絕緣柵雙極晶體管（英語：Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT），是半導(dǎo)體器件的一種，主要用于新能源電動汽車、及電動車的交流電電動機(jī)的輸出控制。

傳統(tǒng)的BJT導(dǎo)通電阻小，但是驅(qū)動電流大，而MOSFET的導(dǎo)通電阻大，卻有著驅(qū)動電流小的優(yōu)點(diǎn)。IGBT正是結(jié)合了這兩者的優(yōu)點(diǎn)：不僅驅(qū)動電流小，導(dǎo)通電阻也很低。

這種晶體管結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的高電流單柵控制特性及雙極性晶體管的低飽和電壓的能力，在單一的IGBT器件里，會透過把一個(gè)隔離的場效應(yīng)晶體管（FET）結(jié)合，作為其控制輸入，并以雙極性晶體管作開關(guān)。

IGBT原理

IGBT是強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓 BVDSS 需要一個(gè)源漏溝道，而這個(gè)溝道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有 RDS(on) 數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。

雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了 RDS(on) 特性，但是在高耐壓的器件上，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。

較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個(gè)低 VCE(sat) 的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖。

內(nèi)部構(gòu)造

IGBT是一種由控制電路控制、是否導(dǎo)電的半導(dǎo)體。G是柵極，也就是控制極，C是集電極，E是發(fā)射極。

例如控制電路指示為通，我們給G電極高電平，那么 IGBT就會導(dǎo)通，IGBT就是導(dǎo)體，有電流通過；如果控制電路指示為斷，我們給G電極低電平，那么 IGBT就會截止，則IGBT就是絕緣體，沒有電流通過。