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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
文章：2010個(gè) 瀏覽：67334次 帖子：1216個(gè)
先從理論上分析MOS管選型是否合理，從MOS管的規(guī)格書上獲取MOS管的參數(shù)，包括導(dǎo)通電阻、g、s極的導(dǎo)通電壓等。 在確保實(shí)際驅(qū)動(dòng)電壓大于導(dǎo)通電...
本文根據(jù)某產(chǎn)品單板電路測(cè)試過程的浪涌電流沖擊問題，詳細(xì)分析了MOS管緩啟動(dòng)電路的RC參數(shù)，通過分析和實(shí)際對(duì)電路參數(shù)的更改，使電路的浪涌電流沖擊滿足板上電源要求。
DIP封裝有兩排引腳，需要插入到具有DIP結(jié)構(gòu)的芯片插座上，其派生方式為SDIP(Shrink DIP)，即緊縮雙入線封裝，較DIP的針腳密度高6倍。
在完成MOS管芯片在制作之后，需要給MOS管芯片加上一個(gè)外殼，這就是MOS管封裝。
當(dāng)MOS管關(guān)斷之后，在DCM工作條件下的Vds電壓變化展示如下圖所示，在波形的中段位置Vds=Vor+Vin，其中Vin是開關(guān)電源的輸入電壓，而Vor就...
LVDS&CML電平設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)
LVDS ：低電壓差分信號(hào)（Low-Voltage Differential Signaling）是美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體（National Semicondu...
? 前幾天看了下阿莫論壇，一個(gè)帖子引起了我的注意，作者宋工的一批產(chǎn)品出了大問題，帖子也是非常火，蓋了100多樓，目前為止還沒有測(cè)試完畢，還沒有解決，大伙...
電平設(shè)計(jì)基礎(chǔ)：電平匹配設(shè)計(jì)
單端邏輯電平的匹配是我們平時(shí)在硬件設(shè)計(jì)中最經(jīng)常碰到的，我們?cè)凇禩TL&CMOS電平》章節(jié)中已經(jīng)對(duì)TTL和COMS電平的匹配設(shè)計(jì)做了一些分析，一般...
2023-06-25 標(biāo)簽：二極管FPGA設(shè)計(jì)MOS管 3257 0
雖然MOS管名義上是壓控器件，只要柵極的電壓超過其閾值就會(huì)控制MOS管導(dǎo)通。
在驅(qū)動(dòng)MOS管時(shí)，我們希望給到MOS管柵極是標(biāo)準(zhǔn)的電壓方波波形，但是在實(shí)際情況下，我們?cè)跍y(cè)得的Ugs波形往往是帶有振蕩的。
2023-06-25 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器振蕩器MOS管 4922 0
反激開關(guān)電源在MOS管關(guān)斷時(shí)，變壓器初級(jí)繞組漏感存儲(chǔ)的能量無法向次級(jí)繞組傳遞，初級(jí)繞組的漏感和MOS管的寄生電容產(chǎn)生了諧振電壓波形。
反激開關(guān)電源在不連續(xù)模式穩(wěn)態(tài)時(shí)各關(guān)鍵點(diǎn)的電壓和電流的開關(guān)波形
結(jié)合著原理圖，我試著解釋一下反激開關(guān)電源在不連續(xù)模式DCM穩(wěn)態(tài)時(shí)各關(guān)鍵點(diǎn)的電壓和電流的開關(guān)波形，不涉及具體元件參數(shù)數(shù)值。
反激開關(guān)電源的連續(xù)模式CCM和不連續(xù)模式DCM的差異，主要體現(xiàn)在變壓器設(shè)計(jì)上。這篇文章展開說明DCM將影響反激電源哪些技術(shù)參數(shù)。
2023-06-25 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOS管DCM 3236 0
中微愛芯CBTLV系列模擬開關(guān)產(chǎn)品介紹
模擬開關(guān)，英文名Analog switches；主要是完成信號(hào)鏈路中的信號(hào)切換功能。采用MOS管的開關(guān)方式實(shí)現(xiàn)了對(duì)信號(hào)鏈路關(guān)斷或者打開；由于其功能類似于...
2023-06-25 標(biāo)簽：開關(guān)電路MOS管模擬開關(guān) 1023 0
如何設(shè)計(jì)一個(gè)MOS管的開關(guān)電路
MOS管開關(guān)電路 但是這個(gè)電路的缺點(diǎn)也是顯而易見，由于MOS管有一個(gè)寄生的二極管，如果CD5V的濾波電容過大，或者后端有別的電壓串進(jìn)來，會(huì)把前端給燒壞！
2023-06-25 標(biāo)簽：三極管開關(guān)電路MOS管 1284 0
使用MOS管的雙向電平轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)
在一些IO電平不匹配的情況，需要用到電平轉(zhuǎn)換電路。特別如I2C總線上，主芯片和多個(gè)外設(shè)直接，較常遇到電源域電壓不一致的情況。
2023-06-25 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)MOS管總線 1932 1
當(dāng)LV連接器的TXI-1為3V3高電平信號(hào)(LV排針接3V3，HV排針接5V)時(shí)，Q1 mos管的柵極和源極之間的壓降為0V(TXI-1與LV排針之間的...
利用電容，三極管，MOS管來實(shí)現(xiàn)一個(gè)簡(jiǎn)單的延時(shí)斷電控制電路。
芯片設(shè)計(jì)進(jìn)階之路—從CMOS到建立時(shí)間和保持時(shí)間
建立時(shí)間(setup time)和保持時(shí)間(hold time)是時(shí)序分析中最重要的概念之一，深入理解建立時(shí)間和保持時(shí)間是進(jìn)行時(shí)序分析的基礎(chǔ)。
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