)。對(duì)于當(dāng)今的開(kāi)關(guān)電源(SMPS)而言,具有高可靠性也是非常重要的。LLC 諧振半橋變換器因其自身具有的多種優(yōu)勢(shì)逐...
2023-07-15 標(biāo)簽:二極管MOSFET開(kāi)關(guān)電源 2507 0
柵極驅(qū)動(dòng)芯片選型要求,如何為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)芯片
柵極驅(qū)動(dòng)芯片可根據(jù)功能分為多種類(lèi)型,如單路、雙路、多路等。因此,在選型時(shí)需要根據(jù)具體應(yīng)用情況進(jìn)行選擇。
2023-07-14 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng) 5138 0
為什么需要柵極驅(qū)動(dòng)器,柵極驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵參數(shù)
IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成一個(gè)非線性電容。給柵極電容充電會(huì)使功率器件導(dǎo)通,并允許電流在其漏極和源極引腳之間流動(dòng),而放電則會(huì)使器件關(guān)斷,...
2023-07-14 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器 2812 0
dV/dt對(duì)MOSFET動(dòng)態(tài)性能的影響有哪些?
①靜態(tài)dV/dt:會(huì)引起MOSFET柵極電壓變化,導(dǎo)致錯(cuò)誤開(kāi)通。在柵源間并聯(lián)電阻,可防止誤開(kāi)通。
智能配電相比傳統(tǒng)配電有哪些優(yōu)勢(shì)
相較于傳統(tǒng)配電方式, 智能配電技術(shù)存在較大的優(yōu)勢(shì) 第一, 能源管理。 根據(jù)用戶場(chǎng)景進(jìn)行智能化精準(zhǔn)配電, 減少不必要的電力浪費(fèi), 讓電力得到最優(yōu)化的利用。...
思瑞浦CMTI±150kV/μs隔離柵極驅(qū)動(dòng)TPM2351x系列產(chǎn)品簡(jiǎn)介
聚焦高性能模擬芯片和嵌入式處理器的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司——思瑞浦3PEAK(股票代碼:688536)推出CMTI ±150kV/μs隔離柵極驅(qū)動(dòng)——TPM23...
今年以來(lái),國(guó)外某些國(guó)家仍然在拉動(dòng)其盟友在對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行打擊,意味著國(guó)產(chǎn)化半導(dǎo)體的進(jìn)程將進(jìn)一步加速。如今在國(guó)內(nèi),是否有純國(guó)產(chǎn)的IGBT單管生產(chǎn)廠家...
飛虹半導(dǎo)體IGBT單管在逆變器中的應(yīng)用
逆變器在不僅在家庭、工業(yè)、交通的領(lǐng)域進(jìn)行應(yīng)用,而且還在太陽(yáng)能、風(fēng)能、電池等新能源領(lǐng)域應(yīng)用越來(lái)越廣泛。逆變器的廣泛應(yīng)用意味著IGBT作為其核心元器件,也會(huì)...
了解變壓器繞組間電容對(duì)共模 (CM) 發(fā)射噪聲的影響尤其重要。共模噪聲主要是由變壓器繞組間寄生電容以及電源開(kāi)關(guān)與底盤(pán)/接地端之間的寄生電容內(nèi)的位移電流所...
2023-07-14 標(biāo)簽:電源變壓器轉(zhuǎn)換器 828 0
IGBT模塊的常規(guī)檢查以及常見(jiàn)故障問(wèn)題維修方法
IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場(chǎng)上銷(xiāo)售的多為此類(lèi)模塊化產(chǎn)品,一般所說(shuō)的IGBT也指IGBT模塊;
反激式充電器和適配器的同步整流芯片U7710SG是一種開(kāi)關(guān)電源的同步整流電路,它集成了N通道MOSFET和驅(qū)動(dòng)電路,用于DCM、QR的同步整流。同步整流...
反激式充電器和適配器的同步整流芯片U7710SG是一種開(kāi)關(guān)電源的同步整流電路,它集成了N通道MOSFET和驅(qū)動(dòng)電路
開(kāi)漏電路概念中提到的“漏”就是指MOSFET的漏極。同理,開(kāi)集電路中的“集”就是指三極管的集電極。
2023-07-13 標(biāo)簽:三極管MOSFET驅(qū)動(dòng)器 1327 0
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |