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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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基于分段模型的CRM boost電路軟開關(guān)時間優(yōu)化設(shè)計(jì)
臨界導(dǎo)通模式(critical conduction mode,CRM)下的DC-DC變換器能夠降低系統(tǒng)階數(shù),并且可以實(shí)現(xiàn)更高的效率而廣泛應(yīng)用于中小功率場景中。
適用于PD3.1標(biāo)準(zhǔn)的芯導(dǎo)科技MOSFET產(chǎn)品簡介
USB Promoter Group在2021年5月26日發(fā)布了USB PD3.1,PD3.1將原有PD3.0的標(biāo)準(zhǔn)功率范圍擴(kuò)大至擴(kuò)展功率范圍(EPR)...
碳化硅的主要特性是什么?為什么碳化硅在高頻下的性能優(yōu)于IGBT?
碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料家族。
快充和閃充只有1字之差,兩者有什么區(qū)別呢?閃充技術(shù)它采用了低高壓電流的形式,提升了手機(jī)的充電速度。而快充技術(shù)恰恰相反,采用了高低壓的電流
請問一下IGBT是如何實(shí)現(xiàn)電路控制的?
絕緣柵雙極晶體管(英語:Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT),是半導(dǎo)體器件的一種,主要用于新能源電動汽車、及...
Buck電路是一種電源轉(zhuǎn)換器,用于將高電壓直流輸入轉(zhuǎn)換為低電壓直流輸出。它由一個功率開關(guān)元件(通常是MOSFET)和一個電感器組成。
2023-08-11 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器DC-DC 1.8萬 0
碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)及發(fā)展趨勢
隨著國內(nèi)對碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入,國內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)的水平逐步提升,研究和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴(kuò)展。
2023-08-10 標(biāo)簽:MOSFET逆變器芯片設(shè)計(jì) 1546 0
Nexperia | MOSFET 如何輕松應(yīng)對傳導(dǎo)損耗
有四個主要元件可滿足電池反向保護(hù),分別是恢復(fù)整流二極管、肖特基整流二極管、P 溝道 MOSFET 和 N 溝道 MOSFET。
pmos和nmos的工作原理 MOS應(yīng)用電路設(shè)計(jì)
在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到,在GS,GD之間存在寄生電容,而MOS管的驅(qū)動,實(shí)際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流,因?yàn)閷﹄娙莩潆娝查g可以把...
2023-08-10 標(biāo)簽:MOSFET電路設(shè)計(jì)NMOS 8139 0
逆變器電路圖分享 基于PWM IC TL494的逆變器電路設(shè)計(jì)
非常簡單但高度復(fù)雜的修正正弦波逆變器電路。PWM IC TL494 的使用不僅使設(shè)計(jì)的部件數(shù)量極其經(jīng)濟(jì),而且高效且準(zhǔn)確。
以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體禁帶寬度、化學(xué)穩(wěn)定性、擊穿場強(qiáng)等優(yōu)勢,是國際半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。
寬禁帶半導(dǎo)體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作,在高效功率轉(zhuǎn)換,射頻功放,以及極端環(huán)境電子應(yīng)用方面具有優(yōu)異的材料優(yōu)勢。
2023-08-09 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 895 0
該 100W 音頻放大器設(shè)計(jì)采用兩個 V-MOSFET 晶體管技術(shù)作為輸出級,可在 4 Ω 負(fù)載下提供 100W 輸出。重要的是,通過添加散熱器或風(fēng)扇等...
mos場效應(yīng)管一共幾種類型 MOSFET的漏極導(dǎo)通特性是什么?
MOSFET的漏極導(dǎo)通特性是指在特定的電壓和電流條件下,MOSFET允許電流從漏極流過的性質(zhì)。
為什么不用SiC來做IGBT?未來是否會大規(guī)模的使用SiC來做IGBT呢?
IGBT芯片是IGBT器件的主要部分,通常由硅制成。它由四個區(qū)域組成:N+型集電極、P型漏極、N型溝道和P+型柵極。
介紹三種有線調(diào)光技術(shù):0-10V調(diào)光、切相調(diào)光和DALI調(diào)光
“調(diào)光技術(shù)大類分為有線和無線,無線調(diào)光的優(yōu)點(diǎn)是靈活易于安裝,缺點(diǎn)是容易受到干擾,控制范圍有限。在追求穩(wěn)定可靠性的應(yīng)用的場合,有線調(diào)光更適合。本篇介紹常見...
2023-08-07 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)器件調(diào)光技術(shù) 3.1萬 0
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